HMC920LP5E
v05.0911
有源偏置控制器
特点
单正电源电压( 5V至16.5V )
可调漏极电压3V至15V
可调漏极电流高达500mA
内部负电压发生器
有源偏置电流调节
稳定的偏置电流和温度
工艺变化和老龄化
短路保护(电源折返)
可调节过/欠流报警
可调节低VDD电压,报警
自动加电排序
使能输入有源偏置控制
触发-OUT输出为菊花链上电
和断电排序
13
DC电源管理 - SMT
典型应用
蜂窝基站
无线基础设备
微波无线电& VSAT
军事&空间
测试仪表
工作原理图
13 - 1
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC920LP5E
v05.0911
有源偏置控制器
概述
HMC920LP5E是一个有源偏置控制部,其生成经调节漏极电压并主动地调整栅
外部放大器的电压来实现恒定的偏置电流。它可以用于任何偏压增强和耗尽
在A级制度与漏极电压( VDRAIN )从3V到15V操作型放大器和漏极电流( IDRAIN )
高达500mA的电流,提供一个完整的解决方案,偏压。
HMC920LP5E实现了电源,温度和工艺变化优异的偏置稳定性,并消除了
需要校准程序,用来防止RF性能下降是由于这样的变化。
该HMC920LP5E装在符合RoHS标准的5×5毫米QFN无铅封装,带有裸焊盘
以改善热特性。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, VDD = VDD1 = VDD2 = 15V
参数
电源电压
符号
VDD
VDD = 5V
静态电流
国际直拨电话
VDD = 15V
负电压输出
振荡器频率
带隙基准
VDIG反馈
LDOCC反馈
使能输入阈值
alMtriG输入阈值
低VDD电压报警阈值
VDRAIN特点
漏电流调节范围
漏极电流变化的电源电压
漏电流变化过温
DRAIN调整范围
VDRAIN变化的电源电压
VDRAIN更改过温
VNEG特点
负电压输出
VNEG灌电流
VGATE特点
栅电流供应
VGATE低水平
VGATE高层
VDIG特点
调整范围
VDIG电流源
VDIG
IDIG
3.5
5
30
V
mA
IG
VG_Min
VG_MaX
-4
VNEG
VNEG+4.5
4
mA
V
V
VNEG
INEG
0
-2.5
60
V
mA
IDRAIN
ΔiDrainV
VDRAIN
ΔVDrain
VDRAIN设置为6V ,
IDRAIN设置为100mA ,
VDRAIN设置为6V ,
IDRAIN设置为100mA ,
3
0.05
0.008
0
0.05
0.03
15
500
mA
%/V
%/C
V
%/V
%/C
VNEG
FOSC
VBGC
VDIGFB
LDOFB
enthrs
alMtriG
VddCHK
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
1.4
3.8
1.4
1
EN = VDIG
EN = GND
EN = VDIG
EN = GND
条件
分钟。
5
35
20
35
20
-2.5
250
2
2.5
2
1
典型值。
马克斯。
16.5
单位
V
mA
mA
mA
mA
V
千赫
V
V
V
V
V
V
V
V
13
DC电源管理 - SMT
13 - 2
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HMC920LP5E
v05.0911
有源偏置控制器
IDRAIN调节准确度与Vdd的
[1][2]
110
+25C
+85C
-40C
VDRAIN线路调整过IDRAIN
6.2
漏极电压VDRAIN ( V)
Idrain=0mA
Idrain=100mA
Idrain=200mA
108
电流(mA )
6.1
106
6
104
5.9
102
5.8
100
7
8
9
10
11
12
13
14
15
5.7
6.5
7.5
8.5
9.5
10.5 11.5 12.5 13.5 14.5 15.5 16.5
电源电压( V)
13
DC电源管理 - SMT
6.1
漏极电压VDRAIN ( V)
6.06
电源电压( V)
VDRAIN线路调整过温
空载条件
VDIG线路调整过温
3.5
空载条件
数字电压VDIG ( V)
3.48
6.02
3.46
5.98
+25C
+85C
-40C
3.44
5.94
3.42
+25C
+85C
-40C
5.9
6.5
7.5
8.5
9.5
10.5 11.5 12.5 13.5 14.5 15.5 16.5
电源电压( V)
3.4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
电源电压( V)
VNEG线路调整过温
-2.4
负电压VNEG ( V)
空载条件
VDRAIN负载调整过的Vdd
6.2
漏极电压VDRAIN ( V)
-2.42
6.1
-2.44
6
-2.46
+25C
+85C
-40C
5.9
Vdd=+7.5V
Vdd=+10.0V
Vdd=+16.5V
-2.48
5.8
-2.5
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
5.7
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200 220
电源电压( V)
漏极负载电流(毫安)
[1] IDRAIN设为110毫安
[2] HMC594LC3B用作外部放大器
13 - 3
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v05.0911
有源偏置控制器
VDRAIN负载调整率过温
[1]
6.2
漏极电压VDRAIN ( V)
+25C
+85C
-40C
VDIG负载调整率过温
3.5
数字电压VDIG ( V)
6.1
3.48
6
3.46
5.9
3.44
5.8
3.42
+25C
+85C
-40C
5.7
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
400
3.4
0
5
10
15
20
25
30
35
漏极负载电流(毫安)
数字负载电流(毫安)
13
DC电源管理 - SMT
13 - 4
VNEG负载调整率过温
[2]
-2.3
负电压VNEG ( V)
VNEG负载调整率过温
[3]
-2.3
负电压VNEG ( V)
-2.4
-2.4
-2.5
-2.5
-2.6
+25C
+85C
-40C
-2.6
+25C
+85C
-40C
-2.7
0
5
10
15
20
25
-2.7
0
15
30
45
60
75
负灌电流(毫安)
负灌电流(毫安)
ENABLE波形
A
0V
B
禁用波形
A
0V
B
0V
0V
C
0V
0V
200 μS / DIV
A
B
使能引脚, 5 V / DIV
VDRAIN , 2 V / DIV
[2] VDD = 5V
[3]的Vdd - 16.5V
C
VGATE , 1 V /格
C
200 μS / DIV
A
B
使能引脚, 5 V / DIV
VDRAIN , 2 V / DIV
C
VGATE , 1 V /格
[1] VDD = 7.5V
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有源偏置控制器
VDRAIN负载瞬态
VDOCC负载瞬态
6V
A
6V
A
0mA
B
0mA
B
13
DC电源管理 - SMT
20美国/ DIV
A
B
VDRAIN , 500 mV /格
IDRAIN 100毫安/ DIV
A
B
20美国/ DIV
LDOCC , 200 mV /格
IDRAIN 100毫安/ DIV
VDIG负载瞬态
VNEG负载瞬态
-2.5V
A
3.5V
A
0mA
B
0mA
B
500美元/ DIV
A
B
VDIG , 50 mV /格
IDIG 20毫安/ DIV
A
B
1 ms /格
VNEG , 50 mV /格
INEG 5毫安/ DIV
上电波形
A
B
0V
0V
0V
C
D
掉电波形
A
B
0V
C
D
0V
0V
5 ms / div的
A
B
VDD , 5V / DIV
VDRAIN , 5V / DIV
C
D
VGATE , 1V / DIV
VNEG , 1V / DIV
A
B
VDD , 5V / DIV
VDRAIN , 5V / DIV
10毫秒/ DIV
C
D
VGATE , 1V / DIV
VNEG , 1V / DIV
13 - 5
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