HMC986
v01.0212
砷化镓MMIC反光
SPDT开关， 0.1 - 50 GHz的
典型应用
该HMC986是理想的：
特点
宽带性能： 0.150千兆赫
低插入损耗1.9分贝40 GHz的
高隔离度：31分贝40 GHz的
开关速度快： 10纳秒
紧凑型芯尺寸： 0.98 X 0.75 X 0.1毫米
开关 - CHIP
宽带开关矩阵
高速数据基础设施
军事通讯科，雷达和ECM
日元测试和测量设备
干扰和电子战子系统
工作原理图
概述
该HMC986是一个宽带的GaAs pHEMT的MMIC
单刀双掷（ SPDT ）开关芯片。这个微小的
开关采用反射拓扑和控制
与0 / -3V至0 / -5V两个互补的输入。同
一个输入信号，在40千兆赫，则HMC986呈现20分贝
回波损耗31 dB的隔离，并且只有1.9 dB的插入
损失。的宽带性能的组合
快速开关速度使该开关非常适合测试
设备，交换矩阵和电子战
（EW）的应用程序。 RF性能是独立的
高电平的控制电压，并示出在两个-3V
和-5V的完整性。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25°C ，0 / -3V至-5V控制， 50欧姆系统
参数
插入损耗
频率
0.1 - 18 GHz的
18 - 40 GHz的
40 - 50 GHz的
0.1 - 18 GHz的
18 - 40 GHz的
40 - 50 GHz的
“在状态”
0.1 - 50 GHz的
0.1 - 2 GHz的
2 - 50 GHz的
0.1 - 2 GHz的
2 - 50 GHz的
0.1 - 2 GHz的
2 - 50 GHz的
0.1 - 50 GHz的
22
30
25
22
分钟。
典型值。
1.7
1.9
2.2
36
32
28
20
5
21
10
25
20
40
1
10
马克斯。
2.3
2.5
2.8
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
ns
ns
隔离
回波损耗
输入功率0.1 1dB压缩
输入功率1.0 1dB压缩
输入三阶截
（双音输入功率= 0 dBm的每一个音调， 1 MHz的色调分离）
开关特性
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司， 2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC986
v01.0212
砷化镓MMIC反光
SPDT开关， 0.1 - 50 GHz的
插入损耗-5V @
0
插入损耗@ -3V
0
插入损耗（dB ）
插入损耗（dB ）
-1
-1
-2
+25 C
+85 C
-55 C
-2
+25 C
+85 C
-55 C
-3
-3
-4
-4
-5
0
10
20
30
40
50
60
频率（GHz ）
-5
0
10
20
30
40
50
60
频率（GHz ）
隔离-5V @
0
RF1
RF2
隔离@ -3V
0
RF1
RF2
-15
隔离度（dB ）
-15
隔离度（dB ）
-30
-30
-45
-45
-60
-60
-75
0
10
20
30
40
50
60
频率（GHz ）
-75
0
10
20
30
40
50
60
频率（GHz ）
回波损耗-5V @
0
RFC
RF1
RF2
回波损耗@ -3V
0
RFC
RF1
RF2
回波损耗（分贝）
-20
回波损耗（分贝）
-10
-10
-20
-30
-30
-40
0
10
20
30
40
50
60
频率（GHz ）
-40
0
10
20
30
40
50
60
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司， 2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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开关 - CHIP
2
HMC986
v01.0212
砷化镓MMIC反光
SPDT开关， 0.1 - 50 GHz的
输入功率0.1 1dB压缩-5V @
25
输入功率0.1 1dB压缩@ -3V
25
压缩点（ dBm的）
开关 - CHIP
压缩点（ dBm的）
20
20
15
+25 C
+85 C
-55 C
15
+25 C
+85 C
-55 C
10
10
5
5
0
0
10
20
频率（GHz ）
30
40
0
0
10
20
频率（GHz ）
30
40
输入功率0.1 1dB压缩-5V @
（低频详细信息）
25
压缩点（ dBm的）
20
15
10
5
0
-5
0
0.1
1
频率（GHz ）
10
100
+25 C
+85 C
-55 C
输入功率0.1 1dB压缩@ -3V
（低频详细信息）
25
压缩点（ dBm的）
20
15
10
5
0
-5
0
0.1
1
频率（GHz ）
10
100
+25 C
+85 C
-55 C
输入功率1.0 1dB压缩-5V @
（低频详细信息）
30
压缩点（ dBm的）
25
20
15
10
5
0
0
0.1
1
频率（GHz ）
10
100
+25 C
+85 C
-55 C
输入功率1.0 1dB压缩@ -3V
（低频详细信息）
30
压缩点（ dBm的）
25
20
15
10
5
0
0
0.1
1
频率（GHz ）
10
100
+25 C
+85 C
-55 C
3
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HMC986
v01.0212
砷化镓MMIC反光
SPDT开关， 0.1 - 50 GHz的
输入三阶截点-5V @
50
输入三阶截点@ -3V
50
40
IP3 （ dBm的）
IP3 （ dBm的）
40
30
+25 C
+85 C
-55 C
30
+25 C
+85 C
-55 C
20
20
10
0
10
20
频率（GHz ）
30
40
10
0
10
20
频率（GHz ）
30
40
输入三阶截点-5V @
（低频详细信息）
50
输入三阶截点@ -3V
（低频详细信息）
50
40
IP3 （ dBm的）
40
IP3 （ dBm的）
30
+25 C
+85 C
-55 C
30
+25 C
+85 C
-55 C
20
20
10
0
0.1
1
频率（GHz ）
10
100
10
0
0.1
1
频率（GHz ）
10
100
绝对最大额定值
RF输入功率（ 0.1 - 0.5 GHz）的
RF输入功率（ 0.5 - 2 GHz的）
RF输入功率（ 2 - 50 GHz的）
控制电压范围（ V1 ， V2 ）
热开关功率级（ 0.1 - 0.5 GHz）的
热开关功率级（ 0.5 - 2 GHz的）
热开关功率级（ 2 - 50 GHz的）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免4.0毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+5 dBm的
+18 dBm的
+25 dBm的
+0.5 V至-5.5 V
+3 dBm的
+16 dBm的
+23 dBm的
150 °C
0.26 W
250 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
控制电压
状态
低
高
偏置条件
0至-0.2V @ 1 uA的典型。
-3V至-5V @ 10 uA的典型值。
静电敏感器件
观察处理注意事项
真值表
V1
高
低
V2
低
高
状态
RFC到RF1
RFC到RF2
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电话： 978-250-3343
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开关 - CHIP
4
HMC986
v01.0212
砷化镓MMIC反光
SPDT开关， 0.1 - 50 GHz的
外形绘图
开关 - CHIP
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[ MM ]
2. DIE厚度为0.004 “
3. BACKSIDE金属化：金
4.背面金属研磨
5.焊盘金属化：金
6.外型尺寸DIE ± 0.002 “
芯片封装信息
[1]
标准
WP- 13 （华夫包）
备用
[2]
芯片焊盘尺寸
盘数
2, 5, 8
1, 3, 4, 6, 7, 9, 10, 11, 12, 13
SIZE
.004” x .004”
.003” x .003”
[ 1 ]参考的在“封装信息”一节
赫梯网站，芯片封装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
5
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