HMC554
v02.1007
砷化镓MMIC FUNDAMENTAL
调音台， 11 - 20 GHz的
特点
高LO至RF隔离： 46分贝
无源双平衡拓扑
低转换损耗： 7分贝
宽IF带宽： DC - 6 GHz的
强大的1,000V ESD， 1C类
小尺寸： 0.83 X 1.12 X 0.1毫米
典型应用
该HMC554是理想的：
微波无线
- 甚小孔径终端
军事&空间
通信，雷达& EW
4
调音台 - 双平衡 - CHIP
工作原理图
概述
该HMC554是无源双平衡混频器
这可以被用作一个上变频或下变频
11至20千兆赫。微型单片
混合器被制造在一个砷化镓MESFET过程，并
无需外部元件或匹配环流
itry 。该HMC554提供了极好的LO至RF和
LO至IF隔离，由于优化的平衡 - 不平衡变换器结构。
测量与安装在芯片制作
成在一个50欧姆的测试固定装置，包括对位
引线键合装配SITIC效果。联系十分
用1密耳的线接合以最小长度（ <12制成
密耳） 。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， IF = 100 MHz的LO = +13 dBm的*
参数
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
IP2 （输入）
1分贝增益压缩（输入）
40
32
16
分钟。
典型值。
12 - 16
DC - 6
7
7
46
38
25
18
48
11
9
9
38
30
15
马克斯。
分钟。
典型值。
11 - 20
DC - 6
8
8
44
40
25
18
45
11
10
10
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
*除另有说明外，所有的测量值进行的下变频器，中频= 100兆赫。
4 - 60
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC554
v02.1007
砷化镓MMIC FUNDAMENTAL
调音台， 11 - 20 GHz的
隔离@ LO = +13 dBm的
0
-10
射频/中频
LO / RF
LO / IF
转换增益与
温度@ LO = +13 dBm的
0
转换增益（dB ）
-5
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
10
11
12
13
14
15
-10
-15
+25C
+85C
-55C
4
16
17
18
19
20
21
频率（GHz ）
频率（GHz ）
转换增益与LO驱动
0
回波损耗@ LO = + 13dBm的
0
-10
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
-15
+9 dBm的
+11 dBm的
+13 dBm的
+15 dBm的
-15
LO
RF
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
频率（GHz ）
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
频率（GHz ）
中频带宽@ LO = +13 dBm的
0
上变频器性能
转换增益与LO驱动
0
响应（ dB）的
-5
转换增益（dB ）
-5
-10
-10
-15
IF回波损耗
转换增益
-15
+9 dBm的
+11 dBm的
+13 dBm的
+15 dBm的
-20
0
1
2
3
4
5
6
7
频率（GHz ）
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
4 - 61
调音台 - 双平衡 - CHIP
-20
转换增益（dB ）
HMC554
v02.1007
砷化镓MMIC FUNDAMENTAL
调音台， 11 - 20 GHz的
输入IP3主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的*
30
25
20
IP3 （ dBm的）
15
10
5
0
+25 C
+85 C
-40 C
输入IP3主场迎战LO驱动器*
30
25
20
IP3 （ dBm的）
15
10
5
0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
频率（GHz ）
4
调音台 - 双平衡 - CHIP
+9 dBm的
+11 dBm的
+13 dBm的
+15 dBm的
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
频率（GHz ）
输入IP2主场迎战LO驱动器*
60
输入IP2主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的*
60
50
50
IP2 （ dBm的）
40
IP2 （ dBm的）
40
+25C
+85C
-40C
30
+9 dBm的
+11 dBm的
+13 dBm的
+15 dBm的
30
20
20
10
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
频率（GHz ）
10
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
频率（GHz ）
输入P1dB的对比
温度@ LO = +13 dBm的
14
13
12
P1dB的（ DBM）
11
10
9
8
7
6
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
MXN杂散输出
