HMC590LP5 / 590LP5E
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放, 6.0 - 9.5 GHz的
5
放大器 - SMT
典型应用
该HMC590LP5 / HMC590LP5E是理想的,用作
动力扩增fi er为:
点至点收音机
点到多点收音机
测试设备&传感器
军事最终用途
=空间
特点
饱和输出功率: 31.5 dBm的@ 23 % PAE
输出IP3 : 40 dBm的
增益: 21分贝
DC电源: 7.0 V @ 820毫安
50欧姆匹配输入/输出
QFN无铅SMT封装为25mm
2
工作原理图
概述
该HMC590LP5 & HMC590LP5E是高动态
范围的GaAs PHEMT MMIC 1瓦功率放大器
而其使用的6至9.5千兆赫。该放大器提供
21分贝增益,饱和功率31 dBm时,和23%的
PAE在+ 7.0V供电。这50欧姆匹配
放大器不需要任何外部元件
和RF I / O是DC阻塞稳健运行。
对于要求最佳的OIP3 ,国际直拨电话
应520毫安设置,以产生40 dBm的OIP3 。为
应用程序需要最佳的输出P1dB为,国际直拨电话
应为820毫安进行设置,以得到30 dBm输出
P1dB.
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, VDD = + 7V ,国际长途= 820毫安
[1]
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
电源电流( IDD)
[1 ]调整VGG -2之间为0V ,实现电流IDD = 820毫安典型。
[ 2 ]测量采取7V @ 520毫安,引脚/音= -15 dBm的
[2]
分钟。
典型值。
6-8
马克斯。
分钟。
典型值。
6 - 9.5
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
18
21
0.05
15
11
18
21
0.05
12
10
27
30
30.5
40
820
27.5
30.5
31
40
820
5 - 590
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC590LP5 / 590LP5E
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放, 6.0 - 9.5 GHz的
宽带增益&回波损耗
30
25
20
响应( dB)的
15
增益与温度
28
26
24
22
增益(dB )
5
放大器 - SMT
5 - 591
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
4
5
6
7
8
S21
S11
S22
20
18
16
14
12
10
8
+25C
+85C
-40C
9
10
11
12
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
频率(GHz )
频率(GHz )
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗(分贝)
-10
-15
-20
-25
-30
-35
4
5
6
7
8
9
10
11
12
频率(GHz )
回波损耗(分贝)
-10
-15
+25C
+85C
-40C
+25C
+85C
-40C
-20
-25
4
5
6
7
8
9
10
11
12
频率(GHz )
P1dB为与温度的关系
35
34
33
32
P1dB的( DBM)
31
30
29
28
27
26
25
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
频率(GHz )
+25C
+85C
-40C
PSAT与温度的关系
35
34
33
32
PSAT ( DBM)
31
30
29
28
27
26
25
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
频率(GHz )
+25C
+85C
-40C
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC590LP5 / 590LP5E
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放, 6.0 - 9.5 GHz的
5
放大器 - SMT
P1dB为与电流
35
34
33
32
P1dB的( DBM)
31
30
29
28
27
26
25
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
频率(GHz )
520mA
620mA
720mA
820mA
PSAT与电流
35
34
33
32
PSAT ( DBM)
31
30
29
28
27
26
25
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
频率(GHz )
520mA
620mA
720mA
820mA
输出IP3与温度的关系
7V @ 520毫安,引脚/音= -15 dBm的
46
44
42
40
OIP3 ( dBm的)
38
36
34
32
30
28
26
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
频率(GHz )
+25C
+85C
-40C
功率压缩@ 8 GHz的,
7V @ 820毫安
35
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
30
25
20
15
10
5
0
-14 -12 -10 -8
噘
收益
PAE
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10 12 14
输入功率(dBm )
输出IM3 , 7V @ 520毫安
80
70
60
IM3 ( DBC)
输出IM3 , 7V @ 820毫安
80
70
60
IM3 ( DBC)
50
40
30
20
10
0
-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8
6 GHz的
7 GHz的
8 GHz的
9 GHz的
10 GHz的
50
40
30
20
10
6 GHz的
7 GHz的
8 GHz的
9 GHz的
10 GHz的
0
-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
引脚/音频( DBM)
引脚/音频( DBM)
5 - 592
