HMC636ST89
/
636ST89E
v02.0311
砷化镓pHEMT的高线性度
增益模块， 0.2 - 4.0 GHz的
特点
低噪声系数： 2.2分贝
高的P1dB输出功率： +22 dBm的
高输出IP3 ： 40 dBm的
增益： 13分贝
50欧姆的I / O - 无需外部匹配
行业标准SOT89封装
典型应用
该HmC636sT89 （ E）是理想的：
蜂窝/ PCS / 3G
WiMAX和WiBro的， &固定无线
CATV &电缆调制解调器
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
微波无线
工作原理图
概述
该HmC636sT89 （五）为GaAs PHEMT ，高
线性度，低噪声，宽带增益模块放大器
覆盖0.2至4.0千兆赫。包装行业
标准SOT89 ，放大器可以用作任
可级联50欧姆增益级，在PA前置驱动器，一个
低噪声放大器或增益模块具有多达23
dBm的输出功率。这种多用途的增益模块放大器
从+ 5V单电源供电，不要求
外部匹配元件的内部匹配
拓扑结构使得几乎与该放大器兼容
任何PCB材料或厚度。
电气连接特定的阳离子，
VS = 5.0 V ，T
A
= +25° C
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
19
36
10
民
典型值。
0.2 - 2.0
13
0.01
10
13
22
22
39
2.5
155
20
36
0.02
5
最大
分钟。
典型值。
2.0 - 4.0
10
0.01
10
15
20
23
39
2
155
175
0.02
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
注：随着宽带偏置T形设备上输出所采取的数据。
9-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC636ST89 / 636ST89E
v02.0311
砷化镓pHEMT的高线性度
增益模块， 0.2 - 4.0 GHz的
增益与温度
16
14
12
宽带增益&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
S21
S11
S22
0
-5
-10
-15
-20
0
1
2
增益（dB ）
5
10
8
6
4
2
0
+25C
+85C
-40C
9
3
4
3
4
5
6
0
1
2
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
-5
-5
+25C
+85C
-40C
-10
-15
+25C
+85C
-40C
-15
-20
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
-20
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
+25C
+85C
-40C
噪声系数与温度
10
9
-5
8
噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-20
-25
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
0
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
9-2
放大器 - 线性& POWER - SMT
HMC636ST89 / 636ST89E
v02.0311
砷化镓pHEMT的高线性度
增益模块， 0.2 - 4.0 GHz的
PSAT与温度的关系
30
25
20
15
10
5
0
+25C
+85C
-40C
P1dB为与温度的关系
30
25
20
15
10
5
P1dB的（ DBM）
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
+25C
+85C
-40C
0
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
PSAT （ DBM）
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
功率压缩@ 850 MHz的
28
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
24
20
16
12
8
4
0
-4
-8
-20
-16
-12
-8
-4
0
4
8
噘
收益
PAE
功率压缩@ 2200 MHz的
32
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
28
24
20
16
12
8
4
0
-4
-8
-20
-16
-12
-8
-4
0
4
8
12
16
噘
收益
PAE
12
16
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
输出IP3与输入功率音
45
增益，功率，输出IP3 &电源电流
与电源电压@ 850 MHz的
增益（dB） ，的P1dB （ dBm的） ，PSA （ dBm的） ， IP3 （ dBm的）
50
Is
160
140
120
100
收益
P1dB
PSAT
OIP3
40
40
IP3 （ dBm的）
35
是（毫安）
30
80
60
40
20
30
0 dBm的
+ 5 dBm的
+10 dBm的
25
20
20
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
10
4.5
4.75
5
VS （ VDC ）
5.25
0
5.5
9-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC636ST89 / 636ST89E
v02.0311
砷化镓pHEMT的高线性度
增益模块， 0.2 - 4.0 GHz的
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VCC = + 5VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免13.3毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（通道线）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+5.5伏
+16 dBm的
150 °C
0.86 w
75.6 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
9-4
1A级
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：
模塑料MP- 180S或同等学历。
2.导线材料：铜瓦/银点镀。
3.镀铅： 100 ％雾锡。
4.尺寸单位：英寸[毫米]为
5.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
6.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
7.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HmC636sT89
HmC636sT89e
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
msl1
msl1
[1]
包装标志
[3]
H636
XXXX
H636
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC636ST89 / 636ST89E
v02.0311
砷化镓pHEMT的高线性度
增益模块， 0.2 - 4.0 GHz的
引脚说明
引脚数
功能
描述
接口示意图
1
RFIN
该引脚的直流耦合。片外
隔直流电容。
9
3
