HMC579
v00.0506
砷化镓MMIC X2主动频率
乘法器， 32 - 46 GHz的输出
典型应用
特点
高输出功率： +13 dBm的
低输入功率驱动器： 0至+6 dBm的
FO隔离： >25 dBc的@个Fout = 38 GHz的
100 KHz的SSB相位噪声： -127 dBc的/赫兹
单电源： + 5V @ 70毫安
芯片尺寸：1.18毫米× 1.23毫米X 0.1毫米
2
倍频器 - CHIP
该HMC579适用于：
时钟产生应用：
SONET OC- 192 & SDH STM- 64
点至点& VSAT收音机
测试仪表
军事EW /雷达
=空间
工作原理图
概述
该HMC579芯片是X2活跃的宽带频率
乘法器采用的GaAs PHEMT技术。当
由+3 dBm的信号驱动，乘数为13
dBm的典型输出功率从32到46千兆赫。在佛
隔离是>25 dBc的38千兆赫。该HMC579是理想的
在LO乘法器链中使用了铂为铂& VSAT
收音机收益减少元件数与传统
的方法。低添加剂的SSB相位噪声
-127 dBc的/赫兹在100 kHz偏置有助于保持良好的
系统噪声性能。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD1 ， VDD2 = 5.0V ， 3 dBm的驱动电平
参数
频率范围，输入
频率范围，输出
输出功率
佛隔离（相对于输出电平）
输入回波损耗
输出回波损耗
SSB相位噪声（ 100 kHz偏置）
电源电流（ IDD1 ， IDD2 ）
8
分钟。
典型值。
16 - 23
32 - 46
13
25
12
8
-127
70
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
DBM
dBc的
dB
dB
dBc的/赫兹
mA
2 - 50
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC579
v00.0506
砷化镓MMIC X2主动频率
乘法器， 32 - 46 GHz的输出
输出功率与
温度@ 3 dBm的驱动电平
20
18
输出功率（dBm ）
输出功率与驱动电平
25
20
输出功率（dBm ）
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-6dBm
-4dBm
-2dBm
0dBm
2dBm
4dBm
6dBm
2
倍频器 - CHIP
2 - 51
16
14
12
10
8
6
4
2
0
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
输出频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
输出频率（GHz ）
输出功率与
电源电压@ 3 dBm的驱动电平
20
18
输出功率（dBm ）
隔离@ 3 dBm的驱动电平
20
14
12
10
8
6
4
2
0
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
输出频率（GHz ）
4.5V
5.0V
5.5V
输出功率（dBm ）
16
10
0
Fo
2Fo
-10
-20
-30
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
输出频率（GHz ）
输出功率与输入功率
20
15
输出功率（dBm ）
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-10
32GHz
39GHz
46GHz
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
输入功率（dBm ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC579
v00.0506
砷化镓MMIC X2主动频率
乘法器， 32 - 46 GHz的输出
输入回波损耗随温度的变化
输出回波损耗随温度的变化
0
-2
输出回波损耗（dB ）
输入回波损耗（dB ）
2
倍频器 - CHIP
0
+25C
+85C
-55C
-5
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
+25C
+85C
-55C
-10
-15
-20
-25
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
频率（GHz ）
-20
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
频率（GHz ）
2 - 52
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC579
v00.0506
砷化镓MMIC X2主动频率
乘法器， 32 - 46 GHz的输出
绝对最大额定值
RF输入（VDD = + 5V ）
电源电压（ VDD1 ， VDD2 ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免7.3毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+13 dBm的
+6.0伏
175 °C
656毫瓦
137 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
典型电源电流与Vdd的
VDD （VDC ）
4.5
5.0
5.5
IDD （MA ）
69
70
2
倍频器 - CHIP
2 - 53
70
注意：
乘数将工作在上面显示全电压范围。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP-2
备用[2]
—
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
订购备用模时， [ 2 ]参考此后缀只
包装。
注意事项：
1.所有尺寸以英寸[毫米] 。
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的焊接区0.004 “广场。
4.典型BOND间距为0.006 “中心到中心。
5.焊盘金属化：金
6. BACKSIDE金属化：金
7.背面金属接地。
8.无连接所需的用于无标签的焊垫。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC579
v00.0506
砷化镓MMIC X2主动频率
乘法器， 32 - 46 GHz的输出
PAD说明
2
倍频器 - CHIP
盘数
功能
描述
接口示意图
1, 2
VDD1 ， VDD2
电源电压为5V ± 0.5V 。
3
RFOUT
引脚交流耦合和匹配
50欧姆，从32 - 46 GHz的。
4, 5
GND
模具底部必须被连接到RF接地。
6
RFIN
引脚交流耦合和匹配
50欧姆，从16 - 23 GHz的。
装配图
2 - 54
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC579
v01.0608
砷化镓MMIC X2主动频率
