HMC593LP3
/
593LP3E
v03.0309
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器W / BYPASS MODE ， 3.3 - 3.8 GHz的
8
低噪声放大器 - SMT
典型应用
该HMC593LP3 （ E）是理想的：
无线基础设施
固定无线
无线宽带的WiMAX / 4G
塔顶放大器
特点
噪声系数： 1.2分贝
输出IP3 ： +29 dBm的
增益： 19分贝
低损耗LNA旁路路径
单电源： + 3V或+ 5V
50欧姆匹配输出
工作原理图
概述
该HMC593LP3 （ E）是一种多功能，高动态
范围的GaAs MMIC低噪声放大器
集成在IC低损耗低噪声放大器旁路模式。
该放大器非常适用于无线宽带& WiMAX的接收器
3.3和3.8 GHz和提供的操作
1.2分贝噪声系数19 dB增益和29 dBm的IP3
从+ 5V @ 40毫安单电源供电。输入和输出
回波损耗是23和13分贝分别与无
所需的外部匹配元件。单一
控制线（0 / Vdd的）用于LNA之间进行切换
模式和低2分贝损失旁路模式减少了
消耗电流为10 μA 。
电气电源规格，
T
A
= +25° C
VDD = 3V +
参数
分钟。
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
功率为1dB压缩（ P1dB为） *
饱和输出功率（ PSAT ）
三阶截取点（ IP3 ） *
（每个音-20 dBm的输入功率，
1 MHz的音调间隔）
电源电流（ IDD）
开关
速度
LNA模式，旁路模式
旁路模式的LNA模式
10
14
17
0.011
1.4
23
12
39
13
13.5
22
20
428
343
25
0.01
30
13
1.8
30
25
-3
-2
0.002
LNA模式
典型值。
马克斯。
旁路模式
分钟。
典型值。
马克斯。
分钟。
LNA模式
典型值。
马克斯。
VDD = 5V +
旁路模式
单位
分钟。
典型值。
马克斯。
GHz的
19
0.011
1.2
23
13
36
16
17
29
40
428
343
50
0.01
30
1.6
30
25
-3
-2
0.002
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
ns
ns
3.3 - 3.8
16
*的P1dB和IP3的LNA模式是参照RFOUT时的P1dB为旁路模式是相对于RFIN 。
8 - 190
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC593LP3 / 593LP3E
v03.0309
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器W / BYPASS MODE ， 3.3 - 3.8 GHz的
LNA增益宽带
&回波损耗@ VDD = 5V
30
20
响应（ dB）的
10
0
-10
-20
-30
-40
2.0
LNA增益宽带
&回波损耗@ VDD = 3V
30
20
响应（ dB）的
10
0
-10
-20
-30
-40
2.0
S21
S11
S22
8
低噪声放大器 - SMT
8 - 191
S21
S11
S22
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
LNA增益与温度
21
VDD = 5V
LNA噪声系数与温度的关系
2.5
T=+85C
20
2
19
增益（dB ）
18
17
16
VDD = 3V
噪声系数（dB ）
1.5
T=+25C
1
T=-40C
15
14
3.3
+25C
+85C
-40C
0.5
Vdd=3V
Vdd=5V
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
0
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
频率（GHz ）
频率（GHz ）
LNA增益与Vdd的
20
19
LNA噪声系数与Vdd的
1.8
1.7
噪声系数（dB ）
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
3.3
2.4V
2.7V
3.0V
4.5V
5.0V
5.5V
18
增益（dB ）
17
16
15
14
13
12
3.3
+2.4V
+2.7V
+3.0V
+4.5V
+5.0V
+5.5V
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC593LP3 / 593LP3E
v03.0309
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器W / BYPASS MODE ， 3.3 - 3.8 GHz的
LNA的输入回波损耗
与温度的关系@ VDD = 5V
0
8
低噪声放大器 - SMT
LNA的输入回波损耗
与温度的关系@ VDD = 3V
0
回波损耗（分贝）
-20
回波损耗（分贝）
-10
+25C
+85C
-40C
-10
+25C
+85C
-40C
-20
-30
-30
-40
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
-40
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
频率（GHz ）
频率（GHz ）
LNA输出回波损耗
与温度的关系@ VDD = 3V
0
+25C
+85C
-40C
LNA输出回波损耗
与温度的关系@ VDD = 5V
0
+25C
+85C
-40C
-5
回波损耗（分贝）
-5
回波损耗（分贝）
3.7
3.8
-10
-10
-15
-15
-20
-20
-25
3.3
3.4
3.5
3.6
-25
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
频率（GHz ）
频率（GHz ）
LNA输出IP3与温度的关系
32
VDD = 5V
LNA输出IP3与Vdd的
34
30
26
30
28
IP3 （ dBm的）
+25C
+85C
-40C
VDD = 3V
24
22
20
18
16
3.3
IP3 （ dBm的）
26
22
18
14
10
3.3
2.4V
2.7V
3.0V
4.5V
5.0V
5.5V
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
频率（GHz ）
频率（GHz ）
8 - 192
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC593LP3 / 593LP3E
v03.0309
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器W / BYPASS MODE ， 3.3 - 3.8 GHz的
LNA PSAT与温度的关系
20
+25C
+85C
-40C
VDD = 5V
LNA PSAT与Vdd的
22
20
18
2.4V
