HMC786LP4E
v02.0909
的BiCMOS混频器W /综合
LO放大器, 700 - 1100兆赫
典型应用
该HMC786LP4e是理想的:
蜂窝/ 3G & LTE / WIMAX / 4G
特点
高输入IP3 : 40 dBm的
7.5分贝变频损耗@ 0 dBm的LO
优化的高边LO输入
可调电源电流
24引脚的4x4mm表面贴装封装:16毫米
2
8
调音台 - 下变频器 - SMT
基站&中继器
GSM , CDMA & OFDM
发送器和接收器
工作原理图
概述
该HMC786LP4e是一款高动态范围的被动
MMIC混频器集成LO放大器,在4×4
SMT QFN封装覆盖0.7 1.1千兆赫。优秀
+40 dBm的输入IP3性能下降转换
锡安是为3G & 4G的GSM / CDMA应用
在0 dBm的LO驱动器。与输入1分贝的COM
+25 dBm的PRESSION , RF端口将接受广泛的
范围内的输入信号电平。转换损耗为7.5
dB的典型。高达250 MHz的IF频率响应
将满足GSM / CDMA的发射或接收频率
计划。该HMC786LP4e针对高端优化
1.1 GHz的RF频段,是 - 0.7 LO频率规划
引脚对引脚与HMC686LP4e兼容
下变频器电气规格,
T
A
= + 25 ° C, LO = 0 dBm时, VCC = VCC1 , 2 , 3 = + 5V , G_Bias = + 2.5V *
参数
频率范围, RF
频率范围, LO
频率范围,中频
转换损耗
噪声系数( SSB )
IP3 (输入)
1 dB压缩(输入)
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
LO输入驱动电平(典型值)
电源电流( ICC总)
18
23
25
分钟。
典型值。
0.7 - 1.1
0.75 - 1.35
50 - 250
7.5
7.5
36
26
24
30
39
-6到+6
160
180
18
23
30
9.5
马克斯。
分钟。
典型值。
0.824 - 0.915
0.974 - 1.065
150
7.5
7.5
40
27
23
30
40
-6到+6
160
180
9.5
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
兆赫
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
mA
*除非另有说明高边LO & IF = 150 MHz的执行作为下变频器的所有测量。
8 - 322
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC786LP4E
v02.0909
的BiCMOS混频器W /综合
LO放大器, 700 - 1100兆赫
上变频电机电源规格,
T
A
= + 25 ° C, LO = 0 dBm时, VCC = VCC1 , 2 , 3 = + 5V , G_Bias = + 2.5V *
参数
频率范围, RF
频率范围, LO
频率范围,中频
转换损耗
IP3 (输入)
1 dB压缩(输入)
LO输入驱动电平(典型值)
电源电流( ICC总)
分钟。
典型值。
0.7 - 1.1
0.75 - 1.35
50 - 250
7.5
36
24
-6到+6
160
180
9.5
马克斯。
分钟。
典型值。
0.860 - 0.960
0.980 - 1.080
120
7.5
41
24
-6到+6
160
180
9.5
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
兆赫
dB
DBM
DBM
DBM
mA
8
调音台 - 下变频器 - SMT
8 - 323
*除非另有说明高边LO & IF = 120 MHz的执行作为上变频器的所有测量。
下变频器性能
转换增益与温度的关系
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0.6
转换增益与LO驱动
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0.6
-6 dBm的
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
+6 dBm的
转换增益(dB )
+25 C
+85 C
-40 C
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
转换增益(dB )
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
转换增益与电流Icc
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0.6
转换增益与G_Bias电压
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0.6
转换增益(dB )
160毫安
140毫安
120毫安
转换增益(dB )
2.0 V
2.5 V
3.0 V
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC786LP4E
v02.0909
的BiCMOS混频器W /综合
LO放大器, 700 - 1100兆赫
下变频器性能
转换增益VS. IF频率
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0.6
响应( dB)的
中频带宽(LO = 1.1千兆赫)
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
IF回波损耗
转换增益
8
调音台 - 下变频器 - SMT
转换增益(dB )
100兆赫
150兆赫
200兆赫
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
0.1
0.2
IF频率(GHz )
0.3
0.4
射频频率( GHz)的
输入IP3与温度
[1]
45
40
35
IP3(dBm)
30
25
20
15
0.6
输入IP3主场迎战LO驱动器
[1]
45
40
35
IP3(dBm)
30
25
20
15
0.6
-6 dBm的
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
+6 dBm的
+25 C
+85 C
-40 C
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
输入IP3与电流Icc
[1]
45
40
35
IP3(dBm)
30
25
20
15
0.6
输入IP3与G_Bias电压
[1]
45
40
35
IP3(dBm)
30
25
20
15
0.6
2.0 V
2.5 V
3.0 V
160毫安
140毫安
120毫安
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
8 - 324
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC786LP4E
v02.0909
的BiCMOS混频器W /综合
LO放大器, 700 - 1100兆赫
下变频器性能
输入IP3与IF频率
[1]
45
40
30
P1dB的( DBM)
35
IP3 ( dBm的)
30
25
20
15
0.6
15
0.6
100兆赫
150兆赫
200兆赫
输入P1dB为与温度的关系
35
8
+25 C
+85 C
-40 C
25
20
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
-2RF + 2LO响应与温度的关系
[2]
85
-2RF + 2LO响应( DBC)
+25 C
+85 C
-40 C
-2RF + 2LO响应主场迎战LO驱动
[2]
85
-2RF + 2LO响应( DBC)
80
75
70
65
60
55
50
0.6
-6 dBm的
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
+6 dBm的
80
75
70
65
60
55
50
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
-3RF + 3LO响应与温度的关系
[2]
100
-3RF + 3LO响应( DBC)
+25 C
+85 C
-40 C
-3RF + 3LO响应主场迎战LO驱动
[2]
100
-3RF + 3LO响应( DBC)
95
90
85
80
75
70
65
0.6
-6 dBm的
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
+6 dBm的
95
90
85
80
75
70
65
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
[1]双音输入功率= +9 dBm的每一个音调, 1 MHz的间距。
[2]参考RF输入功率为0dBm
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
8 - 325
调音台 - 下变频器 - SMT
HMC786LP4E
v02.0909
的BiCMOS混频器W /综合
LO放大器, 700 - 1100兆赫
回波损耗
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0.6
RF
LO
隔离
0
-10
隔离度(dB )
-20
-30
-40
-50
-60
0.6
射频/中频
LO / RF
LO / IF
8
调音台 - 下变频器 - SMT
回波损耗(分贝)
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
频率(GHz )
射频频率( GHz)的
上变频器性能
转换增益与温度的关系
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0.6
转换增益与LO驱动
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0.6
-6 dBm的
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
+6 dBm的
转换增益(dB )
+25 C
+85 C
-40 C
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
转换增益(dB )
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
转换增益与电流Icc
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0.6
转换增益VS. IF频率
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0.6
100兆赫
120兆赫
转换增益(dB )
160毫安
140毫安
120毫安
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
转换增益(dB )
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
射频频率( GHz)的
射频频率( GHz)的
8 - 326
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com