HMC925LC5
v01.0910
砷化镓MMIC I / Q上变频器
5.5 - 8.6 GHz的
特点
高转换增益: 16.5分贝
优秀的边带抑制: -30 dBc的
LO / RF抑制: 22 dBc的
高输出IP3 : +29 dBm的
32引脚5×5毫米表面贴装陶瓷封装: 25平方毫米
9
搅拌机 - I / Q混频器, IRMS &接收器 - SMT
典型应用
该Hmc925Lc5是理想的:
点至点和点对多点广播
军用雷达,电子战& ELINT
卫星通信
传感器
工作原理图
概述
该Hmc925Lc5是一款紧凑型的GaAs MMIC I / Q
变频器在合规SMT无铅ROHS
封装。该器件提供了一个小型的信号CON-
的16.5分贝版本增益边带30 dBc的
排斥反应。该Hmc925Lc5利用RF放大器
前面有一个I / Q混频器,其中所述LO驱动
通过一个驱动放大器。 IF1和IF2混频器的输入是
提供与外部90 °混合是需要
选择所需的边带。在I / Q混频器拓扑
减少了对无用的滤波
边带。该Hmc925Lc5是一个小得多的
替代混合风格单边带上变频器
组件,它省去了导线
通过允许使用的表面接装MAN-
ufacturing技术。
LO = 0 dBm时, VDD1 ,2,3 ,4 = + 5V, + IDD2 IDD3 + IDD4 = 130毫安LSB
[1][2]
, IDD1 = 114毫安
参数
频率范围, RF
频率范围, LO
频率范围,中频
转换增益
边带抑制
1 dB压缩(输出)
IP3 (输出)
LO / RF
拒绝
[3]
14
分钟。
典型值。
5.5 - 8.6
5 - 11.1
0-3
16.5
-30
21
29
22
114
130
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dBc的
DBM
DBM
dBc的
mA
mA
电气规格
[1][2]
,
T
A
= + 25 ° C, IF = 2000兆赫,
电源电流IDD1
电源电流IDD2 + IDD3 + IDD4
[2]
[1]除非另有说明高边LO进行的所有测量, IF = 2000 MHz和外部IF 90 °混合。
[ 2 ]调整-2之间VGG为0V ,实现IDD2 + IDD3 + IDD4 = 130 mA典型。
[2]的LO / RF排斥反应定义为在相对于所要求的RF输出信号电平的RF输出端口LO信号电平。
9-1
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
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应用支持:电话: 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC925LC5
v01.0910
砷化镓MMIC I / Q上变频器
5.5 - 8.6 GHz的
作为单边带上变频器与外部IF 90 °混合数据, IF = 2000 MHz的
转换增益, LSB与温度的关系
25
转换增益, LSB主场迎战LO驱动
25
9
搅拌机 - I / Q混频器, IRMS &接收器 - SMT
9-2
转换增益(dB )
转换增益(dB )
20
20
15
15
10
+25 C
+85 C
-40 C
10
5
5
0 dBm的
-3 dBm的
0
5
6
7
8
9
0
5
6
7
8
9
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
RF回波损耗随温度的变化
0
-5
LO回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗(分贝)
-10
回波损耗(分贝)
-10
-15
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-20
+25 C
+85 C
-40 C
-20
-25
-25
-30
5
6
7
8
9
-30
5
6
7
8
9
射频频率( GHz)的
频率(GHz )
IF回波损耗
[1]
0
边带抑制与温度的关系
0
边带抑制( DBC)
回波损耗(分贝)
-10
-10
+25 C
+85 C
-40 C
-20
-20
IF1
IF2
-30
-30
-40
-40
0
1
2
3
4
-50
5
6
7
8
9
频率(GHz )
射频频率( GHz)的
[1 ]数据没有采取外部IF 90 °混合
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
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v01.0910
砷化镓MMIC I / Q上变频器
5.5 - 8.6 GHz的
作为单边带上变频器与外部IF 90 °混合数据, IF = 2000 MHz的
9
搅拌机 - I / Q混频器, IRMS &接收器 - SMT
输入P1dB的, LSB与温度的关系
16
14
12
+25 C
+85 C
-40 C
输出P1dB为, LSB与温度的关系
24
22
P1dB的( DBM)
10
8
6
4
2
0
5
6
7
8
9
P1dB的( DBM)
20
18
+25 C
+85 C
-40 C
16
14
12
5
6
7
8
9
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
输入IP3 , LSB与温度的关系
30
25
输出IP3 , LSB与温度的关系
40
+25 C
+85 C
-40 C
35
20
IP3 ( dBm的)
IP3 ( dBm的)
+25 C
+85 C
-40 C
5
6
7
8
9
30
15
25
10
20
5
0
15
5
6
7
8
9
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
转换增益, LSB与控制电压
25
20
5 GHz的
6 GHz的
7 GHz的
8 GHz的
输入IP3 ,与LSB电压控制
30
5 GHz的
6 GHz的
7 GHz的
8 GHz的
转换增益(dB )
15
10
5
0
-5
-10
-2
-1.6
-1.2
-0.8
25
IP3 ( dBm的)
-0.4
0
20
15
10
-2
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
VCTRL ( V)
VCTRL ( V)
9-3
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
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v01.0910
砷化镓MMIC I / Q上变频器
5.5 - 8.6 GHz的
作为单边带上变频器与外部IF 90 °混合数据, IF = 2000 MHz的
LO / RF抑制, LSB
40
35
+25 C
+85 C
-40 C
隔离
0
9
搅拌机 - I / Q混频器, IRMS &接收器 - SMT
9-4
LO / RF抑制( DBC)
30
25
20
15
10
5
0
5
6
7
8
-5
隔离度(dB )
-10
-15
LO/IF1
LO/IF2
-20
9
5
6
7
8
9
频率(GHz )
频率(GHz )
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9
搅拌机 - I / Q混频器, IRMS &接收器 - SMT
转换增益, LSB与温度的关系
25
转换增益, LSB主场迎战LO驱动
25
0 dBm的
-3 dBm的
转换增益(dB )
15
转换增益(dB )
8
9
20
20
15
10
+25 C
+85 C
-40 C
10
5
5
0
5
6
7
0
5
6
7
8
9
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
边带抑制与温度的关系
0
输入P1dB的, LSB与温度的关系
16
14
12
+25 C
+85 C
-40 C
边带抑制( DBC)
-10
+25 C
+85 C
-40 C
P1dB的( DBM)
5
6
7
8
9
-20
10
8
6
4
2
-30
-40
-50
0
5
6
7
8
9
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
输出P1dB为, LSB与温度的关系
24
22
输入IP3 , LSB与温度的关系
30
+25 C
+85 C
-40 C
25
P1dB的( DBM)
20
20
18
+25 C
+85 C
-40 C
IP3 ( dBm的)
5
6
7
8
9
15
16
10
14
5
12
0
5
6
7
8
9
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
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