HMC684LP4
/
684LP4E
v01.0408
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 700 - 1000兆赫
特点
高输入IP3 ： +32 dBm的
低转换损耗： 7分贝
低LO驱动： 0 dBm的
上转换&下变频应用
24引脚的4x4mm表面贴装封装：16毫米
2
典型应用
该HMC684LP4 （ E）是理想的：
蜂窝/ 3G & LTE / WIMAX / 4G
8
调音台 - 下变频器 - SMT
基站&中继器
GSM ， CDMA & OFDM
发送器和接收器
工作原理图
概述
该HMC684LP4 （ E）是一种高动态范围的被动
MMIC混频器集成LO放大器，在4×4
SMT QFN封装覆盖0.7 1.0千兆赫。优秀
+32 dBm的输入IP3性能下降转换
锡安是为3G & 4G的GSM / CDMA应用
在0 dBm的LO驱动器。与输入1分贝的COM
+25 dBm的PRESSION ， RF端口将接受广泛的
范围内的输入信号电平。转换损耗为7dB
典型的。直流到450MHz的IF频率响应
将满足GSM / CDMA的发射或接收频率
计划。该HMC684LP4 （ E）是引脚对引脚兼容
与HMC685LP4 （五），其是1.7 - 2.2 GHz的混合器
与LO放大器。
电气电源规格
T
A
= + 25 ° C， IF = 100 MHz的LO = 0 dBm时， VCC1 ， 2 ， 3 ， = + 5V ，G偏压= + 3.5V *
参数
频率范围， RF
频率范围， LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
1 dB压缩（输入）
LO输入驱动电平（典型值）
电源电流ICC总
*除非另有说明，低边LO & IF = 100 MHz的执行作为下变频器的所有测量。
17
20
25
分钟。
典型值。
0.7 - 1.0
0.6 - 1.0
DC 450
7
7
23
30
35
32
25
-6到+3
85
100
9
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
8 - 234
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC684LP4 / 684LP4E
v01.0408
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 700 - 1000兆赫
转换增益与温度的关系
0
隔离
0
-10
射频/中频
LO / RF
LO / IF
转换增益（dB ）
-5
隔离度（dB ）
-20
-30
8
1
1.1
1.2
-10
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-50
-60
0.6
-20
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
频率（GHz ）
转换增益与LO驱动
0
回波损耗
0
-5
回波损耗（分贝）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0.4
RF
LO
-10
-15
-6 dBm的
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
-20
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
频率（GHz ）
频率（GHz ）
中频带宽（LO = 0.8千兆赫）
0
-5
响应（ dB）的
输入P1dB为与温度的关系
30
25
P1dB的（ DBM）
-10
-15
-20
15
-25
-30
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
频率（GHz ）
IF回波损耗
转换增益
20
+25 C
+85 C
-40 C
10
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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8 - 235
调音台 - 下变频器 - SMT
-40
转换增益（dB ）
HMC684LP4 / 684LP4E
v01.0408
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 700 - 1000兆赫
输入IP3主场迎战LO驱动器
[1]
40
输入IP3与温度
[1]
40
IP3 （ dBm的）
IP3 （ dBm的）
-6 dBm的
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
8
调音台 - 下变频器 - SMT
30
30
20
20
10
10
+25 C
+85 C
-40 C
0
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
1
0
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
1
频率（GHz ）
频率（GHz ）
+ 2RF -2LO响应与温度的关系
[2]
70
+ 2RF - 2LO响应（ DBC）
65
60
55
50
45
40
0.6
+25 C
+85 C
-40 C
+ 2RF -2LO响应主场迎战LO驱动
[2]
70
+ 2RF - 2LO响应（ DBC）
65
60
55
50
45
40
0.6
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
频率（GHz ）
频率（GHz ）
+ 3RF -3LO响应与温度的关系
[2]
90
+ 3RF - 3LO响应（ DBC）
85
80
75
70
65
60
0.6
+25 C
+85 C
-40 C
+ 3RF -3LO响应主场迎战LO驱动
[2]
90
+ 3RF - 3LO响应（ DBC）
85
80
75
70
65
60
0.6
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
频率（GHz ）
频率（GHz ）
[1]双音输入功率= +9 dBm的每一个音调， 1 MHz的间距。 [2]参考RF功率为0dBm
8 - 236
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC684LP4 / 684LP4E
v01.0408
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 700 - 1000兆赫
上变频器性能
转换增益与LO驱动
0
上变频器性能
输入IP3主场迎战LO驱动器
40
转换增益（dB ）
-5
IP3 （ dBm的）
30
8
-6 dBm的
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
-10
20
-15
-6 dBm的
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
10
-20
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