RFOUT
RF输出和直流偏置放大器。
请参阅片组件的应用电路。
放大器 - 线性& POWER - SMT
2, 4
GND
这些引脚和封装的底部必须
被连接到射频/直流接地。
应用电路
9-5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC636ST89
/
636ST89E
v00.1207
砷化镓pHEMT的高线性度
增益模块， 0.2 - 4.0 GHz的
典型应用
该HmC636sT89 （ E）是理想的：
蜂窝/ PCS / 3G
WiMAX和WiBro的， &固定无线
CATV &电缆调制解调器
微波无线
特点
低噪声系数： 2.2分贝
高的P1dB输出功率： +22 dBm的
高输出IP3 ： 40 dBm的
增益： 13分贝
50欧姆的I / O - 无需外部匹配
行业标准SOT89封装
工作原理图
概述
该HmC636sT89 （五）为GaAs PHEMT ，高
线性度，低噪声，宽带增益模块放大器
覆盖0.2至4.0千兆赫。包装行业
标准SOT89 ，放大器可以用作任
可级联50欧姆增益级，在PA前置驱动器，一个
低噪声放大器或增益模块具有多达23
dBm的输出功率。这种多用途的增益模块放大器
从+ 5V单电源供电，不要求
外部匹配元件的内部匹配
拓扑结构使得几乎与该放大器兼容
任何PCB材料或厚度。
6
线性&功率放大器 - SMT
电气电源规格，
VS = 5.0 V ，T
A
= +25° C
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
19
36
10
民
典型值。
0.2 - 2.0
13
0.01
10
13
22
22
39
2.5
155
20
36
0.02
5
最大
分钟。
典型值。
2.0 - 4.0
10
0.01
10
15
20
23
39
2
155
0.02
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
dB
DBM
dB
mA
注：随着宽带偏置T形设备上输出所采取的数据。
6 - 326
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC636ST89 / 636ST89E
v00.1107
砷化镓pHEMT的高线性度
增益模块， 0.2 - 4.0 GHz的
宽带增益&回波损耗
20
15
响应（ dB）的
10
S21
S11
S22
增益与温度
16
14
12
增益（dB ）
10
8
6
4
2
0
+25C
+85C
-40C
5
0
-5
-10
-15
-20
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
频率（GHz ）
6
+25C
+85C
-40C
0
0
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
-15
+25C
+85C
-40C
-15
-20
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
-20
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
+25C
+85C
-40C
噪声系数与温度
10
9
-5
8
噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-20
-25
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
0
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
6 - 327
线性&功率放大器 - SMT
输入回波损耗随温度的变化
输出回波损耗随温度的变化
HMC636ST89 / 636ST89E
v00.1107
砷化镓pHEMT的高线性度
增益模块， 0.2 - 4.0 GHz的
P1dB为与温度的关系
30
25
20
15
10
5
0
PSAT与温度的关系
30
25
20
15
10
5
0
+25C
+85C
-40C
P1dB的（ DBM）
+25C
+85C
-40C
6
线性&功率放大器 - SMT
28
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
24
20
16
12
8
4
0
-4
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
PSAT （ DBM）
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
功率压缩@ 850 MHz的
功率压缩@ 2200 MHz的
32
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
28
24
20
16
12
8
4
0
-4
16
-8
-20
-16
-12
-8
-4
0
4
8
12
16
噘
收益
PAE
噘
收益
PAE
-8
-20
-16
-12
-8
-4
0
4
8
12
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
输出IP3与输入功率音
45
增益，功率， OIP3 &电源电流
与电源电压@ 850 MHz的
增益（dB） ，的P1dB （ dBm的） ，PSA （ dBm的） ， OIP3 （ dBm的）
50
Is
160
140
120
100
收益
P1dB
PSAT
OIP3
40
OIP3 （ dBm的）
40
35
是（毫安）
30
0 dBm的
+ 5 dBm的
+10 dBm的
30
80
60
25
20
40
20
20
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
10
4.5
4.75
5
VS （ VDC ）
5.25
0
5.5
6 - 328
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC636ST89 / 636ST89E
v00.1107
砷化镓pHEMT的高线性度
增益模块， 0.2 - 4.0 GHz的
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VCC = + 5VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免13.3毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（通道线）
储存温度
工作温度
+5.5伏
+16 dBm的
150 °C
0.86 W
75.6 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
6
线性&功率放大器 - SMT
6 - 329
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC636ST89
HMC636ST89E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H636
XXXX
H636
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC636ST89 / 636ST89E
v00.1107
砷化镓pHEMT的高线性度
增益模块， 0.2 - 4.0 GHz的
引脚说明
引脚数
功能
描述
接口示意图
1
RFIN
该引脚的直流耦合。片外
隔直流电容。
3
RFOUT
RF输出和直流偏置放大器。
请参阅片组件的应用电路。
6
线性&功率放大器 - SMT
2, 4
GND
这些引脚和封装的底部必须
被连接到射频/直流接地。
应用电路
6 - 330
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
QQ：2881677436 复制
