HMC715LP3 / 715LP3E
v01.0808
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 2.1 - 2.9 GHz的
特点
噪声系数： 0.9分贝
增益： 19分贝
输出IP3 ： +33 dBm的
单电源： + 3V至+ 5V
16引脚3x3mm的QFN封装： 9毫米
2
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HmC715lp3 （ E）是理想的：
蜂窝/ 3G和LTE / WIMAX / 4G
&的BT基础设施
中继器和毫微微蜂窝基站
公共安全无线电
接入点
工作原理图
概述
该HmC715lp3 （ E）是GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器，非常适合蜂窝/ 3G和
LTE / WIMAX / 4G基站前端接收器
2.1和2.9 GHz的运行。该放大器
经过优化，提供0.9分贝噪声系数，
19分贝增益，从一个单一的+33 dBm的输出IP3
供给+ 5V 。输入和输出回波损耗
匠心独运的LNA仅需最少的外部
匹配和偏置去耦元件。该
HmC715lp3 （ E）可以与+ 3V的偏置为+ 5V和
拥有一个外部可调电源电流
这允许设计人员量身打造的线性度
在LNA的每个应用程序的性能。
电气规格
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
T
A
= + 25 ° C， Rbias两端= 2K欧姆VDD = 5V + ， Rbias两端= 47K欧姆于VDD = 3V +
[1]
VDD = 3V +
分钟。
典型值。
2.1 - 2.9
14.5
18
0.01
0.9
11.5
14
10.5
14.5
16
28
47
65
12.5
1.2
15
马克斯。
分钟。
典型值。
2.3 - 2.7
18
0.01
0.9
11
13.5
15
16.5
28.5
47
65
15
1.2
15.5
马克斯。
分钟。
典型值。
2.1 - 2.9
19
0.01
0.9
11.5
12.5
19
20
33
95
126
16.5
1.2
16.5
VDD = 5V +
马克斯。
分钟。
典型值。
2.3 - 2.7
19
0.01
0.9
11
12
19.5
20.5
33.5
95
126
1.2
马克斯。
单位
兆赫
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
[1] RBIAS电阻设定电流，请参阅应用电路这里
7-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
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v01.0808
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 2.1 - 2.9 GHz的
增益与温度
[1]
26
24
22
增益（dB ）
宽带增益&回波损耗
[1] [2]
30
24
18
响应（ dB）的
12
6
0
-6
-12
-18
-24
-30
0.5
1
1.5
5V
3V
S11
S22
S21
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-2
20
18
16
14
12
+25C
+85C
-40C
2
2.5
3
3.5
频率（GHz ）
4
4.5
5
2
2.2
2.4
2.6
频率（GHz ）
2.8
3
增益与温度
[2]
26
24
22
增益（dB ）
20
18
16
14
12
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
+25C
+85C
-40C
输入回波损耗随温度的变化
[1]
0
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-20
2
2.2
2.4
2.6
频率（GHz ）
2.8
3
频率（GHz ）
输出回波损耗随温度的变化
[1]
0
反向隔离与温度的关系
[1]
-20
-25
回波损耗（分贝）
-5
隔离度（dB ）
+25C
+85C
-40C
-30
-35
-40
-45
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-20
2
2.2
2.4
2.6
频率（GHz ）
2.8
3
-50
2
2.2
2.4
2.6
频率（GHz ）
2.8
3
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 2kΩ的[ 2 ] VDD = 3V ， RBIAS = 47千欧姆
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
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砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 2.1 - 2.9 GHz的
P1dB为与温度的关系
[1] [2]
23
21
Vdd=5V
7
放大器 - 低噪声 - SMT
噪声系数与温度
[1] [2] [4]
1.8
1.5
噪声系数（dB ）
1.2
0.9
0.6
0.3
0
2
2.2
2.4
2.6
频率（GHz ）
2.8
3
Vdd=5V
Vdd=3V
-40C
+85C
+25C
19
P1dB的（ DBM）
17
15
13
11
9
2
2.2
2.4
2.6
频率（GHz ）
2.8
3
Vdd=3V
+25C
+85C
-40C
PSAT与温度的关系
[1] [2]
24
22
20
PSAT （ DBM）
18
16
14
12
Vdd=3V
+25C
+85C
-40C
Vdd=5V
输出IP3与温度的关系
[1] [2]
44
41
38
IP3 （ dBm的）
35
32
29
26
Vdd=3V
Vdd=5V
+25C
+85C
-40C
23
20
3
2
2.2
2.4
2.6
频率（GHz ）
2.8
3
10
2
2.2
2.4
2.6
频率（GHz ）
