HMC863
v00.1109
GaAs pHEMT MMIC ½ WATT
功放， 24 - 29.5 GHz的
特点
饱和输出功率： +28 dBm的@ 18 ％ PAE
高输出IP3 ： +39 dBm的
高增益： 27分贝
DC电源： 6V + @ 375毫安
50欧姆匹配输入/输出
模具尺寸： 2.41 X 0.95 X 0.1毫米
典型应用
该HMC863是理想的：
点至点收音机
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
点到多点收音机
- 甚小孔径终端
军事&空间
工作原理图
概述
该HMC863是一个三阶段的GaAs pHEMT的MMIC
1/2瓦功率的放大器，它的工作
24和29.5 GHz的。该HMC863提供27分贝
增益，和27 dBm的饱和输出功率的18％
PAE从+ 6V电源。该RF I / O是DC bloc-
糟透了，并匹配到50欧姆，便于集成
与多芯片模块（ MCM的） 。所有数据是用
经由0.025连接在一个50欧姆的测试夹具的芯片
毫米（ 1密耳）的长度0.31毫米直径的引线键合
（12密耳）。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = + 6V ，国际直拨电话= 375毫安
[1]
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取
总电源电流（ IDD ）
[1 ]调整VGG -2之间为0V ，实现电流IDD = 375毫安典型。
[ 2 ]测量目标为+ 6V @ 375毫安，噘/音= +16 dBm的
(ip3)
[2]
24
24
分钟。
典型值。
24 - 27
27
0.0375
17
15
27
28
37
375
23
22
马克斯。
分钟。
典型值。
27 - 29.5
25
0.05
11
11
26
27
38
375
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
3-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC863
v00.1109
GaAs pHEMT MMIC ½ WATT
功放， 24 - 29.5 GHz的
增益与温度
34
32
30
宽带增益&
回波损耗与频率的关系
30
20
响应（ dB）的
10
0
增益（dB ）
S21
S11
S22
28
26
24
22
+25C
+85C
-55C
3
24
25
26
27
28
29
30
-20
20
18
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
-30
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-55C
-5
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
-10
-10
-15
-15
-20
-20
+25C
+85C
-55C
-25
-25
-30
24
25
26
27
28
29
30
-30
24
25
26
27
28
29
30
频率（GHz ）
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
31
P1dB为与电源电压
31
29
29
P1dB的（ DBM）
27
P1dB的（ DBM）
27
25
+25C
+85C
-55C
25
6.0V
5.5V
5.0V
23
23
21
24
25
26
27
28
29
30
21
24
25
26
27
28
29
30
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
3-2
放大器 - 线性&力量 - 芯片
-10
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
HMC863
v00.1109
GaAs pHEMT MMIC ½ WATT
功放， 24 - 29.5 GHz的
PSAT与电源电压
31
PSAT与温度的关系
31
PSAT （ DBM）
27
PSAT （ DBM）
+25C
+85C
-55C
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
29
29
27
25
25
6.0V
5.5V
5.0V
23
23
21
24
25
26
27
28
29
30
21
24
25
26
27
28
29
30
频率（GHz ）
频率（GHz ）
P1dB为与电源电流（ IDD）
31
PSAT与电源电流（ IDD）
31
29
29
P1dB的（ DBM）
27
PSAT （ DBM）
350mA
375mA
400mA
27
25
25
350mA
375mA
400mA
23
23
21
24
25
26
27
28
29
30
21
24
25
26
27
28
29
30
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输出IP3主场迎战
温度，噘/音= +16 dBm的
46
输出IP3主场迎战
电源电流，噘/音= +16 dBm的
46
42
42
IP3 （ dBm的）
38
IP3 （ dBm的）
+25C
+85C
-55C
38
34
34
350mA
375mA
400mA
30
24
25
26
27
28
29
30
30
24
25
26
27
28
29
30
频率（GHz ）
频率（GHz ）
3-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC863
v00.1109
GaAs pHEMT MMIC ½ WATT
功放， 24 - 29.5 GHz的
输出IM3 @ VDD = 5V +
60
50
输出IP3主场迎战
电源电压，噘/音= +16 dBm的
46
42
40
IP3 （ dBm的）
38
IM3 （ DBC）
30
3
9
11
13
15
17
19
21
23
34
6.0V
5.5V
5.0V
10
30
23
24
25
26
27
28
29
30
0
频率（GHz ）
噘嘴/ TONE （ DBM）
输出IM3 @ VDD = + 5.5V
60
50
输出IM3 @ VDD = + 6V
60
50
40
