HMC758LP3 / 758LP3E
v00.1108
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
功放， 700 - 2200兆赫
特点
噪声系数： 1.7分贝
增益： 22分贝
输出IP3 ： +37 dBm的
单电源： + 3V至+ 5V
50欧姆匹配输入/输出
16引脚3×3毫米SMT封装： 9毫米
2
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HmC758lp3 （ E）是理想的：
蜂窝基础设施， WIMAX & LTE / 4G
软件定义的无线电
中继器和毫微微蜂窝基站
接入点
测试&测量设备
工作原理图
概述
该HmC758lp3 （ E）是GaAs PHEMT MMIC低
噪声放大器，非常适合蜂窝基础设施，
WIMAX & LTE / 4G基站前端接收器
在700和2200 MHz工作。该放大器
经过优化，提供1.7分贝噪声系数，
21分贝增益，从一个单一的+37 dBm的输出IP3
供给+ 5V 。输入和输出回波损耗
出色的用最少的外部匹配和偏置
去耦元件。该HmC758lp3 （ e）的
被偏置+ 3V至+ 5V和采用外部
可调电源电流，这允许设计者
以量身打造的低噪声放大器的线性度性能
每个应用程序。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， R1 = 390Ω ， R2 = 560Ω *
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
80
16
19
VDD = 3V +
分钟。
典型值。
700 - 1700
21.8
0.005
1.6
15
11
18
20
31
102
130
80
18
2.5
16
马克斯。
分钟。
典型值。
马克斯。
分钟。
典型值。
700 - 1700
20
22.7
0.004
1.8
1.7
14
10
20.5
22.5
23.5
36
130
190
227
260
190
22
2.6
18
VDD = 5V +
马克斯。
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
dB
分贝/°C的
2.0
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
260
mA
1700 - 2200
19.4
0.01
1.4
13
15
20
21.5
31.5
102
1700 - 2200
21.3
0.01
1.6
14
12
24
25
35
227
* R1 & R2电阻设置电流，请参阅应用电路这里
7-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC758LP3 / 758LP3E
v00.1108
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
功放， 700 - 2200兆赫
增益与温度，VDD = 5V +
25
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
10
S21
Vdd=5V
Vdd=3V
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-2
23
0
-5
-10
-15
-20
-25
0
增益（dB ）
5
21
+25C
+85C
-40C
19
17
S22
S11
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
15
0.5
0.9
1.3
1.7
频率（GHz ）
2.1
2.5
增益与温度，VDD = 3V +
25
输入回波损耗与
温度，VDD = 5V +
0
23
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
-40C
增益（dB ）
21
+25C
+85C
-40C
-10
19
17
-15
15
0.5
0.9
1.3
1.7
频率（GHz ）
2.1
2.5
-20
0.5
0.9
1.3
1.7
频率（GHz ）
2.1
2.5
输出回波损耗与
温度，VDD = 5V +
0
反向隔离与
温度，VDD = 5V +
0
-10
回波损耗（分贝）
-5
隔离度（dB ）
+25C
+85C
-40C
-20
-30
-40
-50
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-20
0.5
0.9
1.3
1.7
频率（GHz ）
2.1
2.5
-60
0.5
0.9
1.3
1.7
频率（GHz ）
2.1
2.5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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v00.1108
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
功放， 700 - 2200兆赫
输出IP3与温度的关系
45
Vdd=5V
7
放大器 - 低噪声 - SMT
噪声系数与温度
[1]
3
+85C
2.5
噪声系数（dB ）
2
1.5
+25C
Vdd=5V
Vdd=3V
40
IP3 （ dBm的）
-40C
35
30
+25C
+85C
-40C
1
0.5
0
0.5
0.9
1.3
1.7
频率（GHz ）
2.1
2.5
25
Vdd=3V
20
0.5
0.9
1.3
1.7
频率（GHz ）
2.1
2.5
输出IP3和供电电流 -
电源电压@ 900 MHz的
45
300
250
输出IP3和供电电流 -
电源电压@ 1900 MHz的
45
300
250
40
IP3
40
IP3
IP3 （ dBm的）
IP3 （ dBm的）
35
200
IDD （MA ）
35
200
IDD （MA ）
30
150
30
150
25
国际直拨电话
100
25
国际直拨电话
100
20
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
50
5.5
20
2.7
50
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
电源电压（ V）
5.1
5.5
输出IP3与输出功率@ 900 MHz的
40
输出IP3与输出功率@ 1900 MHz的
36
35
34
38
IP3 （ dBm的）
Vdd=3V
Vdd=5V
IP3 （ dBm的）
36
33
32
Vdd=3V
Vdd=5V
34
32
31
30
-10
30
-10
-5
0
输出功率（dBm ）
5
10
-5
0
输出功率（dBm ）
5
10
在评价PCB图中所示[ 1 ]测量基准面。
7-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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v00.1108
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