2.8
输出IP3和供电电流 -
电源电压@ 2300 MHz的
[3]
36
34
32
IP3 （ dBm的）
30
28
26
24
22
20
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
国际直拨电话
IP3
输出IP3和供电电流 -
电源电压@ 2700 MHz的
[3]
125
110
95
IP3 （ dBm的）
80
IDD （MA ）
65
50
35
20
5
5.5
38
36
34
32
30
28
26
24
22
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
国际直拨电话
IP3
125
110
95
80
IDD （MA ）
65
50
35
20
5
5.5
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 2K Ω
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 47千欧姆
在评价PCB图中所示[ 4 ]测量基准面。
[ 3 ] RBIAS = 2kΩ的当VDD = 5V ， RBIAS = 47千欧姆于VDD = 3V
7-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
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砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 2.1 - 2.9 GHz的
功率压缩@ 2300 MHz的
[2]
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-20
噘
收益
PAE
功率压缩@ 2300 MHz的
[1]
25
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
15
10
5
0
-5
-10
-20 -18
噘
收益
PAE
7
放大器 - 低噪声 - SMT
1.3
1.2
噪声系数（dB ）
1.1
1
0.9
0.8
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
-16
-14 -12 -10 -8
-6
-4
输入功率（dBm ）
-2
0
2
-17
-14
-11
-8
-5
输入功率（dBm ）
-2
1
功率压缩@ 2700 MHz的
[1]
35
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
30
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-20
-17
-14
-11
-8
-5
-2
输入功率（dBm ）
1
噘
收益
PAE
功率压缩@ 2700 MHz的
[2]
30
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-20
-15
-10
-5
输入功率（dBm ）
噘
收益
PAE
4
7
0
5
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 2300 MHz的
[3]
24
22
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
20
18
16
14
12
10
8
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
NF
P1dB
收益
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 2700 MHz的
[3]
1.4
1.3
1.2
噪声系数（dB ）
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
5.5
12
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
20
P1dB
收益
22
18
16
14
NF
5.5
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 2kΩ的[ 2 ] VDD = 3V ， RBIAS = 47千欧姆
[ 3 ] RBIAS = 2kΩ的当VDD = 5V ， RBIAS = 47千欧姆于VDD = 3V
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v01.0808
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 2.1 - 2.9 GHz的
增益，噪声系数& Rbias两端@ 2300 MHz的
22
20
18
1.1
1.05
噪声系数（dB ）
1
Vdd=3V
Vdd=5V
7
放大器 - 低噪声 - SMT
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 2300 MHz的
35
32
IP3 （ dBm的）
增益（dB ）
29
16
14
0.95
0.9
0.85
0.8
26
23
Vdd=3V
Vdd=5V
12
10
100
1000
Rbias两端（欧姆）
10000
20
100
1000
10000
Rbias两端（欧姆）
100000
100000
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 2700 MHz的
38
增益，噪声系数& Rbias两端@ 2700 MHz的
20
18
16
增益（dB ）
14
12
1.4
1.3
噪声系数（dB ）
1.2
1.1
1
0.9
0.8
1000
Rbias两端（欧姆）
10000
100000
35
Vdd=3V
Vdd=5V
IP3 （ dBm的）
32
29
26
10
8
100
Vdd=3V
Vdd=5V
23
100
1000
10000
Rbias两端（欧姆）
100000
7-5
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