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC590LP5 / 590LP5E
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放, 6.0 - 9.5 GHz的
获得&功率与电源电流@ 8 GHz的
36
增益(dB )的P1dB ( dBm的) , PSAT ( DBM)
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
940
1140
IDD电源电流(mA )
1340
收益
P1dB
PSAT
获得&功率与电源电压@ 8 GHz的
34
32
30
28
26
24
22
20
18
6.5
收益
P1dB
PSAT
5
放大器 - SMT
5 - 593
增益(dB )的P1dB ( dBm的) , PSAT ( DBM)
7
VDD供电电压(VDC )
7.5
反向隔离
与温度的关系, 7V @ 820毫安
0
-10
功耗
6
5.75
功耗( W)
5.5
5.25
5
4.75
4.5
4.25
4
3.75
3.5
3.25
3
-14 -12 -10 -8
6 GHz的
7 GHz的
8 GHz的
9 GHz的
10 GHz的
-20
隔离度(dB )
-30
-40
-50
-60
-70
-80
6
6.5
7
7.5
8
+25C
+85C
-40C
8.5
9
9.5
10
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10 12 14
频率(GHz )
输入功率(dBm )
绝对最大额定值
漏极偏置电压(VDD )
栅极偏置电压( VGG )
RF输入功率( RFIN ) ( VDD = 7.0 V直流)
通道温度
连续PDISS (T = 75 ° C)
(减免59.8毫瓦/°C, 75°C以上)
热阻
(频道包装底部)
储存温度
工作温度
8伏
-2.0到0伏
+12 dBm的
175 °C
5.98 W
16.72 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
典型电源电流与Vdd的
Vdd的(V)的
+6.5
+7.0
+7.5
IDD (MA )
824
820
815
注:放大器将工作在显示全电压范围
上述VGG调整,以达到电流IDD = 820毫安在+ 7.0V
静电敏感器件
观察处理注意事项
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC590LP5 / 590LP5E
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放, 6.0 - 9.5 GHz的
5
放大器 - SMT
外形绘图
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五,包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC590LP5
HMC590LP5E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H590
XXXX
H590
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
5 - 594
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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HMC590LP5 / 590LP5E
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放, 6.0 - 9.5 GHz的
典型应用
该HMC590LP5 / HMC590LP5E是理想的,用作
动力扩增fi er为:
点至点收音机
点到多点收音机
特点
饱和输出功率: 31.5 dBm的@ 23 % PAE
输出IP3 : 40 dBm的
增益: 21分贝
DC电源: + 7V @ 820毫安
50欧姆匹配输入/输出
QFN无铅SMT封装为25mm
2
11
线性&功率放大器 - SMT
测试设备&传感器
军事最终用途
=空间
工作原理图
概述
该HMC590LP5 & HMC590LP5E是高动态
范围的GaAs PHEMT MMIC 1瓦功率放大器
而其使用的6至9.5千兆赫。该放大器亲
志愿组织21分贝增益,饱和功率+31 dBm时,
和23 %的PAE从+ 7welV供应。这50欧姆
匹配放大器不需要任何外部
组件和RF I / O是DC阻塞RO-
胸围操作。对于应用程序需要OP-
timum OIP3 ,国际直拨应520毫安进行设置,以产生
40 dBm的OIP3 。对于应用程序需要
最佳输出P1dB为,国际直拨电话,应为820毫安设置,
得+30 dBm的输出,把P1dB的。
电气电源规格,
T
A
= + 25 ° C, VDD = + 7V ,国际长途= 820毫安
[1]
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
电源电流( IDD)
[1 ]调整VGG -2之间为0V ,实现电流IDD = 820毫安典型。
[ 2 ]测量采取7V @ 520毫安,引脚/音= -15 dBm的
[2]
分钟。
典型值。
6-8
马克斯。
分钟。
典型值。
6 - 9.5
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
18
21
0.05
15
11
18
21
0.05
12
10
27
30
30.5
40
820
27.5
30.5
31
40
820
11 - 294
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC590LP5 / 590LP5E
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放, 6.0 - 9.5 GHz的
宽带增益&回波损耗
30
25
20
响应( dB)的
15
增益与温度
28
24
S21
S11
S22
增益(dB )
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
4
5
6
7
8
20
16
+25C
+85C
-40C
11
9
9.5
10
12
8
9
10
11
12
6
6.5
7
7.5
8
8.5
频率(GHz )
频率(GHz )
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗(分贝)
-10
-15
