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HMC618LP3 / 618LP3E
v04.0508
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 1.7 - 2.2 GHz的
特点
噪声系数： 0.75分贝
增益： 19分贝
OIP3 ： 36 dBm的
单电源： + 3V至+ 5V
50欧姆匹配输入/输出
16引脚3x3mm的SMT封装： 9毫米
2
5
低噪声放大器 - SMT
典型应用
该HMC618LP3 （ E）是理想的：
蜂窝/ 3G和LTE / WIMAX / 4G
&的BT基础设施
中继器和微微细胞
公共安全无线电
工作原理图
概述
该HMC618LP3 （ E）是GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器，非常适合蜂窝/ 3G和
LTE / WIMAX / 4G基站前端接收器
2.2 GHz的 - 1.7之间运行。该放大器具有
经过优化，以提供0.75分贝噪声系数，
19分贝增益，从一个单一的+36 dBm的输出IP3
供给+ 5V 。输入和输出回波损耗
匠心独运的LNA仅需最少的外部
匹配和偏置去耦元件。该
HMC618LP3 （ E）共享相同的封装，
引脚排列与HMC617LP3 （ E） 0.55 - 1.2 GHz的低噪声放大器。
该HMC618LP3 （ E）可以与+ 3V的偏置为+ 5V
并具有外部可调电源电流
这允许设计人员量身打造的线性度
在LNA的每个应用程序的性能。该
HMC618LP3 （ E）是一个理想的替代品
HMC375LP3(E).
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C，R
BIAS
= 10K
VDD = 3 VDC
参数
分钟。
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
12
15
典型值。
1700 - 2000
18
0.009
0.90
17
13
15
16
28
47
65
13.5
1.2
12.5
马克斯。
分钟。
典型值。
2000 - 2200
15.8
0.009
0.9
19
11
15
16
28
47
65
16.5
1.2
16
马克斯。
分钟。
典型值。
1700 - 2000
19
0.008
0.75
18
12.5
20
20.5
35
117
155
18
1.1
13.5
马克斯。
分钟。
典型值。
马克斯。
兆赫
dB
分贝/°C的
1.15
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
155
mA
2000 - 2200
17
0.008
0.85
19.5
9.5
20
21
36
117
VDD = 5 VDC
单位
* RBIAS电阻设定电流，请参阅应用电路这里
5 - 256
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC618LP3 / 618LP3E
v04.0508
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 1.7 - 2.2 GHz的
宽带增益&回波损耗
[1] [2]
25
S21
增益与温度
[1]
24
22
20
5
低噪声放大器 - SMT
5 - 257
15
响应（ dB）的
5
S22
Vdd=5V
Vdd=3V
增益（dB ）
18
16
+25C
+85C
- 40C
-5
-15
S11
14
12
-25
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
1.6
1.7
1.8
频率（GHz ）
1.9
2
2.1
频率（GHz ）
2.2
2.3
增益与温度
[2]
22
20
18
增益（dB ）
16
14
12
10
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率（GHz ）
2.2
2.3
+25C
+85C
- 40C
输入回波损耗随温度的变化
[1]
0
-5
回波损耗（分贝）
+25 C
+85 C
- 40 C
-10
-15
-20
-25
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率（GHz ）
2.2
2.3
输出回波损耗随温度的变化
[1]
0
+25 C
+85 C
- 40 C
反向隔离与温度的关系
[1]
0
-5
-10
隔离度（dB ）
-15
-20
-25
-30
+25 C
+85 C
- 40 C
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-35
-25
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率（GHz ）
2.2
2.3
-40
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率（GHz ）
2.2
2.3
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 10K
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 10K
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC618LP3 / 618LP3E
v04.0508
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 1.7 - 2.2 GHz的
5
低噪声放大器 - SMT
噪声系数与温度
[1] [2] [4]
1.6
1.4
噪声系数（dB ）
1.2
+85C
Vdd=5V
Vdd=3V
输出P1dB为与温度的关系
[1] [2]
24
22
20
P1dB的（ DBM）
18
16
14
12
10
+25 C
+85 C
- 40 C
Vdd=3V
Vdd=5V
1
0.8
+25 C
0.6
0.4
0.2
0
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率（GHz ）
2.2
2.3
-40C
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率（GHz ）
2.2
2.3
PSAT与温度的关系
[1] [2]
24
22
Vdd=5V
输出IP3与温度的关系
[1] [2]
40
38
36
IP3 （ dBm的）
34
32
30
28
26
24
Vdd=3V
+25 C
+85 C
- 40 C
Vdd=5V
20
PSAT （ DBM）
18
Vdd=3V
16
14
12
10
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率（GHz ）
2.2
2.3
+25 C
+85 C
-40 C
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
2.2
2.3
频率（GHz ）
输出IP3和国际长途直拨对比
电源电压@ 1750 MHz的
[3]
38
36
34
IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
国际直拨电话
IP3
输出IP3和国际长途直拨对比
电源电压@ 2100 MHz的