40
30
20
24 GHz的
26 GHz的
28 GHz的
29 GHz的
30
20
24 GHz的
26 GHz的
28 GHz的
29 GHz的
10
10
0
9
11
13
15
17
19
21
23
0
9
11
13
15
17
19
21
23
噘嘴/ TONE （ DBM）
噘嘴/ TONE （ DBM）
输出功率，增益& PAE @ 27 GHz的
35
反向隔离与温度的关系
0
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
25
20
15
10
5
0
-16
-12
-8
-4
0
4
噘
收益
PAE
反向隔离度（dB ）
30
-10
+25C
+85C
-55C
-20
-30
-40
-50
-60
24
25
26
27
28
29
30
输入功率（dBm ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
3-4
放大器 - 线性&力量 - 芯片
20
24 GHz的
26 GHz的
28 GHz的
29 GHz的
IM3 （ DBC）
IM3 （ DBC）
HMC863
v00.1109
GaAs pHEMT MMIC ½ WATT
功放， 24 - 29.5 GHz的
获得&功率与
电源电压@ 27 GHz的
30
获得&功率与
电源电流@ 27 GHz的
30
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
29
增益（dB ）
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
29
增益（dB ）
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
28
28
27
27
26
26
25
350
360
370
380
390
400
25
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
IDD （MA ）
Vdd的（V）的
功耗
3
功耗（ W）
2.5
2
1.5
24 GHz的
25 GHz的
26 GHz的
27 GHz的
28 GHz的
1
-18
-15
-12
-9
-6
-3
0
3
6
输入功率（dBm ）
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免37.2毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+6.5V
+26 dBm的
150 °C
2.42w
26.9 ° C / W
-65 ℃150℃
-55至+85°C
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+5.0
+5.5
+6.0
IDD （MA ）
375
375
375
注：放大器将工作在显示全电压范围
上述VGG调整，以达到电流IDD = 375毫安在+ 5.5V
静电敏感器件
观察处理注意事项
3-5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC863
v00.1109
GaAs pHEMT MMIC ½ WATT
功放， 24 - 29.5 GHz的
典型应用
该HMC863是理想的：
点至点收音机
特点
饱和输出功率： +28 dBm的@ 18 ％ PAE
高输出IP3 ： +39 dBm的
高增益： 27分贝
DC电源： 6V + @ 375毫安
50欧姆匹配输入/输出
模具尺寸： 2.41 X 0.95 X 0.1毫米
3
线性&功率放大器 - CHIP
点到多点收音机
- 甚小孔径终端
军事&空间
工作原理图
概述
该HMC863是一个三阶段的GaAs pHEMT的MMIC
1/2瓦功率的放大器，它的工作
24和29.5 GHz的。该HMC863提供27分贝
增益，和27 dBm的饱和输出功率的18％
PAE从+ 6V电源。该RF I / O是DC bloc-
糟透了，并匹配到50欧姆，便于集成
与多芯片模块（ MCM的） 。所有数据是用
经由0.025连接在一个50欧姆的测试夹具的芯片
毫米（ 1密耳）的长度0.31毫米直径的引线键合
（12密耳）。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VDD = + 6V ，国际直拨电话= 375毫安
[1]
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取
总电源电流（ IDD ）
[1 ]调整VGG -2之间为0V ，实现电流IDD = 375毫安典型。
[ 2 ]测量目标为+ 6V @ 375毫安，噘/音= +16 dBm的
(IP3)
[2]
24
24
分钟。
典型值。
24 - 27
27
0.0375
17
15
27
28
37
375
23
22
马克斯。
分钟。
典型值。
27 - 29.5
25
0.05
11
11
26
27
38
375
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
3 - 142
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC863
v00.1109
GaAs pHEMT MMIC ½ WATT
功放， 24 - 29.5 GHz的
宽带增益&
回波损耗与频率的关系
30
20
增益与温度
34
32
30
响应（ dB）的
0
增益（dB ）
10
S21
S11
S22
28
26
24
22
+25C
+85C
-55C
3
24
25
26
27
28
29
30
-10
-20
20
18
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
-30
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-55C
-5
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
-10
-10
-15
-15
-20
-20
+25C
+85C
-55C
-25
-25
-30
24
25
26
27
28
29
30
-30
24
25
26
27
28
29
30
频率（GHz ）