功放， 700 - 2200兆赫
功率压缩@ 900 MHz的
[2]
25
20
15
10
5
0
-5
-25
噘
收益
PAE
功率压缩@ 900 MHz的
[1]
25
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
15
10
5
0
-5
-20
噘
收益
PAE
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-4
-15
-10
-5
0
5
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
-20
-15
-10
-5
0
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
功率压缩@ 1900 MHz的
[1]
40
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
噘
收益
PAE
功率压缩@ 1900 MHz的
[2]
40
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
噘
收益
PAE
30
30
20
20
10
10
0
0
-10
-20
-15
-10
-5
0
输入功率（dBm ）
5
10
-10
-20
-15
-10
-5
0
输入功率（dBm ）
5
10
推荐的BIAS
电阻值碘缺乏病
Vdd的（V）的
3V
3V
3V
5V
5V
5V
R 1 （欧姆）
390
1k
3.3k
390
1k
3.3k
R 2 （欧姆）
560
1.5k
4.7k
560
1.5k
4.7k
IDD （MA ）
102
85
54
227
190
124
典型供电电流 -
的Vdd （R1 = 390Ω ，R2 = 560Ω ）
Vdd的（V）的
2.7
3
3.3
4.5
5
5.5
IDD （MA ）
80
102
122
200
227
255
绝对的最小/最大偏置电阻范围
最大
R 1 （欧姆）
3.9k
R 2 （欧姆）
5.6k
R 1 （欧姆）
270
民
R 2 （欧姆）
470
注：放大器将工作在上面显示全电压范围。
[1] VDD = 5V [ 2 ] VDD = 3V
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC758LP3 / 758LP3E
v00.1108
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
功放， 700 - 2200兆赫
7
放大器 - 低噪声 - SMT
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ）
（ VDD = + 5V ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免20 MW / ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
+6 V
+5 dBm的
150 °C
1.3 w
50 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地线和接地桨
必须焊接到PCB的RF接地。
7.参考赫梯应用笔记
建议土地格局。
包装信息
产品型号
HmC758lp3
HmC758lp3e
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
msl1
msl1
[1]
包装标志
[3]
758
XXXX
758
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
7-5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC758LP3 / 758LP3E
v00.1108
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
功放， 700 - 2200兆赫
特点
噪声系数： 1.7分贝
增益： 22分贝
输出IP3 ： +37 dBm的
单电源： + 3V至+ 5V
50欧姆匹配输入/输出
16引脚3×3毫米SMT封装： 9毫米
2
8
低噪声放大器 - SMT
典型应用
该HmC758lp3 （ E）是理想的：
蜂窝基础设施， WIMAX & LTE / 4G
软件定义的无线电
中继器和毫微微蜂窝基站
接入点
测试&测量设备
工作原理图
概述
该HmC758lp3 （ E）是GaAs PHEMT MMIC低
噪声放大器，非常适合蜂窝基础设施，
WIMAX & LTE / 4G基站前端接收器
在700和2200 MHz工作。该放大器
经过优化，提供1.7分贝噪声系数，
21分贝增益，从一个单一的+37 dBm的输出IP3
供给+ 5V 。输入和输出回波损耗
出色的用最少的外部匹配和偏置
去耦元件。该HmC758lp3 （ e）的
被偏置+ 3V至+ 5V和采用外部
可调电源电流，这允许设计者
以量身打造的低噪声放大器的线性度性能
每个应用程序。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， R1 = 390Ω ， R2 = 560Ω *
VDD = 3V +
参数
分钟。
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
80
16
19
典型值。
700 - 1700
21.8
0.005
1.6
15
11
18
20
31
102
130
80
18
2.5
16
马克斯。
分钟。
典型值。
马克斯。
分钟。
典型值。
700 - 1700
20
22.7
0.004
1.8
1.7
14
10
20.5
22.5
23.5
36
130
190
227
260
190
22
2.6
18
马克斯。
分钟。
典型值。
马克斯。
兆赫
dB
分贝/°C的
2.0
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
260
mA
1700 - 2200
19.4
0.01
1.4
13
15
20
21.5
31.5
102
1700 - 2200
21.3
0.01
1.6
14
12
24
25
35
227
VDD = 5V +
单位
* R1 & R2电阻设置电流，请参阅应用电路这里
8 - 342
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC758LP3 / 758LP3E
v00.1108
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
功放， 700 - 2200兆赫
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
10
Vdd=5V
Vdd=3V
增益与温度，VDD = 5V +
25
8
低噪声放大器 - SMT
8 - 343
23
增益（dB ）
5
0
-5
-10
-15
-20
S11
S22
S21
21
+25C
+85C
-40C
19
17
-25
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
