HMC539LP3
/
539LP3E
0.25分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
阳性对照衰减器, DC - 4.0 GHz的
v00.0605
典型应用
特点
0.25分贝LSB步骤7.75分贝
+/- 0.05 dB的典型步骤错误
低插入损耗: 0.7分贝
高IP3 :+50 dBm的
一根控制线,每位
TTL / CMOS兼容的控制
+ 5V单电源
6
衰减器 - SMT
该HMC539LP3 / HMC539LP3E是理想的RF
而且如果应用程序:
蜂窝基础设施
ISM , MMDS , WLAN , WiMAX等无线宽带
微波无线电& VSAT
测试设备和传感器
工作原理图
3×3 mm的SMT封装
一般DISCRIPTION
该HMC539LP3 & HMC539LP3E是宽带
5比特的砷化镓集成电路在低成本铅数字衰减器
更少的表面贴装封装。这种单一的正面
每个位数字衰减器控制线路采用的脱
芯片交流接地电容接近直流操作,
使其适用于各种各样的RF和IF的
应用程序。覆盖DC至4.0千兆赫,则插入
损耗小于0.7 dB的典型。衰减器位
值是0.25 (LSB) ,0.5, 1,2,和4分贝共
衰减量为7.75分贝。衰减精度excel-
借在±0.05 dB的典型步骤的错误。衰减器还
特点是+50 dBm的高IIP3 。五TTL / CMOS
控制输入用于选择每个衰减
状态。的+ 5V单Vdd的偏见是必需的。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C,在VDD = 5V + & VCTL = 0 / + 5V
(除非另有说明)
参数
插入损耗
衰减范围
回波损耗( RF1 & RF2 ,所有安泰信。国)
衰减精度:
(参考插入损耗)
输入功率0.1 1dB压缩
输入三阶截点
(双音输入功率= 0 dBm的每个音)
开关特性
DC - 4.0 GHz的
TRISE , TFALL (10 /90% RF)
的tON , tOFF的(50%的CTL 10 /90% RF)的
48
52
ns
ns
所有国家
频率(GHz )
DC - 1.5 GHz的
1.5 - 3.0 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
DC - 4.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
0.1 - 4.0 GHz的
0.1 - 4.0 GHz的
分钟。
典型值。
0.7
1.0
1.3
7.75
25
20
± (安泰信,设置0.2 + 2 % )最大。
± (安泰信,设置0.2 + 4 % )最大。
28
50
马克斯。
1.0
1.3
1.7
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
6 - 164
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC539LP3
/
539LP3E
0.25分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
阳性对照衰减器, DC - 4.0 GHz的
回波损耗RF1 , RF2
插入损耗
0
-0.5
插入损耗(dB )
回波损耗(分贝)
-10
-1
-1.5
-2
-2.5
-40
-3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率(GHz )
-45
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
v00.0605
(唯一的主要状态示)
0
-5
6
0.25分贝
0.5分贝
2分贝
1分贝
-20
-25
-30
-35
归一化衰减
(唯一的主要状态示)
0
归一化的衰减量(dB )
-1
-2
0.25
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率(GHz )
-0.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
衰减状态(分贝)
错误(分贝)
-3
3 GHz的
4 GHz的
40 MHZ
误码主场迎战衰减状态
0.5
0
-0.25
1 GHz的
100兆赫
500兆赫
2 GHz的
误码与频率的关系
(唯一的主要状态示)
0.35
0.3
0.25
0.2
错误(分贝)
0.15
0.1
0.05
0
-0.05
-0.1
-0.15
-0.2
-0.25
0
7.75分贝
2分贝
4分贝
1分贝
0.25分贝
0.5分贝
相对相位与频率的关系
(唯一的主要状态示)
20
15
相对相位( DEG)
10
5
0
-5
-10
0.25-1分贝
7.75分贝
4分贝
2分贝
-15
-20
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率(GHz )
频率(GHz )
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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6 - 165
衰减器 - SMT
-15
I.L.dB
4分贝7.75分贝
HMC539LP3
/
539LP3E
0.25分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
阳性对照衰减器, DC - 4.0 GHz的
最坏的情况下步骤错误
之间连续衰减状态
v00.0605
6
步骤错误(分贝)
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
-0.05
-0.1
-0.15
-0.2
-0.25
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率(GHz )
衰减器 - SMT
偏置电压电流&
VDD = 5.0伏±10 %
VDD
( VDC)的
+4.5
+5.0
+5.5
国际直拨电话(典型值)。
(MA )
3.3
3.5
3.7
真值表
控制电压输入
V1
4分贝
高
高
高
V2
2分贝
高
高
高
高
低
高
低
V3
1分贝
高
高
高
低
高
高
低
V4
0.5分贝
高
高
低
高
高
高
低
V5
0.25分贝
高
低
高
高
高
高
低
衰减
状态
RF1 - RF2
参考
I.L.