[3]
140
120
100
80
60
40
20
0
5.5
IP3 （ dBm的）
IDD （MA ）
38
36
34
32
30
28
26
24
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
IP3
140
120
100
80
国际直拨电话
IDD （MA ）
60
40
20
0
5.5
电源电压（ V）
电源电压（ V）
[1] VDD = 5V ， Rbias两端= 10K [ 2 ] VDD = 3V ， Rbias两端= 10K
[ 3 ] Rbias两端= 10K [ 4 ]测量基准的评价PCB图中所示的平面。
5 - 258
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC618LP3 / 618LP3E
v04.0508
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 1.7 - 2.2 GHz的
功率压缩@ 1750 MHz的
[1]
30
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
功率压缩@ 1750 MHz的
[2]
30
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
5
低噪声放大器 - SMT
噪声系数（dB ）
20
20
10
10
0
噘
收益
PAE
0
噘
收益
PAE
-10
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
-10
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
功率压缩@ 2100 MHz的
[1]
30
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
功率压缩@ 2100 MHz的
[2]
30
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
20
10
10
0
噘
收益
PAE
0
噘
收益
PAE
-10
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
-10
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
增益，功率&噪声系数对比
电源电压@ 1750 GHz的
[3]
24
22
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
20
18
16
14
12
2.7
收益
P1dB
增益，功率&噪声系数对比
电源电压@ 2100 GHz的
[3]
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
5.5
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
噪声系数（dB ）
24
22
20
18
16
14
12
2.7
收益
P1dB
噪声系数
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
5.5
噪声系数
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
电源电压（ V）
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 10K
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 10K
[3] Rbias两端= 10K
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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5 - 259
HMC618LP3 / 618LP3E
v04.0508
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 1.7 - 2.2 GHz的
5
低噪声放大器 - SMT
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 1750 MHz的
36
34
32
IP3 （ dBm的）
30
28
26
24
22
100
1000
Rbias两端（欧姆）
10000
Vdd=5V
Vdd=3V
增益，噪声系数& Rbias两端@ 1750 MHz的
22
21
20
增益（dB ）
19
18
17
16
15
14
100
1000
Rbias两端（欧姆）
Vdd=5V
Vdd=3V
1.6
1.4
1.2
噪声系数（dB ）
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10000
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 2100 MHz的
38
36
34
增益，噪声系数& Rbias两端@ 2100 MHz的
20
19
18
1.2
1
噪声系数（dB ）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1000
Rbias两端（欧姆）
10000
IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
100
1000
Vdd=5V
Vdd=3V
增益（dB ）
17
16
15
14
Vdd=5V
Vdd=3V
10000
100
Rbias两端（欧姆）
5 - 260
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC618LP3 / 618LP3E
v08.1210
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 1.2 - 2.2 GHz的
特点
噪声系数： 0.75分贝
增益： 19分贝
OIP3 ： 36 dBm的
单电源： + 3V至+ 5V
50欧姆匹配输入/输出
16引脚3x3mm的SMT封装： 9毫米
2
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HmC618lp3e是理想的：
蜂窝/ 3G和LTE / WIMAX / 4G
&的BT基础设施
中继器和微微细胞
公共安全无线电
工作原理图
概述
该HmC618lp3e是GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器，非常适合蜂窝/ 3G和
LTE / WIMAX / 4G基站前端接收器
2.2 GHz的 - 1.2之间运行。该放大器具有
经过优化，以提供0.75分贝噪声系数，
19分贝增益，从一个单一的+36 dBm的输出IP3
供给+ 5V 。输入和输出回波损耗
匠心独运的LNA仅需最少的外部
匹配和偏置去耦元件。该
HmC618lp3e共享相同的封装和引脚
与HmC617lp3e 0.55 - 1.2 GHz的低噪声放大器。该
HmC618lp3e可以与+ 3V，被偏置到+ 5V和
拥有一个外部可调电源电流
这允许设计人员量身打造的线性度
在LNA的每个应用程序的性能。该
HmC618lp3 （五）提供了改进的噪声系数与
之前公布的HmC375lp3 （ E）和
HmC382lp3(e).