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
xx
29
81
xx
xx
1
19
0
85
97
xx
2
25
51
60
98
105
3
xx
55
88
76
98
4
xx
xx
104
99
105
RF = 15.1 GHz的@ -10 dBm的
LO = 15.0 GHz的@ +13 dBm的
以dBc为单位的所有值低于中频输出功率电平。
*双音输入功率= -5 dBm的每一个音调， 1 MHz的间距。
4 - 62
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC554
v02.1007
砷化镓MMIC FUNDAMENTAL
调音台， 11 - 20 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免3.26毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+25 dBm的
+25 dBm的
150 °C
212毫瓦
306 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
1C类
静电敏感器件
观察处理注意事项
4
调音台 - 双平衡 - CHIP
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2. DIE厚度为0.004 “ 。
3.典型的焊接区0.004 “广场。
4.焊垫间距中心，中心是0.006 “ 。
5.背面金属：金。
6.焊盘金属化：黄金。
7.背面金属接地。
8.连接不需要的未标记的焊垫。
9.该模具是专为PICK -UP真空（ EDGE）
夹头的工具。排除永久性的风险
损伤，无接触芯片表面被允许
在该矩形区域。
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
WP- 7 （华夫包）
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
4 - 63
HMC554
v02.1007
砷化镓MMIC FUNDAMENTAL
调音台， 11 - 20 GHz的
PAD说明
盘数
功能
描述
接口示意图
1
LO
此片是直流耦合
并匹配到50欧姆。
4
调音台 - 双平衡 - CHIP
2
RF
此片是直流耦合
并匹配到50欧姆。
3
IF
此片是直流耦合。如果不需要能操作
ATION直流，这个端口应该是DC阻断外部使用
串联电容器，其值已被选通的
必要的IF频率范围。对于操作DC，该引脚
不能源出或吸入电流或部分超过2毫安
非功能可能部分失败将导致。
管芯的背面侧
必须连接到RF接地。
GND
装配图
4 - 64
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC554
v00.1205
砷化镓MMIC FUNDAMENTAL
调音台， 11 - 20 GHz的
典型应用
该HMC554是理想的：
微波无线
特点
高LO至RF隔离： 46分贝
无源双平衡拓扑
低转换损耗： 7分贝
宽IF带宽： DC - 6 GHz的
小尺寸： 0.83 X 1.12 X 0.1毫米
3
调音台 - CHIP
- 甚小孔径终端
军事&空间
通信，雷达& EW
工作原理图
概述
该HMC554是无源双平衡混频器
这可以被用作一个上变频或下变频
11至20千兆赫。微型单片
混合器被制造在一个砷化镓MESFET过程，并
无需外部元件或匹配环流
itry 。该HMC554提供了极好的LO至RF和
LO至IF隔离，由于优化的平衡 - 不平衡变换器结构。
测量与安装在芯片制作
成在一个50欧姆的测试固定装置，包括对位
引线键合装配SITIC效果。联系十分
用1密耳的线接合以最小长度（ <12制成
密耳） 。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， IF = 100 MHz的LO = +13 dBm的*
参数
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 （输入）
IP2 （输入）
1分贝增益压缩（输入）
40
32
16
分钟。
典型值。
12 - 16
DC - 6
7
7
46
38
25
18
48
11
9
9
38
30
15
马克斯。
分钟。
典型值。
11 - 20
DC - 6
8
8
44
40
25
18
45
11
10
10
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
*除另有说明外，所有的测量值进行的下变频器，中频= 100兆赫。
3 - 180
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC554
v00.1205
砷化镓MMIC FUNDAMENTAL
调音台， 11 - 20 GHz的
转换增益与
温度@ LO = +13 dBm的
0
隔离@ LO = +13 dBm的
0
-10
射频/中频
LO / RF
LO / IF
转换增益（dB ）
-5
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
10
11
12
13
14
15
3
调音台 - CHIP
3 - 181
-10
-15
+25C
+85C
-55C
-20
频率（GHz ）
16
17
18
19
20
21
频率（GHz ）
转换增益与LO驱动
0
回波损耗@ LO = + 13dBm的
0
转换增益（dB ）
-10
