韩光
HSD16M64B8A
同步DRAM模组128Mbyte （ 16Mx64位） ， SO -DIMM ，
4Banks ， 4K参考， 3.3V
产品型号HSD16M64B8A
概述
该HSD16M64B8A是16M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
八CMOS 4M ×8位与上一个144引脚的玻璃环氧树脂的TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM
基材。两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
HSD16M64B8是一个SO- DIMM （小型双重内嵌式内存模块） ，并适用于安装到144针的优势
连接器插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O交易
可能在每一个时钟周期。的工作频率，可编程延迟范围允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能的存储器系统的应用程序的所有模块，组件可以是
供电采用3.3V单电源直流电源和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD16M64B8A -F / 10L ： 100MHz的（CL = 3）的
HSD16M64B8A -F / 10：为100MHz （CL = 2）的
HSD16M64B8A -F / 12：为125MHz （CL = 3）的
HSD16M64B8A -F / 13： 133MHz的（CL = 3）的
F表示自动&自我更新，具有低功耗（ 3.3V ）
突发模式工作
自动&自我刷新能力（ 4096周期/ 64ms的）
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟（从地址栏访问）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 数据扰码（顺序&交错）
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所用设备为4M X 8位X 4Banks SDRAM
网址： www.hbe.co.kr
REV 1.0 （ August.2002 ）
韩光电器有限公司。
-1-
韩光
引脚功能说明
针
CLK
/ CE
名字
系统时钟
芯片使能
INPUTT功能
HSD16M64B8A
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQM
CKE
时钟使能
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE前应进行有效的命令启用1CLK + TSS 。
A0 ~ A11
地址
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA9
BA0 BA1
银行选择地址
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
/ RAS
行地址选通
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
/ CAS
列地址选通
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
/ WE
写使能
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院，我们开始积极的数据。
DQM0 7
数据输入/输出面膜
使得数据输出高阻，时钟和面具后输出tSHZ 。
块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
DQ0 63
VDD / VSS
数据输入/输出
电源/接地
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN，OUT
VCC
P
D
T
英镑
等级
-1V至4.6V
-1V至4.6V
8W
-55℃至150℃
短路输出电流
I
OS
200mA
注意事项：
如果"绝对最大Ratings"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应
仅限于在本数据表的业务部门的详细情况。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
网址： www.hbe.co.kr
REV 1.0 （ August.2002 ）
韩光电器有限公司。
-4-
韩光
HSD16M64B8A
直流工作条件
（推荐的操作条件（电压引用到VSS = 0V ， TA = 070 ℃））
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
符号
VCC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
典型值。
3.3
3.0
0
-
-
最大
3.6
Vcc+0.3
0.8
-
0.4
单位
V
V
V
V
V
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
输入漏电流
I
LI
-10
-
10
uA
注意事项：
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
（ VCC = 3.3V ， TA = 23 ° C，F = 1MHz时， VREF = 1.4V
±
200毫伏）
描述
时钟
/ RAS ， / CAS ， / WE ， / CS ， CKE ， DQM
地址
DQ （ DQ0 DQ7 ）
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
2.5
2.5
2.5
4.0
最大
4.0
5.0
5.0
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
DC特性
（推荐的工作条件，除非另有说明， TA = 070 ℃）下
VERSION
TEST
参数
符号
条件
突发长度= 1
工作电流
I
CC1
（一银行活动）
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
预充电待机电流
in
掉电模式
I
CC2
PS
I
CC2
P
CKE
≤
V
IL
（最大）
t
CC
=10ns
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大）
t
CC
=∞
预充电待机电流
in
非掉电模式
在20ns的一次
网址： www.hbe.co.kr
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韩光电器有限公司。
不
-
-12
13
12
120
0
110
110
mA
1
-10
10L
单位
E
1
mA
1
mA
CKE
≥
V
IH
（分钟）
I
CC2
N
CS *
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
=10ns
输入信号被改变
20
mA
-5-
韩光
HSD16M64B8A