频率（GHz ）
频率（GHz ）
绝对最大额定值
RF / IF输入（ VCC1 - 3 = + 5V ）
LO驱动器（VCC = + 5V ）
VCC1 - 3 （ LO或IF ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免17.24毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
+23 dBm的
+10 dBm的
5.5V
125 °C
0.69W
58 ° C / W
-65 ℃150℃
-40至+85 C
MXN虚假@ IF端口
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
xx
25
52
82
112
1
25
0
47
73
100
2
16
25
50
92
112
3
25
17
55
70
110
4
31
35
58
77
98
R f值频率。 = 0.9 GHz的@ 0 dBm的
LO频率。 = 0.8 GHz的@ 0 dBm的
在dBc的所有值的下方功率电平（ 1RF - 1LO ） 。
静电敏感器件
观察处理注意事项
典型电源电流和VCC的关系
VCC1 - 3 （ V）
4.75
5.00
5.25
ICC共（马）
80
85
90
LO谐波
非线性光学马刺@ RF端口
LO频率。 （千兆赫）
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1
26
24
22
22
24
27
31
2
45
43
30
30
31
32
28
3
36
35
41
34
37
37
45
4
43
36
30
28
31
44
30
产品将运行在上面显示全电压范围。
LO = 0 dBm的
下面输入LO电平RF端口以dBc的所有值
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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8 - 237
调音台 - 下变频器 - SMT
HMC684LP4 / 684LP4E
v01.0408
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 700 - 1000兆赫
外形绘图
8
调音台 - 下变频器 - SMT
注意事项：
1.包装体材质：低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.铅和地面桨材料：铜合金。
3.铅和地面桨电镀：采用100％雾锡。
4.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
5.引线间距有容乃非累积。
6.垫毛刺长度应0.15毫米最大。
垫毛刺高度应到0.25mm最大。
7.封装翘曲不得超过0.05毫米
8.所有接地引线和接地桨
必须焊接到PCB的RF接地。
9.参考赫梯应用笔记
对于建议的PCB焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC684LP4
HMC684LP4E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H684
XXXX
H684
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
8 - 238
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC684LP4
/
684LP4E
v03.0110
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 700 - 1000兆赫
特点
高输入IP3 ： +32 dBm的
低转换损耗： 7分贝
低LO驱动： 0 dBm的
上转换&下变频应用
24引脚的4x4mm表面贴装封装：16毫米
2
典型应用
该HMC684LP4 （ E）是理想的：
蜂窝/ 3G & LTE / WIMAX / 4G
10
混频器 - 单&双平衡 - SMT
基站&中继器
GSM ， CDMA & OFDM
发送器和接收器
工作原理图
概述
该HMC684LP4 （ E）是一种高动态范围的被动
MMIC混频器集成LO放大器，在4×4
SMT QFN封装覆盖0.7 1.0千兆赫。优秀
+32 dBm的输入IP3性能下降转换
锡安是为3G & 4G的GSM / CDMA应用
在0 dBm的LO驱动器。与输入1分贝的COM
+25 dBm的PRESSION ， RF端口将接受广泛的
范围内的输入信号电平。转换损耗为7dB
典型的。直流到450MHz的IF频率响应
将满足GSM / CDMA的发射或接收频率
计划。该HMC684LP4 （ E）是引脚对引脚兼容
与HMC685LP4 （五），其是1.7 - 2.2 GHz的混合器
与LO放大器。
电气规格
T
A
= + 25 ° C， IF = 100 MHz的LO = 0 dBm时， VCC1 ， 2 ， 3 ， = + 5V ， G_Bias = + 3.5V *
参数
频率范围， RF
频率范围， LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
1 dB压缩（输入）
LO输入驱动电平（典型值）
电源电流ICC总
*除非另有说明，低边LO & IF = 100 MHz的执行作为下变频器的所有测量。
17
20
25
分钟。
典型值。
0.7 - 1.0
0.6 - 1.0
DC 450
7
7
23
30
35
32
25
-6到+3
85
100
9
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
10 - 1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC684LP4 / 684LP4E
v03.0110
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 700 - 1000兆赫
隔离
0
-10
射频/中频
LO / RF
LO / IF
转换增益与温度的关系
0
转换增益（dB ）
-5
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
0.6
-10
10
1
1.1
1.2
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-20
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
频率（GHz ）
频率（GHz ）
转换增益与LO驱动
0
回波损耗
0
-5
回波损耗（分贝）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0.4
RF
LO
-10
-15
-6 dBm的
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
-20
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
频率（GHz ）
频率（GHz ）
中频带宽（LO = 0.8千兆赫）
