HMC670LC3C
v02.1209
13 Gbps的, 1 : 2扇出缓冲器
典型应用
该HMC670LC3C是理想的:
射频ATE应用
特点
投入50欧姆端接在内部
差分输入是直流耦合
传播延迟: 55 PS
快速的上升和下降时间: 22分之24 PS
可编程差动
输出电压摆幅: 400 - 1100毫伏
功耗: 240毫瓦
16引脚3x3mm的陶瓷SMT封装:9毫米
2
7
高速逻辑 - SMT
宽带测试测量&
串行数据传输高达13 Gbps的
时钟缓冲高达13 GHz
工作原理图
概述
该HMC670LC3C是1 : 2扇出缓冲器设计,
支持数据传输速率高达13 Gbps和
时钟频率高达13千兆赫。所有差分
输入和输出被DC耦合,并终止于
芯片与50欧姆电阻器接地。的输出可
在任一单端或差分模式来使用的,
并且应该AC或DC耦合到50欧姆的电阻
连接到地。
该HMC670LC3C还具有输出电平控制
销, VR允许的损耗补偿或信号
级优化。该HMC670LC3C从工作
单-3.3V直流电源供电,在陶瓷可用
符合RoHS标准的3x3毫米表面贴装封装。
电气电源规格,
T
A
= +25 C , V型= -3.3V
参数
电源电压
电源电流
最大数据速率
最大时钟速率
时钟带宽, 3分贝
输入高电压
输入低电压
输入回波损耗
输出幅度
差,峰 - 峰
输出高电压
输出低电压
1100
-10
-570
mVpp的
mV
mV
频率GHZ <13
单端的峰 - 峰
200 mVpp的输入
-0.5
-1.0
10
550
条件
分钟。
-3.6
典型值。
-3.3
75
13
13
12.2
0.5
0.0
最大
-3.0
单位
V
mA
Gbps的
GHz的
GHz的
V
V
dB
mVpp的
7-2
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC670LC3C
v02.1209
13 Gbps的, 1 : 2扇出缓冲器
电气电源规格,
(续)
参数
输出上升/下降时间
输出回波损耗
小信号增益
随机抖动J的
R
确定性抖动,J
D
传播延迟, TD
D1到D2的数据偏移,T
SKEW
RMS
[1]
δ
-
δ,
2
15
-1 PRBS输入
[2]
2
55
0
条件
单端, 20 % - 80 %
频率GHZ <13
分钟。
典型值。
24 / 22
10
27
0.2
6
最大
单位
ps
dB
dB
ps的均方根
ps
ps
ps
7
高速逻辑 - SMT
7-3
[1]上限随机抖动,J
R
通过测量和在5积分输出相位噪声与sinusodal输入,10和13.5千兆赫以上确定
温度。
在5 ,10和13.5千兆赫带200 mVpp的,2个测定值[ 2]确定性抖动
15
-1的PRBS输入序列。
直流电流与电源电压
100
90
[1]
输出低电压
- 电源电压
[1] [2]
-200
直流电流(mA)
+25C
+85C
-40C
低电压输出(MV )
-300
+25C
+85C
-40C
80
-400
70
-500
60
-600
50
-700
40
-3.7
-3.6
-3.5
-3.4
-3.3
-3.2
-3.1
-3
-2.9
-800
-3.7
-3.6
-3.5
-3.4
-3.3
-3.2
-3.1
-3
-2.9
电源电压VEE ( V)
电源电压VEE ( V)
输出高电压
- 电源电压
[1] [2]
0
共模
电压与电源电压
[1] [2]
0
共模电压(MV )
高电压输出(MV )
-50
-100
-150
-200
-250
-300
-350
-400
-450
-3.7
+25C
+85C
-40C
-10
-20
+25C
+85C
-40C
-30
-40
-50
-3.7
-3.6
-3.5
-3.4
-3.3
-3.2
-3.1
-3
-2.9
-3.6
-3.5
-3.4
-3.3
-3.2
-3.1
-3
-2.9
电源电压VEE ( V)
电源电压VEE ( V)
[1] VR = 0.0V
[2]频率= 1 GHz的
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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13 Gbps的, 1 : 2扇出缓冲器
差分输出
- 电源电压
[1] [2]
1600
上升/下降时间与VR
[3]
27
差分电压(毫伏)
上升/下降时间, 20 % -80 % ( PS)
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
-3.7
+25C
+85C
-40C
25
7
高速逻辑 - SMT
23
21
19
tr
tf
17
15
-3.6
-3.5
-3.4
-3.3
-3.2
-3.1
-3
-2.9
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0.2
0.4
电源电压VEE ( V)
VR ( V)
输出差分与VR
[2]
1600
输入回波损耗与频率的关系
0
-10
差分电压(毫伏)
1400
回波损耗(分贝)
1200
1000
800
600
400
200
0
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0.2
0.4
+25C
+85C
-40C
-20
-30
典型的S11
S11差
-40
-50
-60
0
3
6
9
12
15
VR ( V)
频率(GHz )
输出回波损耗与频率
0
-5
大信号增益@ 25C
14
12
10
回波损耗(分贝)
-10
增益(dB )
典型的S22
差S22
-15
-20
-25
-30
-35
-40
0
3
6
9
12
15
8
6
4
2
0
0
3
6
9
12
15
单端S21
差S21
频率(GHz )
频率(GHz )
[1] VR = 0.0V
[2]频率= 1 GHz的
[3]频率= 5GHz的
7-4
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13 Gbps的, 1 : 2扇出缓冲器
眼图
参数
比特率
码型长度
DJ ( δ - δ )
垂直刻度
时间尺度
条件
10.00000 Gbps的
32767位
7.2 PS
100 mV /格
16.7 PS / DIV
7
高速逻辑 - SMT
7-5
[1]试验条件:
用Agilent N4901B串行BERT码型产生
介绍上的Infinium DCA 86100A眼图数据
率= 10.0 GB / s的
伪随机码= 2
15
-1
VIN = 400 mVpp的差
[2]垂直标度= 100 mV /格
时序图
真值表
输入
DIN
L
H
注意事项:
DIN = DINP - DINN
D1 = d1p - D1N
D2 = D2P - D2N
D1
L
H
- 正差分电压
L - 负电压差
输出
D2
L
H
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13 Gbps的, 1 : 2扇出缓冲器
绝对最大额定值
电源电压( V型)
输入信号
输出信号
-3.75V至+ 0.5V
-2V至+ 0.5V
-1.5V至+ 1V
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
静电敏感器件
观察处理注意事项
7
高速逻辑 - SMT
储存温度
工作温度
外形绘图
注意事项:
1.包装体材质:氧化铝
2.铅和接地焊盘镀层:
30-80微英寸的镀金50微英寸的最低镍。
3.尺寸单位:英寸[毫米]为单位。
4.引线间距有容乃非累积。
五,包装WARP不得超过0.05毫米DATUM -C-
6.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
7.接地焊盘必须焊接至VEE 。
7-6
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