HMC801LP3E
v01.0610
15分贝的GaAs MMIC 1位数字
阳性对照衰减器， DC - 10 GHz的
特点
±0.4 dB的典型步骤错误
低插入损耗： 2分贝
高IP3 ： +53 dBm的
一根控制线
TTL / CMOS兼容的控制
+ 5V单电源
16引脚3×3毫米SMT封装： 9平方毫米
5
衰减器 - 数字 - SMT
典型应用
该HMC801LP3e非常适合这两款射频
而且如果应用程序：
测试设备和传感器
ISM ， MMDS ， WLAN ， WiMAX等无线宽带
微波无线电& VSAT
蜂窝基础设施
工作原理图
概述
该HMC801LP3e是一个宽带双向1位
砷化镓IC数字衰减器的低成本无铅河畔
面对贴装封装。这种单一的阳性对照线
数字衰减器采用片外交流接地电容
器附近直流操作，使其适合
各种各样的RF和IF应用。涵盖DC
到10GHz ，插入损耗小于2dB典型
和衰减精度优异的± 0.4分贝典型
CAL一步错误。衰减器还采用了高IIP3
的+53 dBm的。 1 TTL / CMOS控制输入用于
选择衰减状态，单Vdd的偏见
的+ 5V是必需的。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C，在VDD = 5V + & VCTL = 0 / + 5V
参数
插入损耗
衰减范围
回波损耗（ RF1 & RF2 ，这两个州）
衰减精度： （参考插入损耗）
输入功率0.1 1dB压缩
输入三阶截点
（双音输入功率= 0 dBm的每个音）
开关特性
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
DC - 10 GHz的
120
150
ns
ns
频率（GHz ）
DC - 4 GHz的
4 - 8 GHz的
8 - 10 GHz的
DC - 10 GHz的
DC - 6 GHz的
6 - 10 GHz的
DC - 8 GHz的
8 - 10 GHz的
DC - 0.4 GHz的
0.4 - 10 GHz的
DC - 0.4 GHz的
0.4 - 10 GHz的
分钟。
典型值。
1.0
2.0
2.5
15
18
14
± 0.4
± 0.5
20
30*
43
53
± 0.6
± 0.7
马克斯。
2.0
3.0
3.5
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
*对于频率大于0.4千兆赫， 0.1 dB压缩点大于30 dBm的绝对最大RF输入功率。
5-1
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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15分贝的GaAs MMIC 1位数字
阳性对照衰减器， DC - 10 GHz的
输入回波损耗
0
插入损耗
0
5
衰减器 - 数字 - SMT
5-2
插入损耗（dB ）
-1
回波损耗（分贝）
-10
插入损耗
15分贝
-2
+25 C
+85 C
-40 C
-20
-3
-4
-30
-5
0
2
4
6
8
10
12
频率（GHz ）
-40
0
2
4
6
8
10
12
频率（GHz ）
输出回波损耗
0
相对衰减
-9
归一化的衰减量（dB ）
12
-11
-13
-15
-17
-19
-21
回波损耗（分贝）
-10
-20
-30
插入损耗
15分贝
-40
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
0
2
4
6
8
10
12
频率（GHz ）
相对相位与频率的关系
50
40
相对相位（分贝）
30
误码与频率的关系
1.2
0.8
错误（分贝）
0.4
0
-0.4
-0.8
-1.2
20
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
0
2
4
6
8
10
12
频率（GHz ）
0
2
4
6
8
10
12
频率（GHz ）
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15分贝的GaAs MMIC 1位数字
阳性对照衰减器， DC - 10 GHz的
输入IP3与频率的关系
（低频详细信息）
70
5
衰减器 - 数字 - SMT
输入IP3与频率的关系
70
60
60
IP3 （ dBm的）
40
插入损耗
15分贝
IP3 （ dBm的）
50
50
插入损耗
15分贝
40
30
30
20
0
2
4
6
8
10
12
频率（GHz ）
20
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
频率（GHz ）
输入功率0.1 1dB压缩*
（低频详细信息）
40
P0.1dB输入功率（dBm ）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
频率（GHz ）
真值表
控制电压输入
V1
高
低
衰减状态
RF1 - RF2
参考插入损耗
15分贝
偏置电压电流&
VDD = + 5VDC ±10 ％
VDD
（ VDC）的
4.5
5.0
5.5
国际直拨电话（典型值）。
（MA ）
0.21
0.23
0.25
控制电压
状态
低
高
注： VDD = + 5V
偏置条件
0至+ 0.8V @ -1 μA （典型值） 。
2到+ 5V @ 30 μA （典型值） 。
*对于频率大于0.4千兆赫， 0.1 dB压缩点大于30 dBm的绝对最大RF输入功率。
5-3
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阳性对照衰减器， DC - 10 GHz的
绝对最大额定值
RF输入功率（ DC - 10 GHz的）
控制电压范围（V ）
偏置电压（VDD ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免12毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+30 dBm的
-1至VDD + 1V
+7伏
150 °C
0.783 W
83 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
5
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC801LP3e
包主体材料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
100 ％雾锡
MSL等级
MsL1
[1]
包装标志
[2]
H801
XXXX
[1]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[2] 4位数的批号XXXX
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5
衰减器 - 数字 - SMT
引脚说明
引脚数
1
功能
VDD
描述
电源电压。
这些管脚和露出地面桨
必须连接到射频/ DC接地。
这些引脚的直流耦合，匹配50欧姆。
隔直电容是必需的。
基于操作的最低频率选择价值。
外部电容接地是必需的。对于选择价值
操作的最低频率。将电容尽量靠近
以销越好。
该引脚没有内部连接;然而，所有的数据
本文所示测量这些引脚连接到
射频/直流接地外部。
接口示意图
2, 4, 9, 11
GND
3, 10
RF1 ， RF2
5, 8
ACG1 ， ACG2
6, 7, 12, 13,
15, 16
N / C
14
V1
见真值表和控制电压表。
应用电路
5-5
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