HMC677LP5 / 677LP5E
v05.0810
6位串行/并行交换
驱动器/控制器
特点
接受串行或并行数据
兼容TTL和CMOS逻辑
互补输出
6位控制字
电状态的选择
低功耗
快速时钟速率
典型应用
该HMC677LP5 （ E）是理想的：
微波毫米波和控制电路
日元测试和测量设备
复杂的多功能组件
军事和空间子系统
发送/接收模块控制器
5
接口 - SMT
工作原理图
概述
该HMC677LP5 （ E）是一个多功能的BiCMOS
控制接口IC ，非常适合驾驶的门
FET和pHEMT制为基础的MMIC控制设备。
这种独特的集成电路可用于简化控制
微波毫米波发送/接收
模块，军事子系统，并且多掷/
多端口测试和测量设备。该
HMC677LP5 （E ）接受串行或并行数据，并
可以驱动多达6台互补输出。
该HMC677LP5 （ E）还提供了额外的
功能如开机状态选择，
可调整的输出电压电平，和一个锁存paral-
LEL控制模式，该模式允许多个控制设备
共享一个公用数据总线。该HMC677LP5 （ E）
是理想的，用于控制数字移相器，数字
衰减器，数字可变增益放大器和
开关矩阵嵌入在复杂的微波
和毫米波组件。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD1 = VDD2 = + 5V ， V型= -5V ， Voph = 0V
参数
输入高电压， VIH
低电压，德维尔
输出高电压的Voh （ IOH = 1毫安， V型= -4.5V ）
输出低电压，卷（IOL = 2 mA时， V形= -4.5V ）
最大输入漏电流：IIN
传播延迟， TPLH
最大的串行比特率
最大I / O更新速率
民
2
-
Voph - 0.1
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
0.8
-
VEE + 0.1
1
80
10
100
单位
V
V
V
V
A
nS
Mbps的
ns
5-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC677LP5 / 677LP5E
v05.0810
6位串行/并行交换
驱动器/控制器
串行控制接口
该HMC677LP5 （ E）包含3线SPI兼容数字接口（ DATA ， CLK ， LE ） 。它被激活时， P / S
保持高。 6位串行字必须先加载MSB 。正边沿敏感的CLK和LE需要
干净的过渡。标准逻辑系列工作。 LE为高电平时，在串行输入寄存器的6位数据被传送
到输出。当LE是高CLK被屏蔽，以防止在输出负载的数据转换。
当P / S低， 3线SPI接口输入（ DATA ， CLK ， LE ）被禁用，串行输入寄存器装入
异步并行数字输入（ I0 - I5 ） 。 LE为高电平时，第6位的并行数据被传输。
对于操作的所有模式，输出将保持不变，而LE保持在低水平。
5
接口 - SMT
参数
分钟。串行周期T
SCK
控制设置时间，T
CS
控制保持时间，叔
CH
LE建立时间，T
LN
分钟。 LE脉冲宽度，T
LEW
乐敏脉冲间隔，T
LES
串行时钟保持时间从LE ，T
CKN
保持时间t
pH值。
锁存使能最小宽度，T
LEN
设置时间t
PS
典型值。
100纳秒
20纳秒
20纳秒
10纳秒
10纳秒
630纳秒
10纳秒
NS 0
10纳秒
2纳秒
时序图
（锁存并行模式）
并行模式（
直接并联方式&锁存并行模式）
注意：
当P / S被设定为低的并行模式被使能。
直接并联方式
- 输出是通过控制电压输入，直接改变了。在LE （锁存使能）必须在
一个逻辑高电平，以控制这种方式。
锁存并行模式
- 输出使用的控制电压输入选择和设置，而LE处于低
状态。这是不会改变的状态，而LE为低。一旦所有的控制电压输入是在理想状态的LE是
脉冲。看到上面的时序图，以供参考。
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5-2
HMC677LP5 / 677LP5E
v05.0810
6位串行/并行交换
驱动器/控制器
工作范围
功能
VDD
VEE
Voph
[1]
Voph - V型
VDD - VEE
Ta
参数
正直流电源电压
负直流电源电压
直流输出电源
负电源电压范围
正到负电源电压范围
工作环境温度
直流输出电流 - 高
直流输出电流 - 低
分钟。
4.5
-5.5
0
4.5
9
-40
1
2
典型值。
5.0
-5.0
-
-
10
25
-
-
最大
5.5
-4.5
2.2
7.7
11
85
-
-
单位
V
V
V
V
V
C
mA
mA
5
接口 - SMT
陆
[2]
大声笑
[2]
[1] Voph可用于从0V到2.2V 。更高的电压可以被用来增加的GaAs开关的低频性能。
[2] IOH人工晶体从Voph和V型0.1V变化进行测量。
DC特性
功能
VIH
VIL
VOH
VOL
LIN
国际直拨电话
流IDD
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
静态电源电流
新增供应
目前每TTL输入引脚
条件
高输入电压
低输入电压
IOH = 1毫安
IOL = 2毫安
VIN = VDD和GND
VDD =最大
VDD =最大
VEE = -4.5V
VEE = -4.5V
VDD =最大
VIN = VDD和GND
VIN = 2V
分钟。
2.0
-
Voph - 0.1