电气规格
T
A
= + 25 ° C， Rbias两端= 470欧姆的VDD1 = VDD2 = 5V
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
* RBIAS电阻设定电流，请参阅应用电路这里
14.5
19
VDD = 5 VDC
分钟。
典型值。
1200 - 1700
23
0.012
0.65
22.5
13
19
20.5
33.5
89
118
16.5
0.85
16
马克斯。
分钟。
典型值。
1700 - 2000
19
0.008
0.75
18
12.5
20
20.5
35
89
118
18
1.1
13.5
马克斯。
分钟。
典型值。
2000 - 2200
17
0.008
0.85
19.5
10
20
20.5
35.5
89
118
1.15
马克斯。
单位
兆赫
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
7-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC618LP3 / 618LP3E
v08.1210
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 1.2 - 2.2 GHz的
电气规格
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
T
A
= + 25 ° C， Rbias两端= 10K欧姆的VDD1 = VDD2 = 3V
VDD = 3 VDC
分钟。
典型值。
1200 - 1700
18
22
0.009
0.8
26
14
10
15
16
28
47
65
12
1.1
15
马克斯。
分钟。
典型值。
1700 - 2000
18
0.009
0.9
17
13
15
16
28
47
65
13
1.2
12.5
马克斯。
分钟。
典型值。
2000 - 2200
15.8
0.009
0.9
19
11
15
16
28
47
65
1.2
马克斯。
单位
兆赫
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-2
* RBIAS电阻设定电流，请参阅应用电路这里
一七零零年至2200年兆赫收听
宽带增益&回波损耗
[1] [2]
25
S21
增益与温度
[1]
24
22
20
15
响应（ dB）的
S22
Vdd=5V
Vdd=3V
增益（dB ）
5
18
16
+25C
+85C
- 40C
-5
-15
S11
14
12
-25
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
1.6
1.7
1.8
频率（GHz ）
1.9
2
2.1
频率（GHz ）
2.2
2.3
增益与温度
[2]
22
20
18
增益（dB ）
16
14
12
10
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率（GHz ）
2.2
2.3
+25C
+85C
- 40C
输入回波损耗随温度的变化
[1]
0
-5
回波损耗（分贝）
+25C
+85C
- 40C
-10
-15
-20
-25
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率（GHz ）
2.2
2.3
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 470欧姆
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 10K欧姆
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC618LP3 / 618LP3E
v08.1210
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 1.2 - 2.2 GHz的
7
放大器 - 低噪声 - SMT
0
+25C
+85C
- 40C
一七零零年至2200年兆赫收听
输出回波损耗随温度的变化
[1]
反向隔离与温度的关系
[1]
0
-5
-10
隔离度（dB ）
-15
-20
-25
-30
-35
-25
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率（GHz ）
2.2
2.3
-40
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率（GHz ）
2.2
2.3
+25C
+85C
- 40C
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
噪声系数与温度
[1] [2] [3]
1.6
1.4
噪声系数（dB ）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率（GHz ）
2.2
2.3
-40C
+25 C
Vdd=5V
Vdd=3V
+85C
输出P1dB为与温度的关系
[1] [2]
24
22
20
P1dB的（ DBM）
18
16
14
12
10
1.6
1.7
1.8
1.9
频率（GHz ）
2
2.1
+25C
+85C
- 40C
Vdd=3V
Vdd=5V
PSAT与温度的关系
[1] [2]
24
22
20
PSAT （ DBM）
18
Vdd=3V
Vdd=5V
输出IP3与温度的关系
[1] [2]
40
38
36
IP3 （ dBm的）
34
32
30
28
26
24
1.6
1.7
Vdd=3V
+25C
+85C
- 40C
Vdd=5V
16
14
12
10
1.6
1.7
1.8
1.9
频率（GHz ）
2
2.1
+25C
+85C
-40C
1.8
1.9
2
2.1
2.2
2.3
频率（GHz ）
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 470欧姆[ 2 ] VDD = 3V ， RBIAS = 10K欧姆
