HMC637LP5 / 637LP5E
v02.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放， DC - 6 GHz的
特点
的P1dB输出功率： +29 dBm的
增益： 13分贝
输出IP3 ： 40 dBm的
50欧姆匹配输入/输出
32引线5x5毫米铅SMT封装： 25毫米
2
典型应用
该HmC637lp5 （五）宽带PA的理想选择：
电信基础设施
微波无线电& VSAT
军事&空间
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
测试仪表
光纤
工作原理图
概述
该HmC637lp5 （e）是一个砷化镓MESFET
分布式电源放大器工作bet-
吐温DC和6 GHz 。该放大器提供13分贝
增益， + 40 dBm的输出IP3和+29 dBm的输出的
同时要求400电源1 dB增益压缩
毫安从+ 12V电源。增益平坦度是优秀的
±0.75 dB处的DC - 6 GHz的制作HmC637lp5 （五）
理想的EW ， ECM ，雷达和测试设备
应用程序。该HmC637lp5 （五）放大器的I / O
内部匹配到50欧姆， 5×5毫米
QFN封装是高量的SMT兼容
组装设备。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = + 12V ， Vgg2 = + 5V ，国际长途= 400毫安*
参数
频带
收益
增益平坦度
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（ IDD）
320
27
12
分钟。
典型值。
DC - 6
13
±0.75
0.025
12
15
29
29.5
40
5
400
480
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
*调整VGG1 -2之间为0V ，实现独立同= 400 mA典型。
9-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
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HMC637LP5 / 637LP5E
v02.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放， DC - 6 GHz的
增益与温度
18
16
获得&回波损耗
20
10
响应（ dB）的
S21
S11
S22
14
12
增益（dB ）
10
8
6
+25C
+85C
-40C
0
-10
-20
4
2
9
6
8
-30
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
0
0
2
4
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
+25C
+85C
-40C
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
+25C
+85C
-40C
反向隔离与温度的关系
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
+25C
+85C
-40C
噪声系数与温度
12
+25C
+85C
-40C
10
噪声系数（dB ）
8
6
4
2
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
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9-2
放大器 - 线性& POWER - SMT
HMC637LP5 / 637LP5E
v02.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放， DC - 6 GHz的
PSAT与温度的关系
32
30
28
26
24
22
20
+25C
+85C
-40C
P1dB为与温度的关系
32
30
28
26
24
22
+25C
+85C
-40C
P1dB的（ DBM）
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
20
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
PSAT （ DBM）
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
输出IP3与温度的关系
60
55
50
IP3 （ dBm的）
45
40
35
30
25
20
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
+25C
+85C
-40C
增益，功率&输出IP3主场迎战
电源电压@ 3 GHz的固定VGG
增益（dB） ，的P1dB （ dBm的） ，PSA （ dBm的） ， IP3 （ dBm的）
45
40
35
30
25
20
15
10
11.5
收益
P1dB
PSAT
IP3
12
Vdd的（V）的
12.5
获得&回波损耗与频率的关系，
对数刻度
20
输出IP3与温度的关系，
对数刻度
60
55
10
响应（ dB）的
S21
S11
S22
50
IP3 （ dBm的）
45
40
35
30
25
+25C
+85C
-40C
0
-10
-20
-30
0.01
0.1
1
10
20
0.01
0.1
1
10
频率（GHz ）
频率（GHz ）
9-3
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砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放， DC - 6 GHz的
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
11.5
12.0
12.5
IDD （MA ）
373
400
425
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
栅极偏置电压（ VGG1 ）
栅极偏置电压（ Vgg2 ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = + 12VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免87毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
14伏直流
-3至0伏
+4到+7伏
+25 dBm的
150 °C
5.7 w
11.5 ° C / W
-65 ℃150℃
-40到85°C
静电敏感器件
观察处理注意事项
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
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外形绘图
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HmC637lp5
HmC637lp5e
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
msl1
msl1
[1]
包装标志
[3]
H637
XXXX
H637
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
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