HMC742HFLP5E
v00.0211t
设计者工具包
可用的
0.5分贝LSB的GaAs MMIC 6位数字
可变增益放大器， 0.5 - 4 GHz的
特点
-19 12.5 dB增益控制0.5分贝步
电状态的选择
高输出IP3 ： +39 dBm的
TTL / CMOS兼容
串行，并行或并行锁存控制
±0.25 dB的典型增益步骤错误
+ 5V单电源
32引脚的5x5mm表面贴装封装： 25毫米
2
典型应用
该HMC742HFLP5E是理想的：
蜂窝/ 3G基础设施
的WiBro / WiMAX的/ 4G
微波无线电& VSAT
测试设备和传感器
如果&射频应用
12
可变增益放大器 - 数字 - SMT
工作原理图
概述
该HMC742HFLP5E是一个数字控制可变
增益放大器，它工作在0.5 GHz到4
千兆赫，并且可以被编程为从-19提供
dB的衰减， 12.5分贝的增益， 0.5分贝步。
该HMC742HFLP5E提供了4分贝噪声系数
在其最大增益状态，以达到输出IP3
+39 dBm的任何状态。双模式的增益控制
接口接收或者三线串行输入或6
位并行字。该HMC742HFLP5E还设有一个
用户可选择电状态和一个串行输出
级联其它串行控制赫梯组件。
该HMC742HFLP5E装在符合RoHS标准
5×5毫米QFN无铅封装，且只需最少
的外部元件。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， 50欧姆的系统VDD = 5V + ， VS = + 5V
参数
频带
增益（最大增益状态）
增益控制范围
输入回波损耗
输出回波损耗
增益精度： （参考最大增益状态）
所有增益状态
输出功率为1 dB压缩
输出三阶截点
（双音输出功率= 12 DBM每个音）
噪声系数（最大增益状态）
开关特性
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
130
吨，吨OFF （锁存使能至10 /90％ RF）
电源电流（放大器）
电源电流（控制器） IDD
分钟。
典型值。
500 - 2700
12.5
31.5
14
10
马克斯。
分钟。
典型值。
2700-4000
9
31.5
12
12
马克斯。
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
± （相对增益设置为0.3 + 4 ％ ）最大
21
39
4
30
60
150
0.12
175
0.25
130
22
38
4.5
30
60
150
0.12
175
0.25
dB
DBM
DBM
dB
ns
ns
mA
mA
12 - 1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC742HFLP5E
v00.0211
0.5分贝LSB的GaAs MMIC 6位数字
可变增益放大器， 0.5 - 4 GHz的
最大增益与频率
16
相对增益设置
（仅供参考，以最大增益状态）
0
相对增益（分贝）
12
增益（dB ）
-10
8dB
8
+25 C
+85 C
-40 C
-20
31.5dB
-30
16dB
4
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率（GHz ）
-40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率（GHz ）
12
可变增益放大器 - 数字 - SMT
12 - 2
输入回波损耗
0
0dB
回波损耗（分贝）
输出回波损耗
0
回波损耗（分贝）
-10
-10
-20
-20
-30
-30
-40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率（GHz ）
-40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率（GHz ）
误码与频率的关系
4
3
错误（分贝）
误码主场迎战衰减状态
1.5
1
错误（分贝）
0.5
0
-0.5
2.0 GHz的
3.0 GHz的
-1
-1.5
0.7 GHz的
4.0 GHz的
2
31.5dB
1
0
-1
-2
16dB
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
4
8
12
16
20
24
28
32
频率（GHz ）
衰减状态（分贝）
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
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HMC742HFLP5E
v00.0211
0.5分贝LSB的GaAs MMIC 6位数字
可变增益放大器， 0.5 - 4 GHz的
相对相位与频率的关系
（仅供参考，以最大增益状态）
40
30
相对相位（ DEG）
20
8dB
10
0
-10
-20
-30
31.5dB
16dB
步骤衰减与衰减状态
1.5
0.7 GHz的
2.0 GHz的
3.0 GHz的
4.0 GHz的
步衰减（ dB）的
4.5
1
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-0.5
0
4
8
12
16
20
24
28
32
衰减状态（分贝）
12
可变增益放大器 - 数字 - SMT
8
噪声系数（dB ）
6
频率（GHz ）
噪声系数与频率的关系
[1]
输出P1dB为与温度的关系
28
23
P1dB的（ DBM）
4
18
+25 C
+85 C
-40 C
2
+25 C
+85 C
-40 C
13
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率（GHz ）
8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率（GHz ）
PSAT与温度的关系
28