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
0.8
-
VEE 0.1
1
1.5
50
单位
V
V
V
V
A
mA
A
在Voph = 2.2V最坏情况下的交流特性（
VDD = 4.5V ， V型= -4.5V ）
功能
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
TSKEW
Cpdd
[1]
CPDE
[1]
参数
瑞星传输延迟
FALLING传播延迟
输出上升转换时间
输出下降转换时间
延迟偏差
Vdd的功率耗散电容
V形的功率耗散电容
-40 °C
30
30
30
15
50
100
400
+25 °C
30
30
40
20
50
100
400
+85 °C
30
30
40
20
50
100
400
单位
ns
ns
ns
ns
nS
pF
pF
在Voph = 0V最坏的情况下AC特性（
VDD = 4.5V ， V型= -4.5V ）
功能
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
TSKEW
Cpdd
[1]
CPDE
[1]
1]
参数
瑞星传输延迟
FALLING传播延迟
输出上升转换时间
输出下降转换时间
延迟偏差
Vdd的功率耗散电容
V形的功率耗散电容
-40 °C
80
80
100
50
50
100
400
+25 °C
80
80
100
50
50
100
400
+85 °C
80
80
100
50
50
100
400
单位
ns
ns
ns
ns
nS
pF
pF
总功耗的计算由下列公式计算： PD = Vdd的
2
F Cpdd + （ Voph - VEE）
2
F Cpde ，其中f =频率（Hz）
5-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
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HMC677LP5 / 677LP5E
v05.0810
6位串行/并行交换
驱动器/控制器
上电状态
如果LE设置为逻辑低电平上电时，该逻辑状态
PUP1和PUP2的决定了电状态
每PUP真值表的一部分。如果LE设置为逻辑
高在上电时， I5 - I0的逻辑状态决定
每真值表部分的电状态。该
在所需的电状态衰减器锁存器
上电后大约200毫秒。
上电序列
所需的上电顺序为： GND ，VDD电压， V型，
Voph ，数字输入（I
0
- I
5
） 。相对的应用
数字输入输入信号顺序不
非常重要的。从这个序列偏差可能
不经意间的正向偏置的ESD保护结构
和损坏。为了更好地保护您可
安装2欧姆电阻串联，每个数字
输入信号线，但是这些电阻将增加
的RC时间常数。
控制电压表
状态
低
高
VDD = 3V +
0 0.5V @ <1 μA
2 3V @ <1 μA
VDD = 5V +
0 0.8V @ <1 μA
2 5V @ <1 μA
真值表
输入
Ix
低
高
Bx
VEE
Voph
输出
BXB
Voph
VEE
5
接口 - SMT
5-4
PUP真值表
LE
0
0
0
0
1
PUP2
0
0
1
1
X
PUP1
0
1
0
1
X
输出国家
B5
0
0
1
1
B4
0
1
0
1
B3
0
0
0
1
B2
0
0
0
1
B1
0
0
0
1
B0
0
0
0
1
通过设置输入九
对于输入（ LE ， PUP1 ， PUP2 ） ，逻辑“0” = 0V和逻辑“1” = VDD
为输出，逻辑“0”是的Bx = V形， BXB = Voph ，和逻辑“1”的Bx = Voph ， BXB = V形
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HMC677LP5 / 677LP5E
v05.0810
6位串行/并行交换
驱动器/控制器
绝对最大额定值
数字输入
（ I0 - I5 ，移位时钟，锁存使能，
P / S ， PUP和数据输入）
偏置电压（VDD ）
偏置电压（ VEE）
偏置电压（ Voph ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免8.2毫瓦/ ° C以上85°C ）
[1]
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
-0.5 VDD + 0.5V
5.6 V
-5.6 V
2.3 V
125 °C
325毫瓦
123 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
5
接口 - SMT
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB接地。
6.列为潮湿敏感度等级（ MSL） 1 。
包装信息
产品型号
HMC677LP5
HMC677LP5E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H677
XXXX
H677
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
5-5
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电话： 978-250-3343
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HMC677LP5 / 677LP5E