15
0.5
0.9
1.3
1.7
频率（GHz ）
2.1
2.5
增益与温度，VDD = 3V +
25
输入回波损耗与
温度，VDD = 5V +
0
23
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
-40C
增益（dB ）
21
+25C
+85C
-40C
-10
19
-15
17
15
0.5
0.9
1.3
1.7
频率（GHz ）
2.1
2.5
-20
0.5
0.9
1.3
1.7
频率（GHz ）
2.1
2.5
输出回波损耗与
温度，VDD = 5V +
0
反向隔离与
温度，VDD = 5V +
0
-10
回波损耗（分贝）
-5
隔离度（dB ）
+25C
+85C
-40C
-20
-30
-40
-50
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-20
0.5
0.9
1.3
1.7
频率（GHz ）
2.1
2.5
-60
0.5
0.9
1.3
1.7
频率（GHz ）
2.1
2.5
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC758LP3 / 758LP3E
v00.1108
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
功放， 700 - 2200兆赫
8
低噪声放大器 - SMT
噪声系数与温度
[1]
3
+85C
输出IP3与温度的关系
45
Vdd=5V
2.5
噪声系数（dB ）
2
Vdd=5V
Vdd=3V
40
IP3 （ dBm的）
-40C
35
1.5
+25C
30
+25C
+85C
-40C
1
0.5
0
0.5
25
Vdd=3V
0.9
1.3
1.7
频率（GHz ）
2.1
2.5
20
0.5
0.9
1.3
1.7
频率（GHz ）
2.1
2.5
输出IP3和供电电流 -
电源电压@ 900 MHz的
45
300
输出IP3和供电电流 -
电源电压@ 1900 MHz的
45
300
40
IP3
250
40
IP3
250
IP3 （ dBm的）
IP3 （ dBm的）
35
200
IDD （MA ）
35
200
IDD （MA ）
30
150
30
150
25
国际直拨电话
100
25
国际直拨电话
100
20
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
50
5.5
20
2.7
50
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
电源电压（ V）
5.1
5.5
输出IP3与输出功率@ 900 MHz的
40
输出IP3与输出功率@ 1900 MHz的
36
35
34
38
IP3 （ dBm的）
36
Vdd=3V
Vdd=5V
IP3 （ dBm的）
33
32
Vdd=3V
Vdd=5V
34
32
31
30
-10
30
-10
-5
0
输出功率（dBm ）
5
10
-5
0
输出功率（dBm ）
5
10
在评价PCB图中所示[ 1 ]测量基准面。
8 - 344
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC758LP3 / 758LP3E
v00.1108
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
功放， 700 - 2200兆赫
功率压缩@ 900 MHz的
[1]
25
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
15
10
5
0
-5
-20
噘
收益
PAE
功率压缩@ 900 MHz的
[2]
25
20
15
10
5
0
-5
-25
噘
收益
PAE
8
低噪声放大器 - SMT
8 - 345
-15
-10
-5
0
5
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
-20
-15
-10
-5
0
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
功率压缩@ 1900 MHz的
[1]
40
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
噘
收益
PAE
功率压缩@ 1900 MHz的
[2]
40
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
噘
收益
PAE
30
30
20
20
10
10
0
0
-10
-20
-15
-10
-5
0
输入功率（dBm ）
5
10
-10
-20
-15
-10
-5
0
输入功率（dBm ）
5
10
推荐的BIAS
电阻值碘缺乏病
Vdd的（V）的
3V
3V
3V
5V
5V
5V
R 1 （欧姆）
390
1k
3.3k
390
1k
3.3k
R 2 （欧姆）
560
1.5k
4.7k
560
1.5k
4.7k
IDD （MA ）
102
85
54
227
190
124
典型供电电流 -
的Vdd （R1 = 390Ω ，R2 = 560Ω ）
Vdd的（V）的
2.7
3
3.3
4.5
5
5.5
IDD （MA ）
80
102
122
200
227
255
绝对的最小/最大偏置电阻范围
最大
R 1 （欧姆）
3.9k
R 2 （欧姆）
5.6k
R 1 （欧姆）
270
民
R 2 （欧姆）
470
注：功率放大器ER将工作在上面显示全电压范围。
[1] VDD = 5V [ 2 ] VDD = 3V
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC758LP3 / 758LP3E
v00.1108
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
功放， 700 - 2200兆赫
8
低噪声放大器 - SMT
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ）
（ VDD = + 5V ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免20 MW / ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
+6 V
+5 dBm的
150 °C
1.3 W
50 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地线和接地桨
必须焊接到PCB的RF接地。
7.参考赫梯应用笔记
建议土地格局。
包装信息
产品型号
HMC758LP3
HMC758LP3E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
758
XXXX
758
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
8 - 346
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