HMC564LC4
v02.1208
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 7 - 14 GHz的
特点
噪声系数： 1.8分贝
增益： 17分贝
OIP3 ： 25 dBm的
单电源： + 3V @ 51毫安
50欧姆匹配输入/输出
8
低噪声放大器 - SMT
典型应用
该HMC564LC4是非常适合用作低噪声放大器或驱动器
放大器：
点至点收音机
点到多点无线电& VSAT
测试设备和传感器
军事&空间
符合RoHS 4 ×4毫米包装
工作原理图
概述
该HMC564LC4是一种高动态范围的GaAs
PHEMT MMIC低噪声放大器装在一个
无铅RoHS兼容的4x4mm表面贴装封装。
从7到14 GHz时， HMC564LC4功能操作
的17分贝极其平坦的小信号增益，以及
1.8分贝噪声系数和+25 dBm的输出IP3跨越
工作频带。这种自偏置低噪声放大器非常适合
微波通信由于其一贯的输出功率，
+ 3V单电源供电， DC和RF阻塞
I / O的。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， Vdd的1 ， 2 = + 3V
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD） （ VDD = + 3V ）
10
14
分钟。
典型值。
7 - 14
17
0.02
1.8
15
14
13
14.5
25
51
75
0.03
2.2
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
8 - 172
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC564LC4
v02.1208
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 7 - 14 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
10
增益与温度
25
8
低噪声放大器 - SMT
8 - 173
20
增益（dB ）
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
0
4
8
S21
S11
S22
15
10
+25C
+85C
-40C
5
0
12
16
20
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-40C
输出回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-40C
-5
回波损耗（分贝）
-5
回波损耗（分贝）
12
13
14
15
-10
-10
-15
-15
-20
-20
-25
6
7
8
9
10
11
频率（GHz ）
-25
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率（GHz ）
噪声系数与温度
6
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
1
0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率（GHz ）
输出IP3与温度的关系
35
30
25
20
15
10
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
+25C
+85C
-40C
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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OIP3 （ dBm的）
HMC564LC4
v02.1208
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 7 - 14 GHz的
8
低噪声放大器 - SMT
P1dB为与温度的关系
20
PSAT与温度的关系
20
16
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
16
12
12
+25C
+85C
-40C
8
+25C
+85C
-40C
8
4
4
0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率（GHz ）
0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
功率压缩@ 8 GHz的
20
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
-10
隔离度（dB ）
+25C
+85C
-40C
15
-20
10
-30
5
-40
噘
收益
PAE
-50
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率（GHz ）
0
-15
-10
-5
0
输入功率（dBm ）
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 8 GHz的
20
18
增益（dB ）的P1dB （ dBm的）
16
14
12
10
8
噪声系数
6
4
2
0
2.5
3
VDD （VDC ）
P1dB
收益
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
3.5
噪声系数（dB ）
8 - 174
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC564LC4
v02.1208
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 7 - 14 GHz的
典型电源电流与Vdd的
VDD （VDC ）
2.5
3.0
IDD （MA ）
49
51
53
绝对最大额定值
漏极偏置电压（ VDD1 ， VDD2 ）
RF输入功率（ RFIN ）
（ VDD = 3.0 V直流）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免12.9毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+3.5伏
+5 dBm的
175 °C
1.16 W
77.5 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
8
低噪声放大器 - SMT
8 - 175
3.5
注：功率放大器ER将工作在如上图所示的全电压范围。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：氧化铝。
2.铅和地面PADDLE电镀：镀金镍。
3.尺寸为英寸（毫米） 。
4.引线间距有容乃非累积。
五，包装WARP不得超过0.05MM原点 - C -
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到PCB RF地面。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC564LC4
v02.1208
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 7 - 14 GHz的
8
低噪声放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 5-8, 9 -14, 18,
20, 21, 22, 24
2, 4, 15, 17
功能
N / C
描述
无需连接。这些引脚可以连接到
射频/直流接地，而不会影响性能。
包装底部有一个裸露的金属焊盘，还必须
被连接到射频/直流接地。
接口示意图
GND
3
RFIN
该引脚交流耦合，匹配50欧姆。
16
RFOUT
该引脚交流耦合，匹配50欧姆。
23, 19
VDD1 ， VDD2
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100pF的， 1000pF的，和2.2的电容
μ
F被需要。
应用电路
部件
C1, C2
C5, C6
价值
100 pF的
2.2 μF
8 - 176
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC564LC4
