HMC795LP5E
v00.0409
硅锗宽带直接正交
调制器瓦特/ VGA , 50 - 2800兆赫
特点
高线性度OIP3 : + 22 dBm的
高输出功率: +10 dBm输出P1dB为
高载波抑制: 55 dBc的
高边带抑制: 53 dBc的
读/写串行端口接口( SPI )
SPI & 6位并行端口编程
32分贝增益控制
DC - 440 MHz的基带输入
32领先5 x 5毫米QFN封装: 25毫米
2
典型应用
该HMC795lP5e是理想的:
UMTS , GSM或CDMA基站
固定无线或WLL
ISM收发器, 900 & 2400兆赫
GMSK ,QPSK, QAM,单边带调制器
蜂窝/ 3G和WiMAX / 4G
微波IFS
10
调制 - 直接正交 - SMT
工作原理图
概述
该HMC795lP5e是一个可变增益,直接正交
调制器,非常适用于数字调制应用
50 - 2800兆赫,包括:蜂窝/ 3G ,宽带
无线接入和ISM电路。装在一个紧凑
5×5毫米( LP5 ) SMT QFN封装,调制器
提供了高集成水平,特别低的
载波馈通,以及一个低成本的替代多
复杂的双变换结构。
罗要求-9至+3 dBm的,并且可以驱动
在差分或单端模式。该
基带输入将支持从调制输入
DC - 440兆赫。
差分RF输出端口由一个6位的驱动
数字控制可变增益放大器以在名义上
提供了非常线性增益控制到32分贝0.5分贝
步骤。低载波抑制被维持在
在VGA的动态范围。增益控制接口
要么接受三线串行输入或6位并行
字。此外,增益控制可以被修改
通过SPI调整查找表来控制
获取步骤,以低至0.1分贝,具有降低的范围内,或
调整个别增益步长进行系统线性化。
电气规格
,请参见下页的测试条件
参数
RF频率
输出功率
输出P1dB为
输出IP3
载波馈通( UNCAL )
载波馈通( CAL)
边带抑制( UNCAL )
输出本底噪声在20 MHz偏移
RF回波损耗
LO回波损耗
-10
-10
8
13
23
-40
-55
43
分钟。
典型值。
1000
9.5
14
25
-45
-62
55
-158
-14
-15
-157
-10
-10
11
7
9
18
-42
-55
49
马克斯。
分钟。
典型值。
1950
9
11
22
-46
-62
53
-156
-12
-15
-155
-10
-10
11
4
9
17
-42
-52
45
马克斯。
分钟。
典型值。
2690
8
11
22
-46
-57
50
-154
-12
-12
-153
11
马克斯。
单位
兆赫
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBm / Hz计
dB
dB
10 - 1
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20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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调制器瓦特/ VGA , 50 - 2800兆赫
电气规格
(续)
参数
增益控制特性
增益控制范围
增益控制步骤
稳态误差(最大衰减)
增益步骤错误
RF输入特性
RF频率范围
RF回波损耗
射频带宽
LO输入特性
LO频率范围
LO回波损耗
LO驱动电平
基带输入
I / Q输入偏置电平
输入偏置电流
差分输入阻抗
带宽
直流电源要求
模拟电源电压
( VCCMiX , VCCBG , VCCRF , VCCdAC , VCClO )
数字电源电压( VDD3 )
IDD - 总电流消耗
掉电电流
所有的必须是平等的
4.5
3
106
5
3.3
127
5.5
3.5
145
1
V
V
mA
A
dC
输出功率典型值为± 0.5分贝。
1.2
1.3
90
5K||100pF
440
1.4
V
A
欧姆|| pF的
兆赫
需要1 nF的堵盖
-9
0
100
5600
-10
+3
兆赫
dB
DBM
需要外部匹配
在表中指定匹配
50
9
5
-15
10
2800
-10
15
兆赫
dB
%
可与SPI进行调整
-31.5
0.5
±0.5
±0.05
±1
±0.13
0
dB
dB
dB
dB
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
10
调制 - 直接正交 - SMT
10 - 2
测试条件:
除非另有说明,在以下的试验条件用于
参数
温度
VGA衰减
基带输入频率
基带输入的直流电压
基带输入交流电压
