HMC719LP4 / 719LP4E
v04.0610
的GaAs PHEMT MMIC高IP3
低噪声放大器， 1.3 - 2.9 GHz的
特点
噪声系数： 1.0分贝
增益： 34分贝
输出IP3 ： +39 dBm的
单电源： + 3V至+ 5V
50欧姆匹配输入/输出
24引脚4×4毫米表面贴装封装： 16毫米
2
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HmC719lp4 （ E）是理想的：
蜂窝/ 3G和LTE / WIMAX / 4G
&的BT基础设施
中继器和毫微微蜂窝基站
接入点
测试设备&军事
工作原理图
概述
该HmC719lp4 （ E）是GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器，非常适合蜂窝/ 3G和
LTE / WIMAX / 4G基站前端接收器
1.3和2.9 GHz的运行。该放大器
经过优化，提供1.0分贝噪声系数，
34分贝增益，从一个单一的+39 dBm的输出IP3
供给+ 5V 。输入和输出回波损耗
匠心独运的LNA仅需最少的外部
匹配和偏置去耦元件。该
HmC719lp4 （五）共享相同的封装和引脚
与HmC718lp3 （ E） 600 - 1400兆赫低噪声放大器。该
HmC719lp4 （ E）可以与+ 3V的偏置为+ 5V和
拥有一个外部可调电源电流
这允许设计人员量身打造的线性度
在LNA的每个应用程序的性能。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， Rbias两端= 1.5K欧姆*
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
总电源电流（ IDD ）
12.5
27
VDD = 3V +
分钟。
典型值。
1.3 - 2.2
32
0.02
1.0
16
10.5
15.5
18
32
187
220
12.5
1.3
22
马克斯。
分钟。
典型值。
2.2 - 2.9
26.5
0.02
1.3
13.5
9.5
15.5
18.5
31
187
220
18
1.6
29
马克斯。
分钟。
典型值。
1.3 - 2.2
35
0.02
0.95
17.5
13.5
21.5
23
39
272
315
18
1.2
24
VDD = 5V +
马克斯。
分钟。
典型值。
2.2 - 2.9
28
0.02
1.25
16.5
11.5
21.5
23
39
272
315
1.6
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
* RBIAS电阻设定电流，请参阅应用电路这里， VDD = VDD1 = VDD2
7-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
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v04.0610
的GaAs PHEMT MMIC高IP3
低噪声放大器， 1.3 - 2.9 GHz的
增益与温度
[1]
40
宽带增益&回波损耗
[1] [2]
40
S21
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-2
30
20
响应（ dB）的
增益（dB ）
10
0
-10
-20
-30
-40
0.5
S22
Vdd=5V
Vdd=3V
35
S11
30
25
+25C
+85C
-40C
0.8
1.1
1.4
1.7
2
2.3 2.6
频率（GHz ）
2.9
3.2
3.5
20
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
频率（GHz ）
2.7
3
增益与温度
[2]
40
输入回波损耗随温度的变化
[1]
0
-5
回波损耗（分贝）
35
增益（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
1.2
+25C
+85C
-40C
30
25
+25C
+85C
-40C
20
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
频率（GHz ）
2.7
3
1.5
1.8
2.1
2.4
频率（GHz ）
2.7
3
输出回波损耗随温度的变化
[1]
0
反向隔离与温度的关系
[1]
0
回波损耗（分贝）
-5
-10
隔离度（dB ）
+25C
+85C
-40C
-20
+25C
+85C
-40C
-40
-15
-60
-20
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
频率（GHz ）
2.7
3
-80
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
频率（GHz ）
2.7
3
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 1.5K
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 1.5K
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC719LP4 / 719LP4E
v04.0610
的GaAs PHEMT MMIC高IP3
低噪声放大器， 1.3 - 2.9 GHz的
P1dB为与温度的关系
[1] [2]
26
24
Vdd=5V
7
放大器 - 低噪声 - SMT
噪声系数与温度
[1] [2]
2
1.8
噪声系数（dB ）
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
频率（GHz ）
+25C
-40C
+85C
Vdd=5V
Vdd=3V
22
P1dB的（ DBM）
20
18
16
14
12
1.2
Vdd=3V
+25C
+85C
-40C
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
频率（GHz ）
PSAT与温度的关系
[1] [2]
26
24
22
P1dB的（ DBM）
20
18
16
14
12
1.2
Vdd=3V
+25C
+85C
-40C
输出IP3与温度的关系
[1] [2]
50
+25C
+85C
-40C
45
Vdd=5V
IP3 （ dBm的）
Vdd=5V
40
Vdd=3V
35
30
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
25
1.2
1.5
频率（GHz ）
1.8
2.1
2.4
频率（GHz ）
2.7
3
输出IP3和国际长途直拨对比
电源电压@ 1700 MHz的
[3]
45
40
35
IP3 （ dBm的）
30
25
20
15
2.7
Idd1
Idd2
IP3
输出IP3和国际长途直拨对比
电源电压@ 2200 MHz的
[3]
300
250
200
IP3 （ dBm的）
IDD （MA ）
150
100
50
0
5.5
45
40
35
30
25
20
15
2.7
Idd1
Idd2
IP3
300
250
200
IDD （MA ）
150
100
50
0
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
5.5
电源电压（ V）
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 1.5K
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 1.5K
[ 3 ] RBIAS = 1.5K
7-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC719LP4 / 719LP4E
v04.0610
的GaAs PHEMT MMIC高IP3
低噪声放大器， 1.3 - 2.9 GHz的
功率压缩@ 1700 MHz的
[2]
40
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
-30
-27
-24
-21
-18
输入功率（dBm ）
-15
-12
噘
收益
PAE
功率压缩@ 1700 MHz的
[1]
40
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
-29
-26
-23
-20
-17
-14
输入功率（dBm ）
-11
-8
噘
收益
PAE
7
放大器 - 低噪声 - SMT
噪声系数（dB ）
功率压缩@ 2200 MHz的
[1]
35
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
30
25
20
15
10
5
0
-5
-30
-27
-24
-21
-18
-15
-12
输入功率（dBm ）
-9
-6
-3
噘
收益
PAE
功率压缩@ 2200 MHz的
[2]
35
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
30
25
20
15
10
5
0
-5
-30
-27
-24
-21
-18
-15
输入功率（dBm ）
-12
-9
噘
收益
PAE
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 1700 MHz的
[3]
45
40
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
35
30
25
20
15
10
2.7
P1dB
收益
NF
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 2200 MHz的
[3]
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
噪声系数（dB ）
45
40
35
30
25
20
15
10
2.7
P1dB
收益
NF
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
电源电压（ V）
5.1
5.5
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
电源电压（ V）
5.1
5.5
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 1.5K
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 1.5K
[ 3 ] RBIAS = 1.5K
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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7-4
HMC719LP4 / 719LP4E
v04.0610
的GaAs PHEMT MMIC高IP3
低噪声放大器， 1.3 - 2.9 GHz的
增益，噪声系数& Rbias两端@ 1900 MHz的
35
1.8
7
放大器 - 低噪声 - SMT
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 1900 MHz的
40
38
33
1.6
噪声系数（dB ）
IP3 （ dBm的）
增益（dB ）
36
31
1.4
34
Vdd=3V
Vdd=5V
29
Vdd=3V
Vdd=5V
1.2
32
27
1
30
1
10
100
Rbias两端（欧姆）
1000
10000
25
100
0.8
1000
Rbias两端（欧姆）
10000
7-5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
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传真： 978-250-3373
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