0
-5
输入P1dB为与温度的关系
30
25
响应（ dB）的
P1dB的（ DBM）
-10
-15
-20
15
-25
-30
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
频率（GHz ）
IF回波损耗
转换增益
20
+25 C
+85 C
-40 C
10
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
10 - 2
混频器 - 单&双平衡 - SMT
转换增益（dB ）
HMC684LP4 / 684LP4E
v03.0110
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 700 - 1000兆赫
输入IP3与温度
[1]
40
输入IP3主场迎战LO驱动器
[1]
40
IP3 （ dBm的）
IP3 （ dBm的）
-6 dBm的
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
10
混频器 - 单&双平衡 - SMT
30
30
20
20
10
10
+25 C
+85 C
-40 C
0
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
1
0
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
1
频率（GHz ）
频率（GHz ）
+ 2RF -2LO响应与温度的关系
[2]
70
+ 2RF - 2LO响应（ DBC）
65
60
55
50
45
40
0.6
+25 C
+85 C
-40 C
+ 2RF -2LO响应主场迎战LO驱动
[2]
70
+ 2RF - 2LO响应（ DBC）
65
60
55
50
45
40
0.6
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
频率（GHz ）
频率（GHz ）
+ 3RF -3LO响应与温度的关系
[2]
90
+ 3RF - 3LO响应（ DBC）
85
80
75
70
65
60
0.6
+25 C
+85 C
-40 C
+ 3RF -3LO响应主场迎战LO驱动
[2]
90
+ 3RF - 3LO响应（ DBC）
85
80
75
70
65
60
0.6
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
频率（GHz ）
频率（GHz ）
[1]双音输入功率= +9 dBm的每一个音调， 1 MHz的间距。 [2]参考RF功率为0dBm
10 - 3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC684LP4 / 684LP4E
v03.0110
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 700 - 1000兆赫
上变频器性能
输入IP3主场迎战LO驱动器
40
上变频器性能
转换增益与LO驱动
0
转换增益（dB ）
-5
IP3 （ dBm的）
30
-10
20
-6 dBm的
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
10
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
-15
-6 dBm的
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
10
-20
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
0.6
频率（GHz ）
频率（GHz ）
绝对最大额定值
RF / IF输入（ VCC1 - 3 = + 5V ）
LO驱动器（VCC = + 5V ）
VCC1 - 3 （ LO或IF ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免17.24毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+26 dBm的
+10 dBm的
5.5V
125 °C
0.69W
58 ° C / W
-65 ℃150℃
-40至+85 C
1A级
MXN虚假@ IF端口
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
xx
25
52
82
112
1
25
0
47
73
100
2
16
25
50
92
112
3
25
17
55
70
110
4
31
35
58
77
98
R f值频率。 = 0.9 GHz的@ 0 dBm的
LO频率。 = 0.8 GHz的@ 0 dBm的
在dBc的所有值的下方功率电平（ 1RF - 1LO ） 。
静电敏感器件
观察处理注意事项
典型电源电流和VCC的关系
VCC1 - 3 （ V）
4.75
5.00
5.25
ICC共（马）
80
85
90
LO谐波
非线性光学马刺@ RF端口
LO频率。 （千兆赫）
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1
26
24
22
22
24
27
31
2
45
43
30
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产品将运行在上面显示全电压范围。
LO = 0 dBm的
下面输入LO电平RF端口以dBc的所有值
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
10 - 4
混频器 - 单&双平衡 - SMT
HMC684LP4 / 684LP4E
v03.0110
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 700 - 1000兆赫
外形绘图
10
混频器 - 单&双平衡 - SMT
包装信息
产品型号
HMC684LP4
HMC684LP4e
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
注意事项：
1.包装体材质：低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.铅和地面桨材料：铜合金。
3.铅和地面桨电镀：采用100％雾锡。
4.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
5.引线间距有容乃非累积。
6.垫毛刺长度应0.15毫米最大。
垫毛刺高度应到0.25mm最大。
7.封装翘曲不得超过0.05毫米
8.所有接地引线和接地桨
必须焊接到PCB的RF接地。
9.参考赫梯应用笔记
对于建议的PCB焊盘图形。
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MsL1
MsL1
[1]
包装标志
[3]
H684
xxxx
H684
xxxx
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
10 - 5
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