HMC666LP4
/
666LP4E
v02.1010
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 3.1 - 3.9 GHz的
特点
高输入IP3 ： +31 dBm的
低转换损耗： 9分贝
低LO驱动： 0 dBm的
上转换&下变频应用
优化的低端LO输入
24引脚的4x4mm表面贴装封装：16毫米
2
典型应用
该HMC666LP4 （ E）是理想的：
的WiMAX / 4G &固定无线
10
混频器 - 单&双平衡 - SMT
基础设施&中继器
变送器&接收器
测试&测量设备
工作原理图
概述
该HMC666LP4 （ E）是一种高动态范围
无源MMIC混频器集成LO放大器
在一个4x4 QFN SMT封装占地3.1 - 3.9
千兆赫。 +31出色的输入IP3性能
提供用于WiMAX dBm的降频转换
并固定在一个LO驱动无线应用
0 dBm的。 LO端口被用于低端LO优化
应用程序。随着23输入1 dB压缩
dBm时， RF端口将接受一个宽范围的输入
信号电平。转换损耗为9 dB的典型。该
DC至800 MHz的IF频率响应将满足
WiMAX的传输或接收频率规划。该
HMC666LP4 （ E）是引脚对引脚的兼容
HMC688LP4 （E ），这是一个2.0 - 2.7 GHz的混频器
LO放大器。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， IF = 300 MHz的LO = 0 dBm时， VCC = VCC1 ， 2 ， 3 = + 5V ， G_Bias = + 2.5V
参数
频率范围， RF
频率范围， LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
1 dB压缩（输入）
LO输入驱动电平（典型值）
电源电流ICC总
*除非另有说明，低边LO & IF = 300 MHz的执行作为下变频器的所有测量。
21
22
34
分钟。
典型值。
3.1 - 3.9
2.8 - 3.6
DC - 800
9
9
27
29
42
31
23
-3到+3
162
195
12
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
10 - 1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC666LP4 / 666LP4E
v02.1010
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 3.1 - 3.9 GHz的
隔离
0
-10
LO / IF
射频/中频
LO / RF
转换增益与温度的关系
0
转换增益（dB ）
-5
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4
3
3.2
3.4
-10
10
3.8
4
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-20
频率（GHz ）
3.6
频率（GHz ）
转换增益与LO驱动
0
回波损耗
0
转换增益（dB ）
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
-10
-15
-15
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
+6 dBm的
-20
RF
LO
-20
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4
频率（GHz ）
-25
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4
频率（GHz ）
中频带宽（LO = 3.2千兆赫）
0
-5
响应（ dB）的
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0.1
如果RL
CG
输入P1dB为与温度的关系
30
25
P1dB的（ DBM）
20
15
+25 C
+85 C
-40 C
10
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
10 - 2
混频器 - 单&双平衡 - SMT
HMC666LP4 / 666LP4E
v02.1010
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 3.1 - 3.9 GHz的
输入IP3与温度
[1]
40
输入IP3主场迎战LO驱动器
[1]
40
IP3 （ dBm的）
IP3 （ dBm的）
10
混频器 - 单&双平衡 - SMT
36
35
32
30
28
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
+6 dBm的
24
25
+25 C
+85 C
-40 C
20
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4
频率（GHz ）
20
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4
频率（GHz ）
+ 2RF -2LO响应与温度的关系
[2]
90
+25 C
+85 C
-40 C
+ 2RF -2LO响应主场迎战LO驱动
[2]
90
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
+6 dBm的
80
响应（ DBC）
80
响应（ DBC）
3.7
3.8
3.9
70
70
60
60
50
50
40
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
40
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
频率（GHz ）
频率（GHz ）
+ 3RF -3LO响应与温度的关系
[2]
85
+25 C
+85 C
-40 C
+ 3RF -3LO响应主场迎战LO驱动
[2]
85
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
+6 dBm的
80
响应（ DBC）
80
响应（ DBC）
3.7
3.8
3.9
75
75
70
70
65
65
60
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
60
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
频率（GHz ）
频率（GHz ）
[1]双音输入功率= 10 dBm的每一个音调， 1 MHz的间距。 [2]被引用到RF输入功率为0 dBm的。
10 - 3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC666LP4 / 666LP4E
v02.1010
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 3.1 - 3.9 GHz的
上变频器性能
输入IP3主场迎战LO驱动器
[1]
36
上变频器性能
转换增益与LO驱动
0
转换增益（dB ）
-5
IP3 （ dBm的）
32
28
-10
10
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
+6 dBm的
24
-15
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
+6 dBm的
20
-20
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4
频率（GHz ）
16
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4
频率（GHz ）
绝对最大额定值
RF / IF输入（ VCC1 ， 2 ， 3 = + 5V ）
LO驱动器（ VCC1 ， 2 ， 3 = + 5V ）
VCC1 1,2,3
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免36.23毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
+23 dBm的
+10 dBm的
5.5V
125 °C
1.45 W
27.6 ° C / W
-65 ℃150℃
-40至+85 C
MXN虚假@ IF端口
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
xx
35
85
105
120
1
22
0
69
85
120
2
31
44
57
91
120
3
35
35
68
67
113
4
51
69
81
85
108
RF频率。 = 3.5 GHz的@ 0 dBm的
LO频率。 = 3.2 GHz的@ 0 dBm的
在dBc的所有值的下方功率电平（ 1RF - 1LO ） 。
静电敏感器件
观察处理注意事项
典型电源电流和VCC的关系
VCC1 ，2，3 （V）的
4.75
5.00
5.25
ICC共（马）
149
162
174
LO谐波
非线性光学马刺@ RF端口
LO频率。 （千兆赫）
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
1
31
30
28
28
27
27
27
28
28
29
30
2
33
30
30
29
28
29
30
31
33
34
35
3
46
46
47
48
48
48
51
56
55
57
58
4
55
60
59
55
53
70
58
52
48
45
46
下变频器将运行在上面显示全电压范围。
LO = 0 dBm的
以dBc以下输入LO电平值的所有测量RF端口。
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
10 - 4
混频器 - 单&双平衡 - SMT
HMC666LP4 / 666LP4E
v02.1010
BiCMOS工艺MMIC混频器W /综合
LO放大器， 3.1 - 3.9 GHz的
外形绘图
10
混频器 - 单&双平衡 - SMT
注意事项：
1.包装体材质：低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.铅和地面桨材料：铜合金。
3.铅和地面桨电镀：采用100％雾锡。
4.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
5.引线间距有容乃非累积。
6.垫毛刺长度应0.15毫米最大。
垫毛刺高度应到0.25mm最大。
7.封装翘曲不得超过0.05毫米
8.所有接地引线和接地桨
必须焊接到PCB的RF接地。
9.参考赫梯应用笔记
对于建议的PCB焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC666LP4
HMC666LP4E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H666
XXXX
H666
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
10 - 5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
QQ：2881677436 复制
