HMC935LP5E
v00.0211
180 °模拟移相器,
2 - 20 GHz的
特点
宽带: 2 - 20 GHz的
180°相移
低插入损耗: 4分贝
低相位误差: + 20 / -8度(典型值) 。
单正电压控制
32引脚5 ×5mm的QFN封装: 25平方毫米
典型应用
该hMC935LP5e是理想的:
EW接收机
军用雷达
测试设备
卫星通信
波束形成模块
工作原理图
概述
该hMC935LP5e是模拟移相器而
通过为0.5的模拟控制电压被控制
为+ 11V 。在hMC935LP5e连续提供
为0 180度的可变移相的2至
20千兆赫,具有非常一致的低插入损耗
对相移和频率。高精度
hMC935LP5e是单调相对于控制
电压和功能的一个典型的低相位误差
+ 20 / -8度。在hMC935LP5e坐落在一个
符合RoHS标准5 ×5mm的QFN无铅封装。
13
移相器 - 模拟 - SMT
电气连接特定的阳离子,
t
A
= +25 ° C, 50欧姆系统
参数
频带
移相范围
插入损耗
回波损耗(输入和输出)
控制电压范围
控制电流范围
输入IP3
输入功率@ -5 °移相插入( VCTL = 0.5V )
输入功率@ -3 °移相插入( VCTL = 3.0V )
相电压灵敏度
相位误差(峰值)
[1]
分钟。
2
典型值。
180
4
15
马克斯。
20
单位
GHz的
度
dB
dB
0.5
11
±1
30
15
20
20
+28 / -15
+20 / -8
10
0.07
V
ma
DBM
DBM
DBM
度/ V
度
度
兆赫
度/ ℃,
相位误差(平均)
[1]
调制带宽
插入相温度灵敏度
[1]多达180度的相移。
13 - 1
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持:电话: 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC935LP5E
v00.0211
180 °模拟移相器,
2 - 20 GHz的
插入损耗与频率
-2
-3
-4
插入损耗主场迎战VCTL , F = 11 GHz的
-2
-3
插入损耗(dB )
插入损耗(dB )
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
-12
1
0.5V
1V
3V
6V
9V
11V
-4
-5
-6
+ 25C
+ 85C
- 40C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
-7
-8
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
频率(GHz )
VCTL (VDC )
315
180
270
225
180
135
90
45
0
0
2 GHz的
11 GHz的
20 GHz的
170
160
150
140
130
120
110
100
1
+ 25C
+ 85C
- 40C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
VCTL (VDC )
频率(GHz )
相移与频率的关系
(相对于VCTL = 0.5V ) VCTL = 0.5 11V
270
相位误差与
频率, fmean = 11 GHz的
[1]
50
40
1V
2V
4V
6V
8V
10V
平均
归一化相移(度)
11V
相位误差(度)
225
180
30
20
10
0
-10
-20
2
135
90
1V
45
0
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率(GHz )
频率(GHz )
[1] 0至10V提供0 - 180度的相移范围
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
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应用支持:电话: 978-250-3343或apps@hittite.com
13 - 2
移相器 - 模拟 - SMT
相移主场迎战VCTL
归一化相移(度)
相移随频率@ VCTL = 6V
(相对于VCTL = 0.5V )
归一化相移(度)
13
HMC935LP5E
v00.0211
180 °模拟移相器,
2 - 20 GHz的
二次谐波主场迎战VCTL , F = 11 GHz的
60
50
输入IP3主场迎战VCTL , F = 11 GHz的
35
谐波电平( DBC)
30
40
输入IP3 ( dBm的)
30
25
20
10
- 10 dBm的
0 dBm的
+ 10 dBm的
20
- 5 dBm的
0 dBm的
+ 10 dBm的
+ 15 dBm的
13
移相器 - 模拟 - SMT
插入损耗(dB )
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
15
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
VCTL (VDC )
VCTL (VDC )
插入损耗与针@ 2 GHz的
-3
插入损耗与引脚@ 11 GHz的
-2
-5
插入损耗(dB )
-4
-3
-4
-6
0.5V
3V
6V
9V
11V
-2.5
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
-7
-5
0.5V
3V
6V
9V
11V
-8
-5
-6
-5
-2.5
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
输入功率(dBm )
输入功率(dBm )
插入损耗与引脚@ 20 GHz的
-4
-5
相移相对于针脚@ 2 GHz的
2
归一化相移(度)
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-5
0.5V
3V
6V
9V
11V
插入损耗(dB )
-6
-7
-8
-9
-10
-11
-12
-5
0.5V
3V
6V
9V
11V
-2.5
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
-2.5
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
输入功率(dBm )
输入功率(dBm )
13 - 3
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
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HMC935LP5E
v00.0211
180 °模拟移相器,
2 - 20 GHz的
相移相对于针脚@ 11 GHz的
2
相移相对于针脚@ 20 GHz的
2
归一化相移(度)
归一化相移(度)
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-5
0.5V
3V
6V
9V
11V
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-5
-2.5
0
2.5
0.5V
3V
6V
9V
11V
-2.5
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
输入功率(dBm )
输入功率(dBm )
0
0
-10
-10
-20
-20
-30
-40
0.5V
1V
3V
6V
9V
11V
-30
0.5V
1V
3V
6V
9V
11V
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
-40
-50
1
-50
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
频率(GHz )
频率(GHz )
绝对最大额定值
频率控制电压( Vfctl )
RF输入功率
储存温度
静电放电敏感度( HBM )
-0.5至+ 15V
26 dBm的
-65至+150°C
1B类
可靠性信息
结温保持
百万小时MTTF
额定结温
(T = 85 ° C和引脚= 10 dBm的)
热阻
(结点到地面桨)
工作温度
150 °C
87 °C
67 ° C / W
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
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13 - 4
移相器 - 模拟 - SMT
输入回波损耗与
频率, VCTL = 0.5 + 11V
输出回波损耗与
频率, VCTL = 0.5 + 11V
13
回波损耗(分贝)
回波损耗(分贝)
HMC935LP5E
v00.0211
180 °模拟移相器,
2 - 20 GHz的
外形绘图
13
移相器 - 模拟 - SMT
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为单位。
为0.15mm每边3尺寸不包括MOLDFLASH 。
为0.25mm每边4,尺寸不包括MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
6.列为潮湿敏感度等级( MSL) 1 。
包装信息
产品型号
hMC935LP5e
包主体材料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
100 %雾锡
MSL等级
MsL1
[2]
包装标志
[1]
h935
XXXX
[1] 4位数的批号XXXX
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
引脚说明
引脚数
1 - 4, 7 - 13,
15 - 18, 21 - 32
功能
N / C
描述
无需连接。这些引脚可以连接到射频/直流
地面,而不会影响性能。
地面:背面包已暴露的金属塞地
必须连接到地直通短路径。下过孔
该装置是必需的。
接口示意图
5, 20
GND
6
19
RFIN
RFOUT
该引脚交流耦合,匹配50欧姆。
该引脚交流耦合,匹配50欧姆。
14
VCTL
移相控制销。应用0.5之间的电压的
和11伏使传输相位发生变化。直流
等效电路是串联连接的二极管和电阻。
13 - 5
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