v02.0309
6位串行/并行交换
驱动器/控制器
典型应用
该HMC677LP5 （ E）是理想的：
微波毫米波和控制电路
日元测试和测量设备
复杂的多功能组件
特点
接受串行或并行数据
兼容TTL和CMOS逻辑
互补输出
6位控制字
电状态的选择
低功耗
快速时钟速率
8
接口 - SMT
军事和空间子系统
发送/接收模块控制器
工作原理图
概述
该HMC677LP5 （ E）是一个多功能的BiCMOS
控制接口IC ，非常适合驱动
FET和pHEMT制的门基于MMIC控制
设备。这种独特的集成电路可用于简化
微波毫米波和传输控制/
接收模块，军事子系统和multithrow /
多端口测试和测量设备。该
HMC677LP5 （E ）接受串行或并行数据，并
可以驱动多达6台互补输出。
该HMC677LP5 （ E）还提供了额外的
功能如开机状态选择，
可调整的输出电压电平，和一个锁存paral-
LEL控制模式，该模式允许多个控制设备
共享一个公用数据总线。该HMC677LP5 （ E）
是理想的，用于控制数字移相器，数字
衰减器，数字可变增益放大器和
开关矩阵嵌入在复杂的微波
和毫米波组件。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VDD1 = VDD2 = + 5V ， V型= -5V ， Voph = 0V
参数
输入高电压， VIH
低电压，德维尔
输出高电压的Voh （ IOH = 1毫安， V型= -4.5V ）
输出低Votlage ，卷（IOL = 2 mA时， V形= -4.5V ）
最大输入漏电流：IIN
传播延迟， TPLH
最大的串行比特率
最大I / O更新速率
民
2
-
Voph - 0.1
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
0.8
-
VEE + 0.1
1
80
10
100
单位
V
V
V
V
μA
nS
Mbps的
ns
8-2
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC677LP5 / 677LP5E
v02.0309
6位串行/并行交换
驱动器/控制器
工作范围
功能
VDD
VEE
Voph
[1]
Voph - V型
VDD - VEE
Ta
陆
[2]
参数
正直流电源电压
负直流电源电压
直流输出电源
负电源电压范围
正到负电源电压范围
工作环境温度
直流输出电流 - 高
直流输出电流 - 低
分钟。
4.5
-5.5
0
4.5
9
-40
1
2
典型值。
5.0
-5.0
-
-
10
25
-
-
最大
5.5
-4.5
2.2
7.7
11
85
-
-
单位
V
V
V
V
V
C
mA
mA
8
接口 - SMT
8-3
大声笑
[2]
[1] Voph可用于从0V到2.2V 。更高的电压可以被用来增加的GaAs开关的低频性能。
[2] IOH人工晶体从Voph和V型0.1V变化进行测量。
DC特性
功能
VIH
VIL
VOH
VOL
LIN
国际直拨电话
流IDD
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
静态电源电流
新增供应
目前每TTL输入引脚
条件
高输入电压
低输入电压
IOH = 1毫安
IOL = 2毫安
VIN = VDD和GND
VDD =最大
VDD =最大
VEE = -4.5V
VEE = -4.5V
VDD =最大
VIN = VDD和GND
VIN = 2V
分钟。
2.0
-
Voph - 0.1
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
0.8
-
VEE 0.1
1
1.5
50
单位
V
V
V
V
μA
mA
μA
在Voph = 2.2V最坏情况下的交流特性（
VDD = 4.5V ， V型= -4.5V ）
功能
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
TSKEW
Cpdd
[1]
CPDE
[1]
参数
瑞星传输延迟
FALLING传播延迟
输出上升转换时间
输出下降转换时间
延迟偏差
Vdd的功率耗散电容
V形的功率耗散电容
-40 °C
30
30
30
15
50
100
400
+25 °C
30
30
40
20
50
100
400
+85 °C
30
30
40
20
50
100
400
单位
ns
ns
ns
ns
nS
pF
pF
在Voph = 0V最坏的情况下AC特性（
VDD = 4.5V ， V型= -4.5V ）
功能
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
TSKEW
Cpdd
[1]
CPDE
[1]
1]
参数
瑞星传输延迟
FALLING传播延迟
输出上升转换时间
输出下降转换时间
延迟偏差
Vdd的功率耗散电容
V形的功率耗散电容
-40 °C
80
80
100
50
50
100
400
+25 °C
80
80
100
50
50
100
400
+85 °C
80
80
100
50
50
100
400
单位
ns
ns
ns
ns
nS
pF
pF
总功耗的计算由下列公式计算： PD = Vdd的
2
F Cpdd + （ Voph - VEE）
2