基带输入交流电压的测量OIP3
频率偏移的输出噪声测量
供应
LO输入功率
LO输入模式
边带和载波抑制
RF输出模式
(峰峰值差分I和Q )
(峰峰值差分I和Q )
条件
25 °C
0分贝
1兆赫
1.3V
1.4V
每个音290毫伏@ 1 & 1.5兆赫
20兆赫
模拟: + 5V ,数字: + 3.3V
0 dBm的
迪FF erential
未校准
迪FF erential
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硅锗宽带直接正交
调制器瓦特/ VGA , 50 - 2800兆赫
校准与未校准的测试结果
在未校准的载波抑制试验,被照顾,以确保从Vector中的I / Q信号路径
信号发生器(VSG )到被测器件(DUT )的装置是相同的。在“未标定”载波抑制地块分别为
在T测= -40°C , 25 ° C和+ 85 ℃。
在“校准”载波抑制数据绘制知识产权的手动调节后/在&的qP / qN的DC偏移
在25 ℃下,5V的Vcc, 0 dBm的LO输入功率电平,并且所述RF输出频率设置为测量的中频
范围内。在测试过程中随温度和频率调整设置保持不变。
10
调制 - 直接正交 - SMT
典型的性能特点, VCC + 5V , LO为0 dBm , 25 ℃,
输出功率,输出IP3 &边带
抑制与频率。在整个温度范围
[1]
40
输出功率(dBm ) ,输出IP3 ( dBm的)
输出IP3
30
0
-10
未校准&校准载体
穿心与频率。在整个温度范围
[1]
-40
未校准
-45
载波馈通( dBm的)
边带抑制( DBC)
-50
-55
-60
-65
-70
-75
-80
800
CALIBRATED
20
输出功率
-20
10
0
+25 C
+85 C
-40 C
-30
-40
边带抑制
-10
-50
+25 C
+85 C
-40 C
-20
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
频率(MHz)
-60
1200
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
频率(MHz)
输出功率&输出噪声@ 1 GHz的对比
VGA衰减过温
[1]
20
+25 C
+85 C
-40 C
-120
10
输出功率(dBm )
-130
输出噪声@ 20兆赫( dBm / Hz计)
载波馈通&边带
抑制@ 1 GHz的与VGA衰减
过温
[1]
-50
-55
载波馈通( dBm的)
-60
-65
-70
-75
-80
-85
-90
0
边带
抑制
-60
4
8
12
16
20
24
28
32
衰减(dB )
-55
-50
+25 C
+85 C
-40 C
-40
支架
穿心
输出功率
边带抑制( DBC)
-45
0
-140
-10
-150
-20
-160
-30
输出噪声
-170
-40
0
4
8
12
16
20
24
28
-180
32
衰减(dB )
[1 ]输出匹配到1 GHz
10 - 3
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硅锗宽带直接正交
调制器瓦特/ VGA , 50 - 2800兆赫
载波馈通&边带
抑制@ 1 GHz的与输入的基带
幅度过温
[1]
-40
支架
穿心
载波馈通( dBm的)
-45
-45
边带抑制( DBC)
输出噪声@ 20兆赫( dBm / Hz计)
输出功率&输出噪声
@ 1 GHz的与输入的基带的幅度
过温
[1]
20
+25 C
+85 C
-40 C
的OP1dB 14.3 dBm的
的OP1dB 14.1 dBm的
的OP1dB 14.0 dBm的
-150
输出功率
5
-145
15
输出功率(dBm )
-40
10
-50
-50
-55
边带
抑制
+25 C
+85 C
-40 C
-55
0
输出噪声
-155
-60
-60
-5
-65
-65
-10
0.1
1
2
3
-160
-70
0.1
-70
1
2
3
输入的基带振幅( Vp-p的差异)
10
调制 - 直接正交 - SMT
10 - 4
输入的基带振幅( Vp-p的差异)
输出功率,输出IP3 &边带
抑制与频率。在LO功率
[1]
40
输出功率(dBm ) ,输出IP3 ( dBm的)
输出IP3
0
30
-10
未校准&校准载体
穿心与频率。在LO功率
[1]
-40
-45
载波馈通( dBm的)
边带抑制( DBC)
-50
-55
-60
-65
-70
-75
-80
800
未校准
20
