HMC693
v03.1108
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放， 27 - 34 GHz的
特点
饱和输出功率： +30 dBm的@ 23 ％的PAE
输出IP3 ： +37 dBm的
增益： 17.5分贝
直流电源： + 5V @ 800毫安
50欧姆匹配输入/输出
芯片尺寸： 2.53 X 2.43 X 0.1毫米
典型应用
该hmC693是理想的：
点至点收音机
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
点到多点收音机
- 甚小孔径终端
军事&空间
工作原理图
概述
该hmC693是一个两阶段的GaAs PHEMT MMIC
1瓦放大器，它的工作
27和34千兆赫。该hmC693提供17.5分贝
增益，和30 dBm的饱和输出功率的
从+ 5V电源23 ％的PAE 。射频I / O的
直流阻塞和匹配50欧姆为便于
集成多芯片模块（ MCM的） 。所有数据
取与该芯片在一个50欧姆的测试夹具
通过0.025毫米（ 1密耳）直径的引线键合连接
长度为0.31毫米（ 12密耳）。
VDD = Vdd1-3t = Vdd1-3b = + 5V ，国际直拨电话= 800毫安， VGG = Vgg1-3t = Vgg1-3b
[1]
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
[2]
总电源电流（ IDD ）
27
16
分钟。
典型值。
27 - 29.5
18.5
0.023
17
34
30
30.8
38
800
1100
27
15
马克斯。
分钟。
典型值。
29.5 - 31.4
17.5
0.014
17
24
30
31
38
800
1100
27
14
马克斯。
分钟。
典型值。
31.4 - 34
16.5
0.016
14
19
29
29.6
37
800
1100
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
电气连接特定的阳离子，
T
A
= +25° C,
[1 ]调整VGG -2之间为0V ，实现IDD = 800毫安典型。
[ 2 ]测量采取5V @ 800毫安，销/音色= +10 dBm的
3-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC693
v03.1108
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放， 27 - 34 GHz的
增益与频率随温度
30
宽带增益&
回波损耗与频率的关系
30
20
响应（ dB）的
20
S21
S11
S22
响应（ dB）的
10
0
-10
-20
-30
-40
22
24
26
28
30
32
34
36
38
频率（GHz ）
10
+25 C
+85 C
-55 C
3
22
24
26
28
30
32
34
36
38
0
-10
-20
频率（GHz ）
输入回波损耗与
频率随温度
0
+25 C
+85 C
-55 C
输出回波损耗与
频率随温度
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
+25 C
+85 C
-55 C
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
频率（GHz ）
-40
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
频率（GHz ）
的P1dB与频率随温度
33
PSAT与频率随温度
33
31
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
31
29
+25 C
+85 C
-55 C
29
+25 C
+85 C
-55 C
27
27
25
25
23
26
27
28
29
30
31
32
33
34
频率（GHz ）
23
26
27
28
29
30
31
32
33
34
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
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3-2
放大器 - 线性&力量 - 芯片
HMC693
v03.1108
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放， 27 - 34 GHz的
PSAT与频率的过电流
33
的P1dB与频率的过电流
33
P1dB的（ DBM）
29
500mA
600mA
800mA
1000mA
1100mA
PSAT （ DBM）
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
31
31
29
500mA
600mA
800mA
1000mA
1100mA
27
27
25
25
23
26
27
28
29
30
31
32
33
34
频率（GHz ）
23
26
27
28
29
30
31
32
频率（GHz ）
输出IP3与温度的关系
5V @ 800毫安，引脚/音= +10 dBm的
44
功率压缩
@ 30 GHz时， 5V @ 800毫安
35
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
30
25
20
15
10
5
0
-10
噘嘴dBm的
增益dB
PAE ％
40
IP3 （ dBm的）
36
+25 C
+85 C
-55 C
32
28
24
26
27
28
29
30
31
32
33
34
频率（GHz ）
-6
-2
2
6
10
14
18
输入功率（dBm ）
IM3输出， 5V @ 700毫安
75
IM3输出， 5V @ 800毫安
75
60
60
IM3 （ DBC）
30
27 GHz的
29 GHz的
33 GHz的
34 GHz的
IM3 （ DBC）
45
45
30
27 GHz的
29 GHz的
33 GHz的
34 GHz的
15
15
0
7
10
13
16
19
22
25
28
输出功率PER TONE （ DBM）
0
7
10
13
16
19
22
25
28
输出功率PER TONE （ DBM）
3-3
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HMC693
v03.1108
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放， 27 - 34 GHz的
获得&功率与电源电压@ 30 GHz的
35
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
30
25
20
15
10
5
0
4.5
收益
P1dB
PSAT
获得&功率与电源电流@ 30 GHz的
35
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
30
25
20
15
10
5
0
500
收益
P1dB
PSAT
3
5.5
600
700
800
900
1000
1100
5
Vdd的（V）的
IDD电源电流（mA ）
反向隔离与频率的关系
过温， 5V @ 800毫安
0
-10
功耗， 5V @ 800毫安
5
4.75
功耗（ W）
27 GHz的
28 GHz的
30 GHz的
32 GHz的
34 GHz的
-20
隔离度（dB ）
-30
-40
-50
-60
-70
-80
26
27
28
29
30
+25 C
+85 C
-55 C
4.5
4.25
4
3.75
3.5
3.25
3
31
32
33
34
35
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
频率（GHz ）
输入功率（dBm ）
绝对最大额定值
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = 5 V直流）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免76.9 MW / ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+20 dBm的
175 °C
6.9 w
13 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+4.5
+5.0
+5.5
IDD （MA ）
785
800
790
注：放大器将工作在显示全电压范围
上述VGG调整，以达到电流IDD = 800毫安在+ 5V
静电敏感器件
观察处理注意事项
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传真： 978-250-3373
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3-4
放大器 - 线性&力量 - 芯片
HMC693
v03.1108
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放， 27 - 34 GHz的
外形绘图
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
芯片封装信息
标准
GP - 1 （胶装）
[1]
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[ MM ]
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的焊盘是0.004 “方
4.背面金属：金
5.焊盘金属化：金
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
8.全面DIE SIZE ± 0.002
3-5
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