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
31
P1dB为与电源电压
31
29
29
P1dB的（ DBM）
27
P1dB的（ DBM）
27
25
25
23
+25C
+85C
-55C
23
6.0V
5.5V
5.0V
21
24
25
26
27
28
29
30
21
24
25
26
27
28
29
30
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
3 - 143
线性&功率放大器 - CHIP
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
HMC863
v00.1109
GaAs pHEMT MMIC ½ WATT
功放， 24 - 29.5 GHz的
PSAT与温度的关系
31
PSAT与电源电压
31
29
29
PSAT （ DBM）
27
PSAT （ DBM）
+25C
+85C
-55C
3
线性&功率放大器 - CHIP
27
25
25
23
23
6.0V
5.5V
5.0V
21
24
25
26
27
28
29
30
21
24
25
26
27
28
29
30
频率（GHz ）
频率（GHz ）
P1dB为与电源电流（ IDD）
31
PSAT与电源电流（ IDD）
31
29
29
P1dB的（ DBM）
27
PSAT （ DBM）
350mA
375mA
400mA
27
25
25
23
23
350mA
375mA
400mA
21
24
25
26
27
28
29
30
21
24
25
26
27
28
29
30
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输出IP3主场迎战
温度，噘/音= +16 dBm的
46
输出IP3主场迎战
电源电流，噘/音= +16 dBm的
46
42
42
IP3 （ dBm的）
38
IP3 （ dBm的）
+25C
+85C
-55C
38
34
34
350mA
375mA
400mA
30
24
25
26
27
28
29
30
30
24
25
26
27
28
29
30
频率（GHz ）
频率（GHz ）
3 - 144
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC863
v00.1109
GaAs pHEMT MMIC ½ WATT
功放， 24 - 29.5 GHz的
输出IP3主场迎战
电源电压，噘/音= +16 dBm的
46
输出IM3 @ VDD = 5V +
60
50
42
40
IP3 （ dBm的）
38
IM3 （ DBC）
3
9
11
13
15
17
19
21
23
30
34
6.0V
5.5V
5.0V
20
10
30
23
24
25
26
27
28
29
30
0
频率（GHz ）
噘嘴/ TONE （ DBM）
输出IM3 @ VDD = + 5.5V
60
50
输出IM3 @ VDD = + 6V
60
50
40
40
30
20
24 GHz的
26 GHz的
28 GHz的
29 GHz的
30
20
24 GHz的
26 GHz的
28 GHz的
29 GHz的
10
10
0
9
11
13
15
17
19
21
23
0
9
11
13
15
17
19
21
23
噘嘴/ TONE （ DBM）
噘嘴/ TONE （ DBM）
输出功率，增益& PAE @ 27 GHz的
35
反向隔离与温度的关系
0
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
25
20
15
10
5
0
-16
-12
-8
-4
0
4
噘
收益
PAE
反向隔离度（dB ）
30
-10
+25C
+85C
-55C
-20
-30
-40
-50
-60
24
25
26
27
28
29
30
输入功率（dBm ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
3 - 145
线性&功率放大器 - CHIP
24 GHz的
26 GHz的
28 GHz的
29 GHz的
IM3 （ DBC）
IM3 （ DBC）
HMC863
v00.1109
GaAs pHEMT MMIC ½ WATT
功放， 24 - 29.5 GHz的
获得&功率与
电源电流@ 27 GHz的
30
获得&功率与
电源电压@ 27 GHz的
30
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
29
增益（dB ）
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
29
3
线性&功率放大器 - CHIP
增益（dB ）
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
28
28
27
27
26
26
25
350
360
370
380
390
400
25
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
IDD （MA ）
Vdd的（V）的
功耗
3
功耗（ W）
2.5
2
1.5
24 GHz的
25 GHz的
26 GHz的
27 GHz的
28 GHz的
1
-18
-15
-12
-9
-6
-3
0
3
6
输入功率（dBm ）
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免37.2毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+6.5V
+26 dBm的
150 °C
2.42W
26.9 ° C / W
-65 ℃150℃
-55至+85°C
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+5.0
+5.5
+6.0
IDD （MA ）
375
375
375
注：功率放大器ER将工作在显示全电压范围
上述VGG调整，以达到电流IDD = 375毫安在+ 5.5V
静电敏感器件
观察处理注意事项
3 - 146
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
QQ：2881677436 复制
