HMC624LP4
/
624LP4E
v02.0807
0.5分贝LSB的GaAs MMIC 6位
数字衰减器， DC - 6 GHz的
典型应用
特点
0.5分贝LSB步骤31.5分贝
高输入IP3 ： +55 dBm的
低插入损耗： 2.2分贝@ 3.5 GHz的
TTL / CMOS兼容，串行或并行控制
±0.25 dB的典型步骤错误
单+ 3V或+ 5V电源
紧凑的4x4mm表面贴装封装
10
衰减器 - SMT
该HMC624LP4 （ E）是理想的：
蜂窝/ 3G基础设施
的WiBro / WiMAX的/ 4G
微波无线电& VSAT
测试设备和传感器
如果&射频应用
工作原理图
概述
该HMC624LP4 （E）为一个宽带的6位的砷化镓集成电路
数字衰减器中的一个低成本的无铅SMT封装。
这种多用途的数字衰减器采用片
交流接地电容接近直流操作，使得
它适合于各种各样的射频和中频应用。
双模式控制接口为CMOS / TTL
兼容，要么接受一个三线串行
输入或6位并行字。该HMC624LP4 （ E）也
具有用户可选的上电状态和串行
用于级联其它赫梯串行控制输出端口
组件。该HMC624LP4 （ E）装在一个
符合RoHS标准的4x4毫米QFN无铅封装，并
无需外部匹配元件。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C，在VDD = 5V + & VCTL = 0 / + 5V
（除非另有说明）
参数
插入损耗
衰减范围
回波损耗（阿丹， ATTOUT ，所有安泰信。国）
衰减精度： （参考插入损耗）
所有衰减状态
输入功率0.1 1dB压缩
输入三阶截点
（双音输入功率= 10 dBm的每个音）
DC - 6.0 GHz的
DC - 0.8 GHz的
0.8 - 6.0 GHz的
DC - 6.0 GHz的
DC - 6.0 GHz的
频率（GHz ）
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 6.0 GHz的
分钟。
典型值。
1.8
2.8
31.5
15
± （安泰信，设定为0.10 + 5 ％ ）最大。
± （安泰信，设定为0.30 + 3 ％ ）最大。
30
55
马克斯。
2.4
3.8
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
10 - 202
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC624LP4
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624LP4E
v02.0807
0.5分贝LSB的GaAs MMIC 6位
数字衰减器， DC - 6 GHz的
归一化衰减
[1]
插入损耗与温度的关系
[1]
0
（唯一的主要状态示）
0
归一化的衰减量（dB ）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
10
衰减器 - SMT
10 - 203
插入损耗（dB ）
-1
-2
-3
+25 C
+85 C
-40 C
-4
-5
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
频率（GHz ）
输入回波损耗
[1]
（唯一的主要状态示）
0
-5
回波损耗（分贝）
输出回波损耗
[1]
（唯一的主要状态示）
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
误码与频率的关系
[2]
误码主场迎战衰减状态
[2]
1
0.8
0.6
1
错误（分贝）
错误（分贝）
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
0
4
8
12
16
20
24
28
32
衰减状态（分贝）
-1.5
-2
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
0.5
0
-0.5
-1
（唯一的主要状态示）
2
1.5
[1 ]数据采取对输入和输出的RF端口偏压T型接头。
[2] C1， C6 = 330pF的
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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0.5分贝LSB的GaAs MMIC 6位
数字衰减器， DC - 6 GHz的
最坏的情况下步骤错误
之间连续衰减状态
[2]
IP3与温度的关系
[2]
80
75
70
65
IP3 （ dBm的）
60
55
50
45
40
35
30
10
步骤错误（分贝）
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
衰减器 - SMT
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
10 - 204
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v02.0807
0.5分贝LSB的GaAs MMIC 6位
数字衰减器， DC - 6 GHz的
串行模式
被使能的串行模式则P / S设置为高。数据输入LSB第一和第六移位时钟周期后LE
（锁存使能）是脉冲高后低。见下面的时序图，以供参考。
10
衰减器 - SMT
时序图
定时
参数
串行输入建立时间
持有时间序列
输入移位时钟
从转移建立时间
时钟锁存使能
传播延迟
新数据建立时间
符号
ts
th
tlsup
tPD的
tsnd
VDD = 5V +
（典型值）。
20
20
40
10
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
时序图
（锁存并行模式）
并行模式
（直接并联方式&锁存并行模式）
直接并联方式
- 衰减状态由控制电压输入，直接改变了。在LE （锁存使能）
必须处于逻辑高电平，以控制以这种方式衰减。
锁存并行模式
- 衰减状态被选择使用的控制电压输入和设置，而LE是
低的状态。衰减器是不会改变的状态，而LE为低。一旦所有的控制电压输入为所需
状态的LE是脉冲。见下面的时序图，以供参考。
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10 - 205
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0.5分贝LSB的GaAs MMIC 6位
数字衰减器， DC - 6 GHz的
上电状态
平行PUP真值表
P / S
0
0
0
0
0
LE
0
0
0
0
1
PUP2
0
1
0
1
X
PUP1
0
0
1
1
X
衰减状态
31.5分贝
24分贝
16分贝
8分贝
0.5 31.5分贝
10
衰减器 - SMT
使用并行PUP真值表衰减器可以
可以在一个特定的衰减状态开启。通过使用
在PUP1和PUP2线四个不同的衰减
态可以被选择。它也可以在使用
通过控制电压输入直接并联方式
选择衰减值。
注意：电源与乐= 1为正常并联运行
与D0 - D5和PUP1和PUP2不活跃。
绝对最大额定值
RF输入功率（ DC - 6 GHz的）
[1]
数字输入（复位，移位时钟，
锁存使能&串行输入）
偏置电压（VDD ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免9.8毫瓦/ ° C以上85°C ）
[1]
热阻
储存温度
工作温度
[1]在最大增益稳定
27 dBm的（T = 85 ° C）
-1.5V至（VDD + 1.5V ）直流电压
5.6 VDC
150 °C
0.635 W
102 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
真值表
控制电压输入
衰减状态
D5
高
高
高
高
高
高
低
低
D4
高
高
高
高
高
低
高
低
D3
高
高
高
高
低
高
高
低
D2
高
高
高
低
高
高
高
低
D1
高
高
低
高
高
高
高
低
D0
高
低
高
高
高
高
高
低
参考
I.L.
0.5分贝
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
31.5分贝
在上述状态中的任何组合将提供一个衰减
近似等于所选择的比特的总和。
偏压
VDD （VDC ）
3
5
国际直拨电话（典型值） （ MA）
1.8
2.0
TTL / CMOS控制电压
状态
低
高
VDD = 3V +或+ 5V
0至0.8V
2.0V至VDD
静电敏感器件
观察处理注意事项
10 - 206
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