0.25分贝
0.5分贝
1分贝
2分贝
4分贝
7.75分贝
控制电压
状态
低
高
注: VDD = + 5V
偏置条件
0至+ 0.8V @ -5 uA的典型。
+2.0到+ 5.0伏@ 30 uA的典型。
高
高
低
低
在上述状态中的任何组合将提供一个衰减
近似等于所选择的比特的总和。
6 - 166
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC539LP3
/
539LP3E
0.25分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
阳性对照衰减器, DC - 4.0 GHz的
v00.0605
绝对最大额定值
RF输入功率( DC - 4.0 GHz)的
控制电压范围( V1到V5 )
偏置电压(VDD )
通道温度
连续PDISS (T = 85°C )
(减免12.0毫瓦/ ° C以上85°C )
热阻
储存温度
工作温度
静电放电敏感度( HBM )
+29 dBm的(T = 85 ° C)
- 1V至VDD + 1V
7.0伏
150 °C
0.781 W
83 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
静电敏感器件
观察处理注意事项
6
衰减器 - SMT
外形绘图
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五,包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC539LP3
HMC539LP3E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
539
XXXX
539
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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6 - 167
HMC539LP3
/
539LP3E
0.25分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
阳性对照衰减器, DC - 4.0 GHz的
引脚说明
v00.0605
6
衰减器 - SMT
引脚数
1
功能
VDD
描述
电源电压。
该引脚的直流耦合,匹配50欧姆。
隔直电容是必需的。
基于操作的最低频率选择价值。
这些引脚应连接到PCB RF地面
最大限度地提高性能。
外部电容接地是必需的。对于选择价值
操作的最低频率。将电容尽量靠近
以销越好。
接口示意图
2, 11
RF1 , RF2
3, 9, 10
N / C
4-8
ACG1 - ACG5
12 - 16
V1 - V5
见真值表和控制电压表。
GND
包装底部有一个裸露的金属焊盘,必须
连接到RF接地。
应用电路
推荐元件值
C1, C2
C3
C4
R1 - R5
100pF的± 10%的
1000 pF的± 10%的
330 pF的±10 %
100欧姆± 10%的
6 - 168
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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HMC539LP3
/
539LP3E
v00.0605
0.25分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
阳性对照衰减器, DC - 4 GHz的
5
衰减器 - SMT
典型应用
该HMC539LP3 / HMC539LP3E是理想的RF
而且如果应用程序:
蜂窝基础设施
ISM , MMDS , WLAN , WiMAX等无线宽带
微波无线电& VSAT
测试设备和传感器
特点
0.25分贝LSB步骤7.75分贝
±0.05 dB的典型步骤错误
低插入损耗: 0.7分贝
高IP3 :+50 dBm的
一根控制线,每位
TTL / CMOS兼容的控制
+ 5V单电源
工作原理图
3×3 mm的SMT封装
一般DISCRIPTION
该HMC539LP3 & HMC539LP3E是宽带
5比特的砷化镓集成电路在低成本铅数字衰减器
更少的表面贴装封装。这种单一的正面
每个位数字衰减器控制线路采用的脱
芯片交流接地电容接近直流操作,
使其适用于各种各样的RF和IF的
应用程序。覆盖直流至4 GHz ,插入损耗
是小于0.7 dB的典型。衰减器位值
是0.25 (LSB) ,0.5, 1,2,和4分贝,总衰减
ATION 7.75分贝。衰减精度非常出色
在±0.05 dB的典型步骤的错误。衰减器还
特点是+50 dBm的高IIP3 。五TTL / CMOS
控制输入用于选择每个衰减
状态。的+ 5V单Vdd的偏见是必需的。
电气电源规格,
T
A
= + 25 ° C,在VDD = 5V + & VCTL = 0 / + 5V
(除非另有说明)
参数
插入损耗
衰减范围
回波损耗( RF1 & RF2 ,所有安泰信。国)
衰减精度:
(参考插入损耗)
输入功率0.1 1dB压缩
输入三阶截点
(双音输入功率= 0 dBm的每个音)
开关特性
DC - 4 GHz的
TRISE , TFALL (10 /90% RF)
的tON , tOFF的(50%的CTL 10 /90% RF)的
48
52
ns
ns
所有国家
频率(GHz )
DC - 1.5 GHz的
1.5 - 3.0 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
DC - 4 GHz的
DC - 3 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
DC - 3 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
0.1 - 4.0 GHz的
0.1 - 4.0 GHz的
分钟。
典型值。
0.7
1.0
1.3
7.75
25
20
± (安泰信,设置0.2 + 2 % )最大。
± (安泰信,设置0.2 + 4 % )最大。
28
50
马克斯。
1.0
1.3
1.7
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
5 - 164
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC539LP3