输出IP3与温度的关系
50
45
23
PSAT （ DBM）
40
IP3 （ dBm的）
+25 C
+85 C
-40 C
18
35
30
25
20
13
+25 C
+85 C
-40 C
8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率（GHz ）
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率（GHz ）
[1 ]最大增益状态
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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12 - 3
HMC742HFLP5E
v00.0211
0.5分贝LSB的GaAs MMIC 6位数字
可变增益放大器， 0.5 - 4 GHz的
串行控制接口
该HMC742HFLP5E包含3线SPI兼容数字接口（ SERIN ， CLK ， LE ） 。串行控制interrface
当P / S被保持为高时被激活。 6位串行字必须先加载MSB 。正边沿触发CLK
和LE需要清洁的转变。如果机械开关的使用，足以去抖动应提供。当
LE是高时，在串行输入寄存器的6位数据被传输到衰减器。当LE是高CLK被屏蔽，以
防止在输出负载的数据转换。
当P / S低， 3线SPI接口输入（ SERIN ， CLK ， LE ）被禁用，输入寄存器装入
并行数字输入（ D0 - D5 ） 。 LE为高电平时，第6位并行数据转换每真值表的一部分的状态。
对于操作的所有模式中， DVGA国家将保持不变，而LE保持在较低水平。
12
可变增益放大器 - 数字 - SMT
12 - 4
参数
分钟。串行周期T
SCK
控制设置时间，T
CS
控制保持时间，叔
CH
LE建立时间，T
LN
分钟。 LE脉冲宽度，T
LEW
乐敏脉冲间隔，T
LES
串行时钟保持时间从LE ，T
CKN
保持时间t
pH值。
锁存使能最小宽度，T
LEN
设置时间t
PS
典型值。
100纳秒
20纳秒
20纳秒
10纳秒
10纳秒
630纳秒
10纳秒
NS 0
10纳秒
2纳秒
时序图
（锁存并行模式）
并行模式
（直接并联方式&锁存并行模式）
注意：
当P / S被设定为低的并行模式被使能。
直接并联方式
- 衰减状态由直接控制电压输入端D0 - D5改变。在LE （锁存
启用）必须处于逻辑高在所有时间来控制以这种方式衰减。
锁存并行模式
- 选择衰减状态，通过控制电压输入端D0 - D5和设置，而
LE处于低状态。衰减器是不会改变的状态，而LE为低。一旦所有的控制电压输入时，
理想状态的LE是脉冲。看到上面的时序图，以供参考。
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HMC742HFLP5E
v00.0211
0.5分贝LSB的GaAs MMIC 6位数字
可变增益放大器， 0.5 - 4 GHz的
上电状态
如果LE设置为逻辑低电平上电时，逻辑状态
PUP1和PUP2决定了加电状态
每PUP真值表的一部分。如果LE设置为逻辑高电平
在上电时， D0 D5的逻辑状态确定的
每真值表的部分电状态。该DVGA
锁定在所需电状态约
上电后200毫秒。
PUP真值表
LE
0
0
0
0
1
PUP1
0
1
0
1
X
PUP2
0
0
1
1
X
获得相对最大
收益
-31.5
-24
-16
插入损耗
0至-31.5分贝
上电序列
12
可变增益放大器 - 数字 - SMT
理想的上电顺序为： GND ，VDD数字
输入， RF输入接口。数字的相对顺序
输入不是重要的，只要它们是电动
VDD / GND后
注意： D0的逻辑状态 - D5确定
下面，当LE显示每真值表电状态
高在上电时。
绝对最大额定值
RF输入功率在最大增益
[1]
数字输入（ LE ， SERIN ， CLK ， P / S ，
DO- D5 ， PUP1 ， PUP2 ）
控制器的偏置电压（VDD ）
放大器的偏置电压（VCC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85
°C)
（减免13.3毫瓦/ ° C以上85
°C)
[2]
热阻
[3]
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
17.5 dBm的（T = 85
°C)
-0.5 VDD + 0.5V
5.6V
5.5V
175 °C
1.2 W
75.6
° C / W
-65到+150
°C
-40至+85
°C
1A级
真值表
控制电压输入
D5
高
高
高
高
高
高
低
低
D4
高
高
高
高
高
低
高
低
D3
高
高
高
高
低
高
高
低
D2
高
高
高
低
高
高
高
低
D1
高
高
低
高
高
高
高
低
D0
高
低
高
高
高
高
高
低
收益
相对于
最大
收益
0分贝
-0.5分贝
1分贝
-2分贝
-4分贝
-8分贝
-16分贝
-31.5分贝
[1 ]的最大RF输入功率的增加相同的量
增益减小。在任何状态下的最大输入功率不
超过28 dBm的。
[2] ，该值不包括在所述RF功率耗散
衰减器。在衰减器的损耗取决于状态
衰减器。在衰减器的损耗应该包括以
确定在该部分的总功耗。
[3 ]该值不包括在所述RF功率耗散
衰减器。在的不同状态的热阻
衰减器可以基于音符来确定[2]
在上述状态中的任何组合将提供在减少
增益近似等于所选择的比特的总和。
控制电压表
状态
低
高
VDD = 3V +
0 0.5V @ <1 μA
2 3V @ <1 μA
VDD = 5V +
0 0.8V @ <1 μA
2 5V @ <1 μA
偏压
Vdd的（V）的
+5.0
VS （ V）
+5.0
国际直拨电话（典型值） （ MA）
0.12
是（毫安）
150
静电敏感器件
观察处理注意事项
12 - 5
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