在评价PCB图中所示[ 3 ]测量基准面。
7-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC618LP3 / 618LP3E
v08.1210
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 1.2 - 2.2 GHz的
一七零零年至2200年兆赫收听
输出IP3和国际长途直拨对比
电源电压@ 1750 MHz的
[1]
38
36
34
IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
4.5
5
电源电压（ V）
140
120
100
80
60
40
20
0
5.5
IP3 （ dBm的）
IDD （MA ）
38
36
34
32
30
28
26
24
2.7
3
电源电压（ V）
140
120
100
80
60
40
20
0
3.3
IDD （MA ）
输出IP3和国际长途直拨对比
电源电压@ 2100 MHz的
[1]
38
36
34
IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
4.5
5
电源电压（ V）
140
120
100
80
60
40
20
0
5.5
输出IP3和国际长途直拨对比
电源电压@ 2100 MHz的
[2]
38
36
34
IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
2.7
3
电源电压（ V）
140
120
100
80
60
40
20
0
3.3
IDD （MA ）
功率压缩@ 1750 MHz的
[1]
30
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
功率压缩@ 1750 MHz的
[2]
30
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
20
10
10
0
噘
收益
PAE
0
噘
收益
PAE
-10
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
-10
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 470欧姆
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 10K欧姆
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
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7-4
放大器 - 低噪声 - SMT
输出IP3和国际长途直拨对比
电源电压@ 1750 MHz的
[2]
7
IDD （MA ）
HMC618LP3 / 618LP3E
v08.1210
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 1.2 - 2.2 GHz的
7
放大器 - 低噪声 - SMT
30
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
一七零零年至2200年兆赫收听
功率压缩@ 2100 MHz的
[1]
功率压缩@ 2100 MHz的
[2]
30
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
10
10
0
噘
收益
PAE
0
噘
收益
PAE
-10
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
-10
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
增益，功率&噪声系数对比
电源电压@ 1750 MHz的
[1]
24
22
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
20
18
16
噪声系数
收益
P1dB
增益，功率&噪声系数对比
电源电压@ 1750 MHz的
[2]
1.2
1
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
噪声系数（dB ）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
5.5
24
22
20
18
16
14
12
2.7
收益
P1dB
噪声系数
1.2
1
噪声系数（dB ）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
3.3
14
12
4.5
5
电源电压（ V）
3
电源电压（ V）
增益，功率&噪声系数对比
电源电压@ 2100 MHz的
[1]
24
22
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
20
18
16
14
12
4.5
收益
P1dB
噪声系数
增益，功率&噪声系数对比
电源电压@ 2100 MHz的
[2]
1.2
1
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
噪声系数（dB ）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
5.5
24
22
20
18
16
14
12
2.7
收益
P1dB
噪声系数
1.2
1
噪声系数（dB ）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
3.3
5
电源电压（ V）
3
电源电压（ V）
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 470欧姆
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 10K欧姆
7-5
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