HMC566
v00.0306
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 29 - 36 GHz的
1
放大器 - CHIP
典型应用
该HMC566是非常适合用作低噪声放大器或驱动扩增
费里的：
点至点收音机
点到多点无线电& VSAT
测试设备和传感器
军事&空间
特点
噪声系数： 2.8分贝
增益： 20分贝
OIP3 ： 23.5 dBm的
单电源： + 3V @ 80毫安
50欧姆匹配输入/输出
小尺寸： 2.54× 0.98 X 0.10毫米
工作原理图
概述
该HMC566是一个高动态范围的GaAs PHEMT
MMIC低噪声放大器（ LNA）芯片，运行
从29到36千兆赫。该HMC566提供20dB的
小信号增益，噪声系数和输出的2.8分贝
为23dBm的整个工作频带的IP3 。这种自我
偏颇的LNA是理想的混合动力和MCM组件
由于其紧凑的尺寸，正增益斜度单
+ 3V电源供电， DC和RF阻塞I / O的。
所有数据被测量与一个50欧姆的测试芯片
通过0.025毫米（ 1密耳）直径2夹具连接
最小长度0.31毫米（ 12 mil）的接合线。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25°C ， Vdd的1 ，2，3 ，4 = + 3V
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD） （ VDD = + 3V ）
9
17
分钟。
典型值。
29 - 33
20
0.03
2.8
15
9
12
14.5
23.5
80
9
0.05
3.3
19
马克斯。
分钟。
典型值。
33 - 36
22
0.03
2.8
15
8
12
14.5
23.5
80
0.05
3.3
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
1 - 216
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v00.0306
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 29 - 36 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
10
增益与温度
30
1
放大器 - CHIP
1 - 217
25
增益（dB ）
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
24
26
28
30
32
S21
S11
S22
20
15
+25C
+85C
-55C
10
5
34
36
38
40
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
输出回波损耗随温度的变化
0
-2
回波损耗（分贝）
-4
-6
-8
-10
-12
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
噪声系数与温度
10
9
噪声系数（ DBM）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
反向隔离与温度的关系
0
-10
隔离度（dB ）
+25C
+85C
-55C
-20
-30
-40
-50
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v00.0306
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 29 - 36 GHz的
1
放大器 - CHIP
P1dB为与温度的关系
20
18
16
14
P1dB的（ DBM）
12
10
8
6
4
2
0
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
PSAT与温度的关系
20
18
16
14
PSAT （ DBM）
12
10
8
6
4
2
0
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
输出IP3与温度的关系
30
28
26
24
OIP3 （ dBm的）
22
20
18
16
14
12
10
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
功率压缩@ 32 GHz的
22
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-20
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
噘
收益
PAE
频率（GHz ）
增益，噪声系数&功率对
电源电压@ 32 GHz的
24
22
增益（dB ）的P1dB （ dBm的）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2.5
3
VDD （VDC ）
噪声系数
收益
P1dB
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
3.5
噪声系数（dB ）
1 - 218
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC566
v00.0306
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 29 - 36 GHz的
典型电源电流与Vdd的
VDD （VDC ）
+2.5
+3.0
+3.5
0.82 W
104.2 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
IDD （MA ）
77
80
83
绝对最大额定值
漏偏置电压（ VDD1 ，2，3 ，4）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = 3.0 V直流）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免9.6毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+3.5伏
+5 dBm的
175 °C
1
放大器 - CHIP
1 - 219
注：放大器将工作在显示全电压范围
以上。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP-2
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[ MM ]
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的债券0.004 “方
4.背面金属：金
5.焊盘金属化：金
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC566
v00.0306
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 29 - 36 GHz的
1
放大器 - CHIP
PAD说明
盘数
1
功能
IN
描述
此片是交流耦合和匹配
50欧姆，从29 - 36 GHz的。
接口示意图
2, 3, 4, 5
VDD1 ， 2，3， 4
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和0.1 F的电容。
6
OUT
此片是交流耦合和匹配
50欧姆，从29 - 36 GHz的。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
装配图
1 - 220
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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v00.0306
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 29 - 36 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
