HMC637
v03.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放， DC - 6 GHz的
特点
的P1dB输出功率： +29 dBm的
增益： 14分贝
输出IP3 ： +41 dBm的
偏置电源： + 12V ， + 6V ， -1V
50欧姆匹配输入/输出
芯片尺寸： 2.98 X 2.48 X 0.1毫米
典型应用
该hmC637是理想的：
电信基础设施
微波无线电& VSAT
军事&空间
测试仪表
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
光纤
工作原理图
概述
该hmC637是GaAs MMIC分布式MESFET
功率放大器死其DC之间运行
6 GHz的。该放大器提供的增益为14 dB时，
+41 dBm的输出IP3和+29 dBm的输出功率
1 dB增益压缩，同时要求400毫安
从+ 12V电源。增益平坦度非常出色，在± 0.5
分贝从DC到6GHz使hmC637理想
EW ， ECM ，雷达和测试设备的应用程序。
该hmC637放大器的I / O内部匹配
50欧姆促进融入辑阵，削片
芯片模块（MCM ） 。所有数据是与芯片
通过两个0.025毫米（ 1密耳）引线键合连接
最小长度0.31毫米（12密耳）。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = + 12V ， Vgg2 = + 6V ，国际长途= 400毫安*
参数
频带
收益
增益平坦度
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（ IDD）
11
分钟。
典型值。
DC - 6
14
±0.5
±2
13
18
29
30
41
5
400
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
*调整-2V之间VGG1至0V，实现电流IDD = 400毫安典型。
3-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC637
v03.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放， DC - 6 GHz的
增益与温度
18
16
宽带增益&回波损耗
20
10
响应（ dB）的
S21
S11
S22
14
12
增益（dB ）
10
8
+25C
+85C
-55C
0
3
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
-10
-20
4
2
-30
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
0
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
+25C
+85C
-55C
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
+25C
+85C
-55C
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
反向隔离与温度的关系
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
+25C
+85C
-55C
噪声系数与温度
12
噪声系数（dB ）
9
+25C
+85C
-55C
6
3
0
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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放大器 - 线性&力量 - 芯片
6
HMC637
v03.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放， DC - 6 GHz的
PSAT与温度的关系
32
30
28
26
24
22
20
+25C
+85C
-55C
P1dB为与温度的关系
32
30
P1dB的（ DBM）
26
24
22
20
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
+25C
+85C
-55C
放大器 - 线性&力量 - 芯片
PSAT （ DBM）
3
28
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
输出IP3与温度的关系
60
55
50
IP3 （ dBm的）
45
40
35
30
25
20
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
+25C
+85C
-55C
增益，功率&输出IP3主场迎战
电源电压@ 3 GHz的固定VGG
增益（dB） ，的P1dB （ dBm的） ，PSA （ dBm的） ， IP3 （ dBm的）
45
40
35
30
25
20
15
10
11.5
收益
P1dB
PSAT
IP3
12
Vdd的（V）的
12.5
输出IP3与输出音频功率
60
55
50
IP3 （ dBm的）
45
40
35
30
25
20
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
0 dBm的
10 dBm的
20 dBm的
3-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
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砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放， DC - 6 GHz的
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
11.5
12.0
12.5
IDD （MA ）
375
400
430
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
栅极偏置电压（ VGG1 ）
栅极偏置电压（ Vgg2 ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = + 12V伏）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免106 MW / ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
14伏直流
-3至0伏
+4到+ 7V
+25 dBm的
150 °C
6.9 w
9.4 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
3-4
静电敏感器件
观察处理注意事项
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砷化镓MESFET MMIC 1瓦
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外形绘图
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
芯片封装信息
标准
GP - 1 （胶装）
[1]
注意事项：
1.英寸[毫米]为所有尺寸
2. DIE厚度为0.004 （ 0.100 ）
3.典型的焊盘为0.004 （ 0.100 ） SQUARE
4.焊垫金属化：金
5.背面金属：金
6.背面金属研磨
7.无连接所需的用于无标签的焊垫
8.总体裸片尺寸± 0.002
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
3-5
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