2.7V
3.0V
4.5V
5.0V
5.5V
8
低噪声放大器 - SMT
8 - 193
18
PSAT （ DBM）
16
PSAT （ DBM）
VDD = 3V
16
14
14
12
12
10
3.3
10
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
频率（GHz ）
频率（GHz ）
LNA输出P1dB为与温度的关系
20
+25C
+85C
-40C
VDD = 5V
LNA输出P1dB为与Vdd的
20
18
16
18
P1dB的（ DBM）
16
VDD = 3V
P1dB的（ DBM）
14
12
10
14
12
8
10
3.3
6
3.3
2.4V
2.7V
3.0V
4.5V
5.0V
5.5V
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
频率（GHz ）
频率（GHz ）
低噪声放大器的反向隔离与温度的关系
-25
-30
隔离度（dB ）
+25C
+85C
-40C
VDD = 3V
-35
VDD = 5V
-40
-45
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC593LP3 / 593LP3E
v03.0309
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器W / BYPASS MODE ， 3.3 - 3.8 GHz的
旁路模式
宽带增益&回波损耗
[2]
0
8
低噪声放大器 - SMT
旁路模式
宽带增益&回波损耗
[1]
0
-5
响应（ dB）的
S21
S11
S22
-5
响应（ dB）的
S21
S11
S22
-10
-10
-15
-15
-20
-20
-25
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-25
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
旁路模式
插入损耗与温度的关系
[1]
0
旁路模式
插入损耗与温度的关系
[2]
0
插入损耗（dB ）
-2
+25C
+85C
-40C
插入损耗（dB ）
-1
-1
-2
-3
-3
+25C
+85C
-40C
-4
-4
-5
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
-5
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
频率（GHz ）
频率（GHz ）
旁路模式，输入IP3与温度的关系
0
旁路模式， P1dB为与温度的关系
0
插入损耗（dB ）
-2
+25C
+85C
-40C
插入损耗（dB ）
-1
-1
-2
-3
-3
+25C
+85C
-40C
-4
-4
-5
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
-5
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
频率（GHz ）
频率（GHz ）
[1] VDD = 3V
[2] VDD = 5V
8 - 194
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC593LP3
/
593LP3E
v00.0407
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器W / BYPASS MODE ， 3.3 - 3.8 GHz的
5
低噪声放大器 - SMT
典型应用
该HMC593LP3 / HMC593LP3E是理想的：
无线基础设施
固定无线
无线宽带的WiMAX / 4G
塔顶放大器
特点
噪声系数： 1.2分贝
输出IP3 ： +29 dBm的
增益： 19分贝
低损耗LNA旁路路径
单电源供电： + 5.0V @ 40毫安
50欧姆匹配输出
工作原理图
概述
该HMC593LP3 / HMC593LP3E是多功能，高
动态范围的GaAs MMIC低噪声放大器
集成在IC低损耗低噪声放大器旁路模式。
该放大器非常适用于无线宽带& WiMAX的接收器
在3.3和3.8 GHz和1.2提供工作
dB的噪声系数19 dB增益和29 dBm的IP3从
单电源的+ 5.0V @ 40毫安。输入和输出
回波损耗是23和13分贝分别与无
所需的外部匹配元件。单一
控制线（ 0 / + 3V ）用于低噪声放大器之间切换
模式和低2.0分贝损失旁路模式减少
消耗电流为10 μA 。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V +
LNA模式
参数
分钟。
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
功率为1dB压缩（ P1dB为） *
饱和输出功率（ PSAT ）
三阶截取点（ IP3 ） *
（ -20 dBm的每个音输入功率， 1 MHz的音调间隔）
电源电流（ IDD）
LNA模式，旁路模式
Swtiching速度
旁路模式的LNA模式
250
-
μs
*的P1dB和IP3的LNA模式是参照RFOUT时的P1dB为旁路模式是相对于RFIN 。
13
16
典型值。
3.3 - 3.8
19
0.011
1.2
23
13
19
16
17
29
40
-
50
0.01
<4
30
1.6
30
25
-3.0
马克斯。
分钟。
典型值。
3.3 - 3.8
-2.0
0.002
马克斯。
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
ns
旁路模式
单位
5 - 176
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC593LP3
/
593LP3E
v00.0407
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器W / BYPASS MODE ， 3.3 - 3.8 GHz的
LNA - 增益，噪声系数&
功率与电源电压@ 3.5 GHz的
20
19
增益（dB ）的P1dB （ dBm的）
18
17
16
15
14
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
4.5
5
Vdd的（V）的
频率（GHz ）
收益
P1dB
宽带LNA增益&回波损耗
30
20
响应（ dB）的
10
0
-10
-20
-30
-40
2.0
5
3
2.5
噪声系数（dB ）
2
1.5
1
0.5
0
5.5
S21
S11
S22
噪声系数
LNA增益与温度
22
21
20
19
增益（dB ）
18
17
16
15
14
13
12
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
+25C
+85C
-40C
LNA噪声系数与温度的关系
2.5
2.3
2.1
噪声系数（dB ）
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