/
539LP3E
v00.0605
0.25分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
阳性对照衰减器, DC - 4 GHz的
回波损耗RF1 , RF2
插入损耗
0
-0.5
插入损耗(dB )
(唯一的主要状态示)
0
5
4分贝7.75分贝
1分贝
-9
回波损耗(分贝)
I.L.dB
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
-18
0.25分贝
0.5分贝
2分贝
-27
-36
-45
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率(GHz )
归一化衰减
(唯一的主要状态示)
0
归一化的衰减量(dB )
误码主场迎战衰减状态
0.5
-2
0.25
-4
错误(分贝)
3 GHz的
4 GHz的
40 MHZ
0
-6
-0.25
-8
1 GHz的
100兆赫
500兆赫
2 GHz的
-10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率(GHz )
-0.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
衰减状态(分贝)
误码与频率的关系
(唯一的主要状态示)
0.35
0.25
相对相位与频率的关系
(唯一的主要状态示)
20
15
相对相位( DEG)
10
5
0
-5
-10
0.25-1分贝
7.75分贝
4分贝
2分贝
错误(分贝)
0.15
0.25分贝
0.5分贝
0.05
-0.05
-0.15
2分贝
4分贝
1分贝
-15
-20
-0.25
0
7.75分贝
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率(GHz )
频率(GHz )
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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5 - 165
衰减器 - SMT
HMC539LP3
/
539LP3E
v00.0605
0.25分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
阳性对照衰减器, DC - 4 GHz的
5
衰减器 - SMT
最坏的情况下步骤错误
之间连续衰减状态
0.25
0.15
步骤错误(分贝)
0.05
-0.05
-0.15
-0.25
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率(GHz )
偏置电压电流&
VDD = 5.0伏±10 %
VDD
( VDC)的
+4.5
+5.0
+5.5
国际直拨电话(典型值)。
(MA )
3.3
3.5
3.7
真值表
控制电压输入
V1
4分贝
高
高
高
V2
2分贝
高
高
高
高
低
高
低
V3
1分贝
高
高
高
低
高
高
低
V4
0.5分贝
高
高
低
高
高
高
低
V5
0.25分贝
高
低
高
高
高
高
低
衰减
状态
RF1 - RF2
参考
I.L.
0.25分贝
0.5分贝
1分贝
2分贝
4分贝
7.75分贝
控制电压
状态
低
高
注: VDD = + 5V
偏置条件
0至+ 0.8V @ -5 uA的典型。
+2.0到+ 5.0伏@ 30 uA的典型。
高
高
低
低
在上述状态中的任何组合将提供一个衰减
近似等于所选择的比特的总和。
5 - 166
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC539LP3
/
539LP3E
v00.0605
0.25分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
阳性对照衰减器, DC - 4 GHz的
绝对最大额定值
RF输入功率( DC - 4千兆赫)
控制电压范围( V1到V5 )
偏置电压(VDD )
通道温度
连续PDISS (T = 85°C )
(减免12.0毫瓦/ ° C以上85°C )
热阻
储存温度
工作温度
静电放电敏感度( HBM )
+29 dBm的(T = 85 ° C)
- 1V至VDD + 1V
7.0伏
150 °C
0.781 W
83 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
5
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五,包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC539LP3
HMC539LP3E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
539
XXXX
539
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
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5 - 167
衰减器 - SMT
HMC539LP3
/
539LP3E
v00.0605
0.25分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
阳性对照衰减器, DC - 4 GHz的
5
衰减器 - SMT
引脚说明
引脚数
1
功能
VDD
描述
电源电压。
该引脚的直流耦合,匹配50欧姆。
隔直电容是必需的。
基于操作的最低频率选择价值。
这些引脚应连接到PCB RF地面
最大限度地提高性能。
外部电容接地是必需的。对于选择价值
操作的最低频率。将电容尽量靠近
以销越好。
接口示意图
2, 11
RF1 , RF2
3, 9, 10
N / C
4-8
ACG1 - ACG5
12 - 16
V1 - V5
见真值表和控制电压表。
GND
包装底部有一个裸露的金属焊盘,必须
连接到RF接地。
应用电路
推荐元件值
C1, C2
C3
C4
R1 - R5
100pF的± 10%的
1000 pF的± 10%的
330 pF的±10 %
100欧姆± 10%的
5 - 168
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com