v00.0906
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 7 - 14 GHz的
特点
噪声系数： 1.8分贝
增益： 17分贝
OIP3 ： 25 dBm的
单电源： + 3V @ 51毫安
50欧姆匹配输入/输出
5
放大器 - SMT
典型应用
该HMC564LC4是非常适合用作低噪声放大器或驱动器
放大器：
点至点收音机
点到多点无线电& VSAT
测试设备和传感器
军事&空间
符合RoHS 4 ×4毫米包装
工作原理图
概述
该HMC564LC4是一种高动态范围的GaAs
PHEMT MMIC低噪声放大器装在一个
无铅RoHS兼容的4x4mm表面贴装封装。
从7到14 GHz时， HMC564LC4功能操作
的17分贝极其平坦的小信号增益，以及
1.8分贝噪声系数和+25 dBm的输出IP3跨越
工作频带。这种自偏置低噪声放大器非常适合
微波通信由于其一贯的输出功率，
+ 3V单电源供电， DC和RF阻塞
I / O的。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， Vdd的1 ， 2 = + 3V
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD） （ VDD = + 3V ）
10
14
分钟。
典型值。
7 - 14
17
0.02
1.8
15
14
13
14.5
25
51
75
0.03
2.2
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
5 - 560
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC564LC4
v00.0906
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 7 - 14 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
10
增益与温度
25
5
放大器 - SMT
5 - 561
20
增益（dB ）
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
0
4
8
S21
S11
S22
15
10
+25C
+85C
-40C
5
0
12
16
20
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-40C
输出回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-40C
-5
回波损耗（分贝）
-5
回波损耗（分贝）
12
13
14
15
-10
-10
-15
-15
-20
-20
-25
6
7
8
9
10
11
频率（GHz ）
-25
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率（GHz ）
噪声系数与温度
6
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
1
0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
输出IP3与温度的关系
35
30
25
20
15
10
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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OIP3 （ dBm的）
HMC564LC4
v00.0906
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 7 - 14 GHz的
5
放大器 - SMT
P1dB为与温度的关系
20
PSAT与温度的关系
20
16
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
16
12
12
+25C
+85C
-40C
8
+25C
+85C
-40C
8
4
4
0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率（GHz ）
0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
功率压缩@ 8 GHz的
20
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
-10
隔离度（dB ）
+25C
+85C
-40C
15
-20
10
-30
5
-40
噘
收益
PAE
-50
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率（GHz ）
0
-15
-10
-5
0
输入功率（dBm ）
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 8 GHz的
20
18
增益（dB ）的P1dB （ dBm的）
16
14
12
10
8
噪声系数
6
4
2
0
2.5
3
VDD （VDC ）
P1dB
收益
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
3.5
噪声系数（dB ）
5 - 562
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC564LC4
v00.0906
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 7 - 14 GHz的
典型电源电流与Vdd的
VDD （VDC ）
2.5
3.0
IDD （MA ）
49
51
53
绝对最大额定值
漏极偏置电压（ VDD1 ， VDD2 ）
RF输入功率（ RFIN ）
（ VDD = 3.0 V直流）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免12.9毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
+3.5伏
+5 dBm的
175 °C
1.16 W
77.5 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
5
放大器 - SMT
5 - 563
3.5
注：放大器将工作在如上图所示的全电压范围。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：氧化铝。
2.铅和地面PADDLE电镀：镀金镍。
3.尺寸为英寸（毫米） 。
4.引线间距有容乃非累积。
五，包装WARP不得超过0.05MM原点 - C -
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到PCB RF地面。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC564LC4
v00.0906
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 7 - 14 GHz的
5
放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 5-8, 9 -14, 18,
20, 21, 22, 24
2, 4, 15, 17
功能
N / C
描述
无需连接。这些引脚可以连接到
射频/直流接地，而不会影响性能。
包装底部有一个裸露的金属焊盘，还必须
被连接到射频/直流接地。
接口示意图
GND
3
RFIN
该引脚交流耦合，匹配50欧姆。
16
RFOUT
该引脚交流耦合，匹配50欧姆。
23, 19
VDD1 ， VDD2
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100pF的， 1000pF的，和2.2的电容
μ
F被需要。
应用电路
部件
C1, C2
C5, C6
价值
100 pF的
2.2 μF
5 - 564
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
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