同步DRAM模组128Mbyte （ 16Mx64位） ， SO -DIMM ，
4Banks ， 4K参考， 3.3V
产品型号HSD16M64B8A
概述
该HSD16M64B8A是16M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
八CMOS 4M ×8位与上一个144引脚的玻璃环氧树脂的TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM
基材。两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
HSD16M64B8是一个SO- DIMM （小型双重内嵌式内存模块） ，并适用于安装到144针的优势
连接器插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O交易
可能在每一个时钟周期。的工作频率，可编程延迟范围允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能的存储器系统的应用程序的所有模块，组件可以是
供电采用3.3V单电源直流电源和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD16M64B8A -F / 10L ： 100MHz的（CL = 3）的
HSD16M64B8A -F / 10：为100MHz （CL = 2）的
HSD16M64B8A -F / 12：为125MHz （CL = 3）的
HSD16M64B8A -F / 13： 133MHz的（CL = 3）的
F表示自动&自我更新，具有低功耗（ 3.3V ）
突发模式工作
自动&自我刷新能力（ 4096周期/ 64ms的）
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟（从地址栏访问）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 数据扰码（顺序&交错）
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所用设备为4M X 8位X 4Banks SDRAM
网址： www.hbe.co.kr
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韩光电器有限公司。
-1-
韩光
引脚功能说明
针
CLK
/ CE
名字
系统时钟
芯片使能
INPUTT功能
HSD16M64B8A
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQM
CKE
时钟使能
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE前应进行有效的命令启用1CLK + TSS 。
A0 ~ A11
地址
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA9
BA0 BA1
银行选择地址
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
/ RAS
行地址选通
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
/ CAS
列地址选通
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
/ WE
写使能
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院，我们开始积极的数据。
DQM0 7
数据输入/输出面膜
使得数据输出高阻，时钟和面具后输出tSHZ 。
块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
DQ0 63
VDD / VSS
数据输入/输出
电源/接地
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN，OUT
VCC
P
D
T
英镑
等级
-1V至4.6V
-1V至4.6V
8W
-55℃至150℃
短路输出电流
I
OS
200mA
注意事项：
如果"绝对最大Ratings"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应
仅限于在本数据表的业务部门的详细情况。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
网址： www.hbe.co.kr
REV 1.0 （ August.2002 ）
韩光电器有限公司。
-4-
韩光
HSD16M64B8A
直流工作条件
（推荐的操作条件（电压引用到VSS = 0V ， TA = 070 ℃））
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
符号
VCC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
典型值。
3.3
3.0
0
-
-
最大
3.6
Vcc+0.3
0.8
-
0.4
单位
V
V
V
V
V
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
输入漏电流
I
LI
-10
-
10
uA
注意事项：
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
（ VCC = 3.3V ， TA = 23 ° C，F = 1MHz时， VREF = 1.4V
±
200毫伏）
描述
时钟
/ RAS ， / CAS ， / WE ， / CS ， CKE ， DQM
地址
DQ （ DQ0 DQ7 ）
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
2.5
2.5
2.5
4.0
最大
4.0
5.0
5.0
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
DC特性
（推荐的工作条件，除非另有说明， TA = 070 ℃）下
VERSION
TEST
参数
符号
条件
突发长度= 1
工作电流
I
CC1
（一银行活动）
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
预充电待机电流
in
掉电模式
I
CC2
PS
I
CC2
P
CKE
≤
V
IL
（最大）
t
CC
=10ns
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大）
t
CC
=∞
预充电待机电流
in
非掉电模式
在20ns的一次
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韩光电器有限公司。
不
-
-12
13
12
120
0
110
110
mA
1
-10
10L
单位
E
1
mA
1
mA
CKE
≥
V
IH
（分钟）
I
CC2
N
CS *
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
=10ns
输入信号被改变
20
mA
-5-
韩光
HSD16M64B8A
