HMC973LP3E
v00.0910
砷化镓MMIC压控
衰减器， 0.5 - 6.0 GHz的
特点
出色的线性度： +35 dBm的输入IP3
宽衰减范围： 26分贝
单正电压控制： 0 + 5V
吸收式拓扑结构
16引脚3x3mm的SMT封装： 9mm
8
衰减器 - 模拟 - SMT
典型应用
该HMC973LP3e是理想的：
点至点收音机
蜂窝/ 3G &的WiMAX / 4G基础设施
测试仪表
微波感应器
军事， ECM &雷达
工作原理图
概述
该HMC973LP3e是吸收电压变
衰减器（ VVA ），其工作在0.5至6 GHz
是理想的设计中模拟直流控制
信号，必须使用过，以控制RF信号电平
一个26分贝幅度范围。它具有分流型
衰减器由一个模拟电压， VCTRL控制。非
像其他砷化镓场效应管根据VVA年代HMC973LP3e
表现出的+35 dBm的输入IP3出色的线性度，
在整个IT部门的控制范围。在HMC973LP3e
是具有最佳的线性度的单向装置
性能达到当RF输入信号为
适用于RFIN封装引线。在HMC973LP3e
坐落在一座符合RoHS标准的3x3毫米QFN无铅
封装。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， 50欧姆系统， VDD = 5V +
参数
插入损耗
衰减范围
输入回波损耗
输出回波损耗
输入功率为1 dB压缩（任何衰减）
输入三阶截
（双音输入功率= + 5dBm的每个音）
电源电流（ IDD）
频率
0.5 - 4.0 GHz的
4.0 - 6.0 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
3.0 - 6.0 GHz的
0.5 - 6.0 GHz的
0.5 - 6.0 GHz的
0.5 - 6.0 GHz的
0.5 - 6.0 GHz的
0.5 - 6.0 GHz的
分钟。
典型值。
3.5
5.5
26
28
12
10
30
35
200
300
马克斯。
5
8
单位
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
A
8-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC973LP3E
v00.0910
砷化镓MMIC压控
衰减器， 0.5 - 6.0 GHz的
插入损耗与
频率随温度
0
衰减与频率超过VCTRL
0
8
衰减器 - 模拟 - SMT
8-2
插入损耗（dB ）
-10
-5
衰减（dB ）
-20
-10
+25 C
+85 C
-40 C
-30
0.0 V
1.0 V
1.6 V
2.0 V
2.6 V
3.4 V
-40
-15
0
1
2
3
4
5
6
7
频率（GHz ）
-50
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
衰减与
VCTRL过热@ 0.5 GHz的
0
-5
衰减（dB ）
衰减与
VCTRL过热@ 2 GHz的
0
-5
衰减（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
+25 C
+85 C
-40 C
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
1
2
VCTRL （ V）
3
4
5
+25 C
+85 C
-40 C
0
1
2
VCTRL （ V）
3
4
5
衰减与
VCTRL过热@ 4GHz的
0
-5
衰减（dB ）
衰减与
VCTRL过热@ 6 GHz的
0
-5
衰减（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
+25 C
+85 C
-40 C
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
1
2
VCTRL （ V）
3
4
5
+25 C
+85 C
-40 C
0
1
2
VCTRL （ V）
3
4
5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC973LP3E
v00.0910
砷化镓MMIC压控
衰减器， 0.5 - 6.0 GHz的
输入回波损耗超过VCTRL
0
8
衰减器 - 模拟 - SMT
输入回波损耗过温
（ VCTRL = 0）
0
+25 C
+85 C
-40 C
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
-10
-20
-20
-30
0.0 V
1.0 V
2.0 V
3.0 V
-30
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
-40
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
输出回波损耗过温
（ VCTRL = 0）
0
+25 C
+85 C
-40 C
输出回波损耗在VCTRL
0
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
-10
-20
-20
-30
0.0 V
1.0 V
2.0 V
3.0 V
-30
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
-40
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
输入IP3在VCTRL
60
输入IP3过温（ VCTRL = 0V）
60
50
50
IP3 （ dBm的）
30
0.0 V
1.0 V
1.6 V
2.0 V
2.6 V
3.4 V
IP3 （ dBm的）
40
40
30
+25 C
+85 C
-40 C
20
20
10
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
10
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
8-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC973LP3E
v00.0910
砷化镓MMIC压控
衰减器， 0.5 - 6.0 GHz的
电压& CURRENTS
VDD
VCTRL
5V @ 200 μA
0至+ 5V @ 100 μA
绝对最大额定值
RF输入功率
VDD
控制电压范围
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+29 dBm的
5.5V
-0.5至5.5V
150 °C
0.8W
80 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
8
衰减器 - 模拟 - SMT
8-4
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.铅和地面桨材料：铜合金。
3.铅和地面桨电镀：采用100％雾锡。
4.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
5.引线间距有容乃非累积。
6.垫毛刺长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米MAX 。
7.封装翘曲不得超过0.05毫米
8.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地。
9.按照HITTITE应用说明中建议的PCB
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC973LP3e
包主体材料
无铅封装
100 ％雾锡
MSL等级
MsL1
[2]
包装标志
[1]
H973
XXXX
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
[1] 4位数的批号XXXX
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC973LP3E
v00.0910
砷化镓MMIC压控
衰减器， 0.5 - 6.0 GHz的
8
衰减器 - 模拟 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 2, 4, 9, 11, 12
地面桨
功能
GND
描述
这些引脚，裸露焊盘接地必须
被连接到射频/直流接地。
接口示意图
3
RFOUT
该引脚的直流耦合，匹配50欧姆。
一个隔直电容是必需的，如果射频线的潜力
不等于0V。
5
VDD
电源电压
该引脚没有内部连接;然而，所有的数据
本文所示测量这些引脚连接到
射频/直流接地外部。
6, 8, 13 - 16
N / C
7
VCTRL
控制电压
10
RFIN
该引脚的直流耦合，匹配50欧姆。
一个隔直电容是必需的，如果射频线的潜力
不等于0V。该HMC973LP3e是一个单向的
器件来实现具有最佳的线性度性能
RF输入信号施加到RFIN封装引线。
应用电路
8-5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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QQ：2881677436 复制