+25C
+85C
-40C
频率（GHz ）
频率（GHz ）
LNA增益与Vdd的
22
21
20
19
增益（dB ）
18
17
16
15
14
13
12
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
4.5V
5.0V
5.5V
LNA噪声系数与Vdd的
2.5
2.3
2.1
噪声系数（dB ）
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
4.5V
5.0V
5.5V
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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5 - 177
低噪声放大器 - SMT
HMC593LP3
/
593LP3E
v00.0407
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器W / BYPASS MODE ， 3.3 - 3.8 GHz的
5
低噪声放大器 - SMT
LNA的输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
3.3
+25C
+85C
-40C
LNA输出回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-40C
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
-25
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
频率（GHz ）
频率（GHz ）
LNA输出IP3与温度的关系
35
34
33
32
IP3 （ dBm的）
31
30
29
28
27
26
25
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
+25C
+85C
-40C
LNA输出IP3与Vdd的
35
34
33
32
IP3 （ dBm的）
31
30
29
28
27
26
25
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
4.5V
5.0V
5.5V
频率（GHz ）
频率（GHz ）
LNA PSAT与温度的关系
22
21
20
19
PSAT （ DBM）
18
17
16
15
14
13
12
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
+25C
+85C
-40C
LNA输出P1dB为与温度的关系
22
21
20
19
P1dB的（ DBM）
18
17
16
15
14
13
12
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
+25C
+85C
-40C
频率（GHz ）
频率（GHz ）
5 - 178
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC593LP3
/
593LP3E
v00.0407
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器W / BYPASS MODE ， 3.3 - 3.8 GHz的
LNA输出P1dB为与Vdd的
22
21
20
输出P1dB为（ DBM）
19
18
17
16
15
14
13
12
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
4.5V
5.0V
5.5V
低噪声放大器的反向隔离与温度的关系
0
5
低噪声放大器 - SMT
5 - 179
-10
隔离度（dB ）
+25C
+85C
-40C
-20
-30
-40
-50
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
频率（GHz ）
频率（GHz ）
旁路模式
宽带插入损耗&回波损耗
0
旁路模式
插入损耗与温度的关系
0
-0.5
插入损耗（dB ）
-5
响应（ dB）的
S21
S11
S22
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
-4
-4.5
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-20
-25
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-5
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
频率（GHz ）
频率（GHz ）
旁路模式
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
3.3
旁路模式
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-20
-25
-30
3.3
+25C
+85C
-40C
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC593LP3
/
593LP3E
v00.0407
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器W / BYPASS MODE ， 3.3 - 3.8 GHz的
5
低噪声放大器 - SMT
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率
（ RFIN ） （ VDD = + 5.0VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免13毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
8.0伏
LNA模式+15 dBm的
旁路模式+30 dBm的
150 °C
850毫瓦
76.9 ° C / W
-65到+ 150°C
-40至+ 85°C
典型电源电流与Vdd的
VDD （VDC ）
+4.5
+5.0
+5.5
IDD （MA ）
33
39
44
真值表
LNA模式
旁路模式
VCTL = VDD
VCTL = 0V
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议的土地格局。
包装信息
产品型号
HMC593LP3
HMC593LP3E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
593
XXXX
593
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
5 - 180
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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