典型应用
该HMC566是非常适合用作低噪声放大器或驱动扩增
费里的：
点至点收音机
点到多点无线电& VSAT
测试设备和传感器
军事&空间
特点
噪声系数： 2.8分贝
增益： 20分贝
OIP3 ： 23.5 dBm的
单电源： + 3V @ 80毫安
50欧姆匹配输入/输出
小尺寸： 2.54× 0.98 X 0.10毫米
工作原理图
概述
该HMC566是一个高动态范围的GaAs PHEMT
MMIC低噪声放大器（ LNA）芯片，运行
从29到36千兆赫。该HMC566提供20dB的
小信号增益，噪声系数和输出的2.8分贝
23.5 dBm的整个工作频带的IP3 。这种自我
偏颇的LNA是理想的混合动力和MCM组件
由于其体积小，稍正增益斜度，
+ 3V单电源供电， DC和RF阻塞I / O的。
所有数据被测量与一个50欧姆的测试芯片
通过0.025毫米（ 1密耳）直径2夹具连接
最小长度0.31毫米（ 12 mil）的接合线。
电气电源规格，
T
A
= + 25°C ， Vdd的1 ，2，3 ，4 = + 3V
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD） （ VDD = + 3V ）
9
17
分钟。
典型值。
29 - 33
20
0.03
2.8
15
9
12
14.5
23.5
80
9
0.05
3.3
19
马克斯。
分钟。
典型值。
33 - 36
22
0.03
2.8
15
8
12
14.5
23.5
80
0.05
3.3
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
1 - 90
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC566
v00.0306
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 29 - 36 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
10
增益与温度
30
1
低噪声放大器 - CHIP
1 - 91
25
增益（dB ）
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
24
26
28
30
32
S21
S11
S22
20
15
+25C
+85C
-55C
10
5
34
36
38
40
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
输出回波损耗随温度的变化
0
-2
回波损耗（分贝）
-4
-6
-8
-10
-12
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
噪声系数与温度
10
反向隔离与温度的关系
0
噪声系数（ DBM）
8
+25C
+85C
-55C
-10
隔离度（dB ）
+25C
+85C
-55C
6
-20
4
-30
2
-40
0
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
-50
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v00.0306
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 29 - 36 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
P1dB为与温度的关系
20
PSAT与温度的关系
20
16
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
16
12
12
+25C
+85C
-55C
8
+25C
+85C
-55C
8
4
4
0
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
0
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
输出IP3与温度的关系
30
功率压缩@ 32 GHz的
22
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-20
噘
收益
PAE
26
IP3 （ dBm的）
22
+25C
+85C
-55C
18
14
10
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
频率（GHz ）
-16
-12
-8
-4
0
频率（GHz ）
增益，噪声系数&功率对
电源电压@ 32 GHz的
24
22
增益（dB ）的P1dB （ dBm的）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2.5
3
VDD （VDC ）
噪声系数
收益
P1dB
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
3.5
噪声系数（dB ）
1 - 92
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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v00.0306
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 29 - 36 GHz的
典型电源电流与Vdd的
VDD （VDC ）
+2.5
+3.0
+3.5
0.82 W
104.2 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
IDD （MA ）
77
80
83
绝对最大额定值
漏偏置电压（ VDD1 ，2，3 ，4）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = 3.0 V直流）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免9.6毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+3.5伏
+5 dBm的
175 °C
1
低噪声放大器 - CHIP
1 - 93
注：功率放大器ER将工作在显示全电压范围
以上。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP - 2 （胶装）
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[ MM ]
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的债券0.004 “方
4.背面金属：金
5.焊盘金属化：金
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC566
v00.0306
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 29 - 36 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
PAD说明
盘数
1
功能
IN
描述
此片是交流耦合和匹配
50欧姆，从29 - 36 GHz的。
接口示意图
2, 3, 4, 5
VDD1 ， 2，3， 4
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和0.1 F的电容。
6
OUT
此片是交流耦合和匹配
50欧姆，从29 - 36 GHz的。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
装配图
1 - 94
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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