输出功率
-20
CALIBRATED
10
-30
0
-10
0 dBm的
+3 dBm的
为-9 dBm
-40
边带抑制
-50
0 dBm的
+3 dBm的
为-9 dBm
-20
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
-60
1200
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
频率(MHz)
频率(MHz)
输出功率,输出IP3 &边带支持部门
PRESSION与频率。在电源电压
[1]
40
输出功率(dBm ) ,输出IP3 ( dBm的)
输出IP3
30
-10
0
未校准&校准载波馈
通过与频率。在电源电压
[1]
-40
-45
载波馈通( dBm的)
边带抑制( DBC)
-50
-55
-60
-65
-70
-75
-80
800
未校准
20
输出功率
-20
CALIBRATED
10
-30
0
-10
4.5V
5.0V
5.5V
-40
边带抑制
-50
4.5 V
5.0 V
5.5 V
-20
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
-60
1200
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
频率(MHz)
频率(MHz)
[1 ]输出匹配到1 GHz
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硅锗宽带直接正交
调制器瓦特/ VGA , 50 - 2800兆赫
未校准&校准载体
穿心与频率。在整个温度范围
[1]
-40
未校准
-45
载波馈通( dBm的)
-10
边带抑制( DBC)
输出功率,输出IP3 &边带
抑制与频率。在整个温度范围
[1]
40
输出功率(dBm ) ,输出IP3 ( dBm的)
+25 C
+85 C
-40 C
0
输出IP3
30
-50
-55
-60
-65
-70
-75
-80
1800
CALIBRATED
+25 C
+85 C
-40 C
1850
1900
1950
2000
2050
2100
2150
2200
20
输出功率
10
-20
-30
0
边带抑制
-40
10
调制 - 直接正交 - SMT
-10
-50
-20
1800
1850
1900
1950
2000
2050
2100
2150
-60
2200
频率(MHz)
频率(MHz)
输出功率&输出噪声@ 1950 MHz的
与VGA衰减MHz的整个温度范围内
[1]
20
+25 C
+85 C
-40 C
-120
10
输出功率(dBm )
-130
载波馈通&边带
制止@ 1950年兆赫与VGA
衰减过温
[1]
-50
-55
+25 C
+85 C
-40 C
-40
支架
穿心
输出噪声@ 20MHz的( dBm / Hz计)
输出功率
载波馈通( dBm的)
边带抑制( DBC)
-60
-65
-70
-75
-80
-85
-90
0
-45
0
-140
-10
-150
-50
-20
-160
边带
抑制
-55
-30
输出噪声
-170
-40
0
4
8
12
16
20
24
28
-180
32
-60
4
8
12
16
20
24
28
32
衰减(dB )
衰减(dB )
输出功率&输出噪声
@ 1950 MHz的与输入的基带
幅度过温
[1]
20
15
输出功率(dBm )
10
5
0
-5
-10
-15
-20
0.1
-160
1
2
3
输入的基带振幅( Vp-p的差异)
-155
+25 C
+85 C
-40 C
的OP1dB 10.9 dBm的
的OP1dB 11.6 dBm的
的OP1dB 11.8 dBm的
-140
输出噪声@ 20兆赫( dBm / Hz计)
载波馈通&边带
制止@ 1950年MHz的输入与
基带振幅过温
[1]
-40
支架
穿心
载波馈通( dBm的)
-45
-35
边带抑制( DBC)
-30
-145
输出功率
-150
-50
-40
输出噪声
-55
边带
抑制
-45
-60
+25 C
+85 C
-40 C
1
2
3
-50
-65
-55
-70
0.1
-60
输入的基带振幅( Vp-p的差异)
[1 ]输出匹配到1950兆赫
10 - 5
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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