同步DRAM模组128Mbyte （ 16Mx64位） ， SO -DIMM ，
4Banks ， 4K参考， 3.3V
产品型号HSD16M64B8A
概述
该HSD16M64B8A是16M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
八CMOS 4M ×8位与上一个144引脚的玻璃环氧树脂的TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM
基材。两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
HSD16M64B8是一个SO- DIMM （小型双重内嵌式内存模块） ，并适用于安装到144针的优势
连接器插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O交易
可能在每一个时钟周期。的工作频率，可编程延迟范围允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能的存储器系统的应用程序的所有模块，组件可以是
供电采用3.3V单电源直流电源和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD16M64B8A -F / 10L ： 100MHz的（CL = 3）的
HSD16M64B8A -F / 10：为100MHz （CL = 2）的
HSD16M64B8A -F / 12：为125MHz （CL = 3）的
HSD16M64B8A -F / 13： 133MHz的（CL = 3）的
F表示自动&自我更新，具有低功耗（ 3.3V ）
突发模式工作
自动&自我刷新能力（ 4096周期/ 64ms的）
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟（从地址栏访问）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 数据扰码（顺序&交错）
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所用设备为4M X 8位X 4Banks SDRAM
网址： www.hbe.co.kr
REV 1.0 （ August.2002 ）
韩光电器有限公司。
-1-
韩光
引脚功能说明
针
CLK
/ CE
名字
系统时钟
芯片使能
INPUTT功能
HSD16M64B8A
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQM
CKE
时钟使能
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE前应进行有效的命令启用1CLK + TSS 。
A0 ~ A11
地址
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA9
BA0 BA1
银行选择地址
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
/ RAS
行地址选通
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
/ CAS
列地址选通
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
/ WE
写使能
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院，我们开始积极的数据。
DQM0 7
数据输入/输出面膜
使得数据输出高阻，时钟和面具后输出tSHZ 。
块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
DQ0 63
VDD / VSS
数据输入/输出
电源/接地
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN，OUT
VCC
P
D
T
英镑
等级
-1V至4.6V
-1V至4.6V
8W
-55℃至150℃
短路输出电流
I
OS
200mA
注意事项：
如果"绝对最大Ratings"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应
仅限于在本数据表的业务部门的详细情况。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
网址： www.hbe.co.kr
REV 1.0 （ August.2002 ）
韩光电器有限公司。
-4-
韩光
HSD16M64B8A
直流工作条件
（推荐的操作条件（电压引用到VSS = 0V ， TA = 070 ℃））
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
符号
VCC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
典型值。
3.3
3.0
0
-
-
最大
3.6
Vcc+0.3
0.8
-
0.4
单位
V
V
V
V
V
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
输入漏电流
I
LI
-10
-
10
uA
注意事项：
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
（ VCC = 3.3V ， TA = 23 ° C，F = 1MHz时， VREF = 1.4V
±
200毫伏）
描述
时钟
/ RAS ， / CAS ， / WE ， / CS ， CKE ， DQM
地址
DQ （ DQ0 DQ7 ）
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
2.5
2.5
2.5
4.0
最大
4.0
5.0
5.0
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
DC特性
（推荐的工作条件，除非另有说明， TA = 070 ℃）下
VERSION
TEST
参数
符号
条件
突发长度= 1
工作电流
I
CC1
（一银行活动）
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
预充电待机电流
in
掉电模式
I
CC2
PS
I
CC2
P
CKE
≤
V
IL
（最大）
t
CC
=10ns
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大）
t
CC
=∞
预充电待机电流
in
非掉电模式
在20ns的一次
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韩光电器有限公司。
不
-
-12
13
12
120
0
110
110
mA
1
-10
10L
单位
E
1
mA
1
mA
CKE
≥
V
IH
（分钟）
I
CC2
N
CS *
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
=10ns
输入信号被改变
20
mA
-5-
韩光
HSD16M64B8A
同步DRAM模组128Mbyte （ 16Mx64位） ， SO -DIMM ，