乘法器， 32 - 46 GHz的输出
典型应用
特点
高输出功率： +13 dBm的
低输入功率驱动器： 0至+6 dBm的
FO隔离： >25 dBc的@个Fout = 38 GHz的
100 KHz的SSB相位噪声： -127 dBc的/赫兹
单电源： + 5V @ 70毫安
芯片尺寸：1.18毫米× 1.23毫米X 0.1毫米
2
倍频器 - 活动 - CHIP
该HMC579适用于：
时钟产生应用：
SONET OC- 192 & SDH STM- 64
点至点& VSAT收音机
测试仪表
军事EW /雷达
=空间
工作原理图
概述
该HMC579芯片是X2活跃的宽带频率
乘法器采用的GaAs PHEMT技术。当
由+3 dBm的信号驱动，乘法器提供
+13 dBm的从32到46 GHz的典型输出功率。
对FO隔离>25 dBc的38千兆赫。该HMC579
非常适合在LO乘法器链使用的铂以铂
& VSAT收音机收益减少元件数与
传统的方法。低添加剂的SSB相位
-127 dBc的/ Hz的噪声在100 kHz偏置帮助main-
覃良好的系统噪声性能。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VDD1 ， VDD2 = 5.0V ， 3 dBm的驱动电平
参数
频率范围，输入
频率范围，输出
输出功率
佛隔离（相对于输出电平）
输入回波损耗
输出回波损耗
SSB相位噪声（ 100 kHz偏置）
电源电流（ IDD1 ， IDD2 ）
8
分钟。
典型值。
16 - 23
32 - 46
13
25
12
8
-127
70
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
DBM
dBc的
dB
dB
dBc的/赫兹
mA
2 - 56
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC579
v01.0608
砷化镓MMIC X2主动频率
乘法器， 32 - 46 GHz的输出
输出功率与
温度@ 3 dBm的驱动电平
20
18
输出功率（dBm ）
输出功率（dBm ）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
输出频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
输出功率与驱动电平
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
输出频率（GHz ）
-6dBm
-4dBm
-2dBm
0dBm
2dBm
4dBm
6dBm
2
倍频器 - 活动 - CHIP
2 - 57
输出功率与
电源电压@ 3 dBm的驱动电平
20
18
输出功率（dBm ）
隔离@ 3 dBm的驱动电平
20
14
12
10
8
6
4
2
0
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
输出频率（GHz ）
4.5V
5.0V
5.5V
输出功率（dBm ）
16
10
0
Fo
2Fo
-10
-20
-30
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
输出频率（GHz ）
输出功率与输入功率
20
15
输出功率（dBm ）
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-10
32GHz
39GHz
46GHz
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
输入功率（dBm ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC579
v01.0608
砷化镓MMIC X2主动频率
乘法器， 32 - 46 GHz的输出
输入回波损耗随温度的变化
输出回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗（dB ）
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
+25C
+85C
-55C
输入回波损耗（dB ）
2
倍频器 - 活动 - CHIP
0
+25C
+85C
-55C
-5
-10
-15
-20
-25
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
频率（GHz ）
-20
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
频率（GHz ）
2 - 58
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC579
v01.0608
砷化镓MMIC X2主动频率
乘法器， 32 - 46 GHz的输出
绝对最大额定值
RF输入（VDD = + 5V ）
电源电压（ VDD1 ， VDD2 ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免7.3毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+13 dBm的
+6.0伏
175 °C
656毫瓦
137 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
4.5
5.0
5.5
IDD （MA ）
69
70
2
倍频器 - 活动 - CHIP
2 - 59
70
注意：
乘数将工作在上面显示全电压范围。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP - 2 （胶装）
备用[2]
—
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
订购备用模时， [ 2 ]参考此后缀只
包装。
注意事项：
1.所有尺寸以英寸[毫米] 。
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的焊接区0.004 “广场。
4.焊垫金属化：金
5.背面金属化：金
6.背面金属接地。
7.无连接所需的用于无标签的焊垫。
8.全面DIE SIZE ± 0.002 “
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC579
v01.0608
砷化镓MMIC X2主动频率
乘法器， 32 - 46 GHz的输出
PAD说明
2
倍频器 - 活动 - CHIP
盘数
功能
描述
接口示意图
1, 2
VDD1 ， VDD2
电源电压为5V ± 0.5V 。
3
RFOUT
引脚交流耦合和匹配
50欧姆，从32 - 46 GHz的。
4, 5
GND
模具底部必须被连接到RF接地。
6
RFIN
引脚交流耦合和匹配
50欧姆，从16 - 23 GHz的。
装配图
2 - 60
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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