F Cpde ，其中f =频率（Hz）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC677LP5 / 677LP5E
v02.0309
6位串行/并行交换
驱动器/控制器
串行控制接口
该HMC677LP5 （ E）包含3线SPI兼容数字接口（ DATA ， CLK ， LE ） 。它被激活时， P / S
保持高。 6位串行字必须先加载MSB 。正边沿敏感的CLK和LE需要
干净的过渡。标准逻辑系列工作。 LE为高电平时，在串行输入寄存器的6位数据被传送
到输出。当LE是高CLK被屏蔽，以防止在输出负载的数据转换。
当P / S低， 3线SPI接口输入（ DATA ， CLK ， LE ）被禁用，串行输入寄存器装入
异步并行数字输入（ I0 - I5 ） 。 LE为高电平时，第6位的并行数据被传输。
对于操作的所有模式，输出将保持不变，而LE保持在低水平。
8
接口 - SMT
参数
分钟。串行周期T
SCK
控制设置时间，T
CS
控制保持时间，叔
CH
LE建立时间，T
LN
分钟。 LE脉冲宽度，T
LEW
乐敏脉冲间隔，T
LES
串行时钟保持时间从LE ，T
CKN
保持时间t
pH值。
锁存使能最小宽度，T
LEN
设置时间t
PS
典型值。
100纳秒
20纳秒
20纳秒
10纳秒
10纳秒
630纳秒
10纳秒
NS 0
10纳秒
2纳秒
时序图
（锁存并行模式）
并行模式（
直接并联方式&锁存并行模式）
注意：
当P / S被设定为低的并行模式被使能。
直接并联方式
- 输出是通过控制电压输入，直接改变了。在LE （锁存使能）必须在
一个逻辑高电平，以控制这种方式。
锁存并行模式
- 输出使用的控制电压输入选择和设置，而LE处于低
状态。这是不会改变的状态，而LE为低。一旦所有的控制电压输入是在理想状态的LE是
脉冲。看到上面的时序图，以供参考。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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8-4
HMC677LP5 / 677LP5E
v02.0309
6位串行/并行交换
驱动器/控制器
上电状态
如果LE设置为逻辑低电平上电时，逻辑状态
PUP1和PUP2决定了加电状态
每PUP真值表的一部分。如果LE设置为逻辑高电平
在上电时，I5 - I0的逻辑状态确定
每真值表的部分电状态。在衰减
锁存器中所需的电状态约
上电后200毫秒。
上电序列
理想的上电顺序为： GND ，VDD电压， V型，
Voph ，数字输入。数字的相对顺序
输入不是重要的，只要它们是电动
在VDD / V型/ Voph / GND 。
8
输入
Ix
低
高
Bx
VEE
Voph
输出
BXB
Voph
VEE
状态
低
高
VDD = 3V +
0 0.5V @ <1 μA
2 3V @ <1 μA
VDD = 5V +
0 0.8V @ <1 μA
2 5V @ <1 μA
PUP真值表
输出国家
LE
0
0
0
0
1
PUP2
0
0
1
1
X
PUP1
B5
0
1
0
1
X
0
0
1
1
B4
0
1
0
1
B3
0
0
0
1
B2
0
0
0
1
B1
0
0
0
1
B0
0
0
0
1
通过设置输入九
对于输入（ LE ， PUP1 ， PUP2 ） ，逻辑“0” = 0V和逻辑“1” = VDD
为输出，逻辑“0”是的Bx = V形， BXB = Voph ，和逻辑“1”的Bx = Voph ， BXB = V形
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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8-5
接口 - SMT
控制电压表
真值表
HMC677LP5 / 677LP5E
v02.0309
6位串行/并行交换
驱动器/控制器
绝对最大额定值
数字输入
（ I0 - I5 ，移位时钟，锁存使能，
P / S ， PUP和数据输入）
偏置电压（VDD ）
偏置电压（ VEE）
偏置电压（ Voph ）
-0.5 VDD + 0.5V
5.6 V
-5.6 V
2.3 V
125 °C
325毫瓦
123 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
8
接口 - SMT
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免8.2毫瓦/ ° C以上85°C ）
[1]
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB接地。
6.列为潮湿敏感度等级（ MSL） 1 。
包装信息
产品型号
HMC677LP5
HMC677LP5E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H677
XXXX
H677
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
8-6
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20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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