4Banks ， 4K参考， 3.3V
产品型号HSD16M64B8A
概述
该HSD16M64B8A是16M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
八CMOS 4M ×8位与上一个144引脚的玻璃环氧树脂的TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM
基材。两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
HSD16M64B8是一个SO- DIMM （小型双重内嵌式内存模块） ，并适用于安装到144针的优势
连接器插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O交易
可能在每一个时钟周期。的工作频率，可编程延迟范围允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能的存储器系统的应用程序的所有模块，组件可以是
供电采用3.3V单电源直流电源和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD16M64B8A -F / 10L ： 100MHz的（CL = 3）的
HSD16M64B8A -F / 10：为100MHz （CL = 2）的
HSD16M64B8A -F / 12：为125MHz （CL = 3）的
HSD16M64B8A -F / 13： 133MHz的（CL = 3）的
F表示自动&自我更新，具有低功耗（ 3.3V ）
突发模式工作
自动&自我刷新能力（ 4096周期/ 64ms的）
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟（从地址栏访问）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 数据扰码（顺序&交错）
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所用设备为4M X 8位X 4Banks SDRAM
网址： www.hbe.co.kr
REV 1.0 （ August.2002 ）
韩光电器有限公司。
-1-
韩光
引脚功能说明
针
CLK
/ CE
名字
系统时钟
芯片使能
INPUTT功能
HSD16M64B8A
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQM
CKE
时钟使能
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE前应进行有效的命令启用1CLK + TSS 。
A0 ~ A11
地址
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA9
BA0 BA1
银行选择地址
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
/ RAS
行地址选通
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
/ CAS
列地址选通
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
/ WE
写使能
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院，我们开始积极的数据。
DQM0 7
数据输入/输出面膜
使得数据输出高阻，时钟和面具后输出tSHZ 。
块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
DQ0 63
VDD / VSS
数据输入/输出
电源/接地
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN，OUT
VCC
P
D
T
英镑
等级
-1V至4.6V
-1V至4.6V
8W
-55℃至150℃
短路输出电流
I
OS
200mA
注意事项：
如果"绝对最大Ratings"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应
仅限于在本数据表的业务部门的详细情况。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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REV 1.0 （ August.2002 ）
韩光电器有限公司。
-4-
韩光
HSD16M64B8A
直流工作条件
（推荐的操作条件（电压引用到VSS = 0V ， TA = 070 ℃））
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
符号
VCC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
典型值。
3.3
3.0
0
-
-
最大
3.6
Vcc+0.3
0.8
-
0.4
单位
V
V
V
V
V
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
输入漏电流
I
LI
-10
-
10
uA
注意事项：
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
（ VCC = 3.3V ， TA = 23 ° C，F = 1MHz时， VREF = 1.4V
±
200毫伏）
描述
时钟
/ RAS ， / CAS ， / WE ， / CS ， CKE ， DQM
地址
DQ （ DQ0 DQ7 ）
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
2.5
2.5
2.5
4.0
最大
4.0
5.0
5.0
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
DC特性
（推荐的工作条件，除非另有说明， TA = 070 ℃）下
VERSION
TEST
参数
符号
条件
突发长度= 1
工作电流
I
CC1
（一银行活动）
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
预充电待机电流
in
掉电模式
I
CC2
PS
I
CC2
P
CKE
≤
V
IL
（最大）
t
CC
=10ns
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大）
t
CC
=∞
预充电待机电流
in
非掉电模式
在20ns的一次
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不
-
-12
13
12
120
0
110
110
mA
1
-10
10L
单位
E
1
mA
1
mA
CKE
≥
V
IH
（分钟）
I
CC2
N
CS *
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
=10ns
输入信号被改变
20
mA
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