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
-15
+9 dBm的
+11 dBm的
+13 dBm的
+15 dBm的
-15
LO
RF
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
频率（GHz ）
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
频率（GHz ）
中频带宽@ LO = +13 dBm的
0
上变频器性能
转换增益与LO驱动
0
-5
响应（ dB）的
转换增益（dB ）
-5
-10
-10
-15
IF回波损耗
转换增益
-15
+9 dBm的
+11 dBm的
+13 dBm的
+15 dBm的
-20
0
1
2
3
4
5
6
7
频率（GHz ）
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC554
v00.1205
砷化镓MMIC FUNDAMENTAL
调音台， 11 - 20 GHz的
输入IP3主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的*
30
25
输入IP3 （ dBm的）
20
15
10
5
0
+25 C
+85 C
-40 C
输入IP3主场迎战LO驱动器*
30
25
输入IP3 （ dBm的）
3
调音台 - CHIP
20
15
10
5
0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
频率（GHz ）
+9 dBm的
+11 dBm的
+13 dBm的
+15 dBm的
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
频率（GHz ）
输入IP2主场迎战LO驱动器*
60
输入IP2主场迎战
温度@ LO = +13 dBm的*
60
50
输入IP2 （ DBM）
输入IP2 （ DBM）
50
40
40
+25C
+85C
-40C
30
+9 dBm的
+11 dBm的
+13 dBm的
+15 dBm的
30
20
20
10
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
频率（GHz ）
10
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
频率（GHz ）
输入P1dB的对比
温度@ LO = +13 dBm的
14
13
输入P1dB的（ DBM）
12
11
10
9
8
7
6
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
MXN杂散输出
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
xx
29
81
xx
xx
1
19
0
85
97
xx
2
25
51
60
98
105
3
xx
55
88
76
98
4
xx
xx
104
99
105
RF = 15.1 GHz的@ -10 dBm的
LO = 15.0 GHz的@ +13 dBm的
以dBc为单位的所有值低于中频输出功率电平。
*双音输入功率= -5 dBm的每一个音调， 1 MHz的间距。
3 - 182
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC554
v00.1205
砷化镓MMIC FUNDAMENTAL
调音台， 11 - 20 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免3.26毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+25 dBm的
+25 dBm的
150 °C
212毫瓦
306 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
静电敏感器件
观察处理注意事项
3
调音台 - CHIP
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2. DIE厚度为0.004 “ 。
3.典型的焊接区0.004 “广场。
4.焊垫间距中心，中心是0.006 “ 。
5.背面金属：金。
6.焊盘金属化：黄金。
7.背面金属接地。
8.连接不需要的未标记的焊垫。
9.该模具是专为PICK -UP真空（ EDGE）
夹头的工具。排除永久性的风险
损伤，无接触芯片表面被允许
在该矩形区域。
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
WP-7
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
3 - 183
HMC554
v00.1205
砷化镓MMIC FUNDAMENTAL
调音台， 11 - 20 GHz的
PAD说明
盘数
功能
描述
接口示意图
3
调音台 - CHIP
1
LO
此片是直流耦合和匹配
为50欧姆，从11到20千兆赫。
2
RF
此片是直流耦合和匹配
为50欧姆，从11到20千兆赫。
3
IF
此片是直流耦合。如果不需要能操作
ATION直流，这个端口应该是DC阻断外部使用
串联电容器，其值已被选通的
必要的IF频率范围。对于操作DC，该引脚
不能源出或吸入电流或部分超过2毫安
非功能可能部分失败将导致。
装配图
3 - 184
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
QQ：2880707522 复制