-20
-25
-30
-35
4
5
6
7
8
9
10
11
12
频率(GHz )
回波损耗(分贝)
-10
-15
+25C
+85C
-40C
+25C
+85C
-40C
-20
-25
4
5
6
7
8
9
10
11
12
频率(GHz )
P1dB为与温度的关系
35
PSAT与温度的关系
35
33
P1dB的( DBM)
33
31
PSAT ( DBM)
31
29
+25C
+85C
-40C
29
+25C
+85C
-40C
27
27
25
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
频率(GHz )
25
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
频率(GHz )
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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11 - 295
线性&功率放大器 - SMT
HMC590LP5 / 590LP5E
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放, 6.0 - 9.5 GHz的
P1dB为与电流
35
PSAT与电流
35
33
P1dB的( DBM)
33
31
PSAT ( DBM)
31
11
线性&功率放大器 - SMT
29
520mA
620mA
720mA
820mA
29
520mA
620mA
720mA
820mA
27
27
25
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
频率(GHz )
25
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
频率(GHz )
输出IP3与温度的关系
7V @ 520毫安,引脚/音= -15 dBm的
46
功率压缩@ 8 GHz的,
7V @ 820毫安
35
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
30
25
20
15
10
5
0
-14
噘
收益
PAE
42
IP3 ( dBm的)
38
34
+25C
+85C
-40C
30
26
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
频率(GHz )
-10
-6
-2
2
6
10
14
输入功率(dBm )
输出IM3 , 7V @ 520毫安
80
输出IM3 , 7V @ 820毫安
80
6 GHz的
7 GHz的
8 GHz的
9 GHz的
10 GHz的
60
IM3 ( DBC)
IM3 ( DBC)
6 GHz的
7 GHz的
8 GHz的
9 GHz的
10 GHz的
60
40
40
20
20
0
-20
-16
-12
-8
-4
0
4
8
0
-20
-16
-12
-8
-4
0
4
8
引脚/音频( DBM)
引脚/音频( DBM)
11 - 296
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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HMC590LP5 / 590LP5E
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放, 6.0 - 9.5 GHz的
获得&功率与电源电流@ 8 GHz的
36
增益(dB )的P1dB ( dBm的) , PSAT ( DBM)
获得&功率与电源电压@ 8 GHz的
34
增益(dB )的P1dB ( dBm的) , PSAT ( DBM)
32
30
28
26
24
22
20
18
6.5
收益
P1dB
PSAT
32
收益
P1dB
PSAT
28
24
20
11
7.5
16
940
1140
IDD电源电流(mA )
1340
7
VDD供电电压(VDC )
反向隔离
与温度的关系, 7V @ 820毫安
0
-10
-20
隔离度(dB )
-30
-40
-50
-60
-70
-80
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
频率(GHz )
+25C
+85C
-40C
功耗
6
5.5
5
4.5
4
3.5
3
-14
6 GHz的
7 GHz的
8 GHz的
9 GHz的
10 GHz的
-10
-6
-2
2
6
10
14
输入功率(dBm )
绝对最大额定值
漏极偏置电压(VDD )
栅极偏置电压( VGG )
RF输入功率( RFIN ) ( VDD = 7.0 V直流)
通道温度
连续PDISS (T = 75 ° C)
(减免59.8毫瓦/°C, 75°C以上)
热阻
(频道包装底部)
储存温度
工作温度
8伏
-2.0到0伏
+12 dBm的
175 °C
5.98 W
16.72 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
典型电源电流与Vdd的
Vdd的(V)的
+6.5
+7.0
+7.5
IDD (MA )
824
820
815
注:功率放大器ER将工作在显示全电压范围
上述VGG调整,以达到电流IDD = 820毫安在+ 7.0V
静电敏感器件
观察处理注意事项
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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线性&功率放大器 - SMT
功耗( W)
HMC590LP5 / 590LP5E
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放, 6.0 - 9.5 GHz的
外形绘图
11
线性&功率放大器 - SMT
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五,包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC590LP5
HMC590LP5E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H590
XXXX
H590
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
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