HMC717LP3 / 717LP3E
v02.0809
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 4.8 - 6.0 GHz的
特点
噪声系数： 1.1分贝
增益： 16.5分贝
输出IP3 ： 31.5 dBm的
单电源： + 3V至+ 5V
16引脚3x3mm的QFN封装： 9毫米
2
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HmC717lp3 （ E）是理想的：
固定无线和LTE / WIMAX / 4G
&的BT基础设施
中继器和毫微微蜂窝基站
公共安全无线电
接入点
工作原理图
概述
该HmC717lp3 （ E）是GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器，是理想的固定无线
和LTE / WIMAX / 4G基站前端接收器
4.8和6.0 GHz的运行。该放大器
经过优化，提供1.1分贝噪声系数，
16.5分贝增益，从一个单一的31.5 dBm的输出IP3
供给+ 5V 。输入和输出回波损耗
匠心独运的LNA仅需最少的外部
匹配和偏置去耦元件。该
HmC717lp3 （ E）可以与+ 3V的偏置为+ 5V和
拥有一个外部可调电源电流
这允许设计人员量身打造的线性度
在LNA的每个应用程序的性能。
电气规格
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
T
A
= + 25 ° C， Rbias两端= 2K欧姆当VDD = 5V ， Rbias两端= 20K为VDD = 3V欧姆
[1] [2]
VDD = 3V +
分钟。
典型值。
4.8 - 6.0
12
14.3
0.01
1.25
13
13
12
14
15
25.5
31
40
15
1.5
13.5
马克斯。
分钟。
VDD = 5V +
典型值。
4.8 - 6.0
16.5
0.01
1.1
13
18
18.5
19.5
31.5
73
100
1.4
马克斯。
单位
兆赫
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
总电源电流（ IDD ）
[1] RBIAS电阻设定电流，请参阅应用电路这里
[2] VDD = VDD1 = VDD2
7-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
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v02.0809
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 4.8 - 6.0 GHz的
增益与温度
[1]
25
宽带增益&回波损耗
[1][2]
25
20
15
响应（ dB）的
10
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
1
2
3
4
5
6
7
频率（GHz ）
8
9
10
S11
S21
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-2
21
增益（dB ）
5
17
13
+25C
+85C
-40C
9
Vdd=5V
Vdd=3V
S22
5
4.5
4.9
5.3
5.7
频率（GHz ）
6.1
6.5
增益与温度
[2]
25
输入回波损耗随温度的变化
[1]
0
21
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
-40C
增益（dB ）
17
-10
13
+25C
+85C
-40C
9
-15
5
4.5
4.9
5.3
5.7
频率（GHz ）
6.1
6.5
-20
4.5
4.9
5.3
5.7
频率（GHz ）
6.1
6.5
输出回波损耗随温度的变化
[1]
0
+25C
+85C
-40C
反向隔离与温度的关系
[1]
-20
-25
隔离度（dB ）
-30
-35
-40
-45
-50
4.5
+25C
+85C
-40C
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
4.5
4.9
5.3
5.7
频率（GHz ）
6.1
6.5
4.9
5.3
5.7
频率（GHz ）
6.1
6.5
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 2kΩ的
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 20kΩ的
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 4.8 - 6.0 GHz的
P1dB为与温度的关系
[1] [2]
24
22
20
P1dB的（ DBM）
18
16
14
12
10
Vdd=3V
+25C
+85C
-40C
Vdd=5V
7
放大器 - 低噪声 - SMT
噪声系数与温度
[1] [2] [4]
2.1
+85C
1.8
噪声系数（dB ）
1.5
1.2
0.9
0.6
+25C
-40C
0.3
0
4.5
Vdd=5V
Vdd=3V
4.9
5.3
5.7
频率（GHz ）
6.1
6.5
8
4.5
4.9
5.3
5.7
频率（GHz ）
6.1
6.5
PSAT与温度的关系
[1] [2]
24
22
20
PSAT （ DBM）
Vdd=5V
输出IP3与温度的关系
[1] [2]
40
37
34
IP3 （ dBm的）
31
28
25
22
19
6.5
16
4.5
Vdd=3V
+25C
+85C
-40C
Vdd=5V
18
16
14
12
10
8
4.5
Vdd=3V
+25C
+85C
-40C
4.9
5.3
5.7
频率（GHz ）
6.1
4.9
5.3
5.7
频率（GHz ）
6.1
6.5
输出IP3和总电源电流与
电源电压@ 4800 MHz的
[3]
36
34
32
IP3 （ dBm的）
30
28
26
24
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
国际直拨电话
IP3
输出IP3和总电源电流与
电源电压@ 5900 MHz的
[3]
36
34
32
IP3 （ dBm的）
IDD （MA ）
30
28
26
24
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
国际直拨电话
IP3
95
80
65
50
35
20
5
5.5
95
80
65
IDD （MA ）
50
35
20
5
5.5
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 2K Ω
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 20kΩ的
[ 3 ] RBIAS = 2kΩ的当VDD = 5V ， RBIAS = 20kΩ时为VDD = 3V
在评价PCB图中所示[ 4 ]测量基准面。
7-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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v02.0809
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 4.8 - 6.0 GHz的
功率压缩@ 4800 MHz的
[2]
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-20
噘
收益
PAE
功率压缩@ 4800 MHz的
[1]
25
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
15
10
5
0
-5
-10
-20
噘
收益
PAE
7
放大器 - 低噪声 - SMT
1.6
1.5
噪声系数（dB ）
1.4
1.3
1.2
1.1
1
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
-15
-10
-5
输入功率（dBm ）
0
5
-17
-14
-11
-8
-5
输入功率（dBm ）
-2
1
4
功率压缩@ 5900 MHz的
[1]
25
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
15
10
5
0
-5
-10
-20
噘
收益
PAE
功率压缩@ 5900 MHz的
[2]
25
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
15
10
5
0
-5
-10
-20
噘
收益
PAE
-16
-12
-8
-4
0
输入功率（dBm ）
4
8
-15
-10
-5
输入功率（dBm ）
0
5
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 4800 MHz的
[3]
22
20
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
18
16
14
12
10
8
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
NF
P1dB
收益
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 5900 MHz的
[3]
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
5.5
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
噪声系数（dB ）
22
20
18
16
14
12
10
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
NF
P1dB
收益
5.5
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 2K Ω
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 20kΩ的
[ 3 ] RBIAS = 2kΩ的当VDD = 5V ， RBIAS = 20kΩ时为VDD = 3V
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7-4
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v02.0809
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 4.8 - 6.0 GHz的
增益，噪声系数& Rbias两端@ 4800 MHz的
20
2.2
Vdd=3V
Vdd=5V
7
放大器 - 低噪声 - SMT
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 4800 MHz的
32
30
28
IP3 （ dBm的）
26
24
22
20
100
Vdd=3V
Vdd=5V
17
14
增益（dB ）
11
8
5
2
100
1000
Rbias两端（欧姆）
10000
2
噪声系数（dB ）
1.8
1.6
1.4
1.2
1
100000
1000
10000
Rbias两端（欧姆）
100000
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 5900 MHz的
35
Vdd=3V
Vdd=5V
增益，噪声系数& Rbias两端@ 5900 MHz的
18
16
14
增益（dB ）
12
10
Vdd=3V
Vdd=5V
1.7
1.6
噪声系数（dB ）
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1000
Rbias两端（欧姆）
10000
100000
32
IP3 （ dBm的）
29
26
23
8
6
100
20
100
1000
10000
Rbias两端（欧姆）
100000
7-5
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