v00.0105
HMC525LC4
砷化镓MMIC I / Q混频器
4 - 8.5 GHz的
典型应用
该HMC525LC4是理想的：
点至点和点对多点广播
- 甚小孔径终端
特点
宽IF带宽： DC - 3.5 GHz的
镜频抑制： 40分贝
LO至RF隔离： 50分贝
高输入IP3 ： +23 dBm的
符合RoHS 4 ×4mm的SMT封装
12
调音台 - SMT
工作原理图
概述
该HMC525LC4是一款紧凑型I / Q MMIC混频器
无铅“无铅”符合RoHS标准的SMT封装，
它可以被用作一个镜像抑制混频器
或单边带上变频器。该混频器
采用两个标准赫梯双平衡
混频器单元和一个90度混合制成
在砷化镓MESFET制程。低频
正交混合使用，以产生一个100兆赫
USB IF输出。本产品是一种更小
替代混合风格的镜像抑制混频器和
单边带上变频器组件。该
HMC525LC4省去了引线键合
允许使用的表面贴装生产
技术。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， IF = 100 MHz的LO = +15 dBm的*
参数
频率范围， RF / LO
频率范围，中频
转换损耗（由于IRM ）
镜像抑制
1 dB压缩（输入）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 （输入）
幅度平衡
相位平衡
33
14
20
分钟。
典型值。
4.0 - 8.5
DC - 3.5
8
35
+14
45
20
+23
0.3
8
40
17
11
30
马克斯。
分钟。
典型值。
5.5 - 7.5
DC - 3.5
7.5
40
+15
50
20
+23
0.2
4
9.5
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dB
dB
DBM
dB
度
*除另有说明外，所有的测量值进行的下变频器。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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12 - 358
v00.0105
HMC525LC4
砷化镓MMIC I / Q混频器
4 - 8.5 GHz的
作为IRM随着外部IF混合数据
转换增益与温度的关系
0
镜像抑制与温度的关系
60
50
转换增益（dB ）
-5
镜像抑制（分贝）
40
30
20
10
0
+25C
+85C
-55C
-10
-15
+25C
+85C
-55C
-20
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
12
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
转换增益与LO驱动
0
回波损耗
0
转换增益（dB ）
-5
回波损耗（分贝）
-5
-10
-10
+13 dBm的
+15 dBm的
+17 dBm的
+19 dBm的
-15
-15
-20
RF
LO
-20
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
-25
3
4
5
6
7
8
9
频率（GHz ）
输入P1dB为与温度的关系
20
输入IP3主场迎战LO驱动器
30
25
20
16
P1dB的（ DBM）
12
+25C
+85C
-55C
IP3 （ dBm的）
15
10
5
0
8
4
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
0
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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12 - 359
调音台 - SMT
v00.0105
HMC525LC4
砷化镓MMIC I / Q混频器
4 - 8.5 GHz的
正交信道的数据所没有IF混合
隔离
-10
LO/IF2
响应（ dB）的
LO/IF1
-30
RF/IF1
中频带宽*
0
回波损耗
转换增益
-20
隔离度（dB ）
-5
-10
-40
-15
-50
RF/IF2
LO / RF
-20
12
调音台 - SMT
-60
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
-25
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
IF频率（GHz ）
幅度平衡主场迎战LO驱动
2
1.5
1
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
相位平衡主场迎战LO驱动
10
相位平衡（度）
5
0
-5
-10
-15
-20
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
上变频器性能转换
增益与LO驱动
0
幅度平衡（分贝）
上变频器性能的边带
抑制与LO驱动
0
边带抑制（ DBC）
-10
-20
-30
-40
-50
-60
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
转换增益（dB ）
-5
-10
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
-15
-20
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
*采取外部IF混合转换增益数据
12 - 360
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v00.0105
HMC525LC4
砷化镓MMIC I / Q混频器
4 - 8.5 GHz的
LO谐波
非线性光学马刺在RF端口
LO频率。 （千兆赫）
1
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
40
43
51
59
48
44
2
40
45
57
63
66
65
3
54
58
48
64
64
60
4
50
53
67
56
62
67
MXN杂散输出
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
xx
32
89
89
89
1
-11
0
62
89
89
2
32
42
74
89
89
3
23
51
65
82
89
4
51
66
89
89
89
RF = 5.6 GHz的@ -10 dBm的
LO = 5.5 GHz的@ +15 dBm的
取数据，而无需IF混合动力
以dBc以下IF功率电平值都
LO = +15 dBm的
值以dBc以下输入LO电平的RF端口进行测量。
12
调音台 - SMT
12 - 361
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免9.7毫瓦/ ° C以上85°C ）
热敏电阻（R
TH
)
（结死底部）
储存温度
工作温度
+20 dBm的
+27 dBm的
150°C
631毫瓦
注意事项：
1.包装体材质：氧化铝
2.铅和地面PADDLE电镀： 30 - 80微英寸
镀金50微英寸镍最低
3.尺寸单位：英寸[毫米]为
4.引线间距有容乃非累积
五，包装WARP不得超过0.05毫米DATUM
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地
103 ° C / W
-65至+150°C
-55到+85度℃，
外形绘图
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v00.0105
HMC525LC4
砷化镓MMIC I / Q混频器
4 - 8.5 GHz的
引脚说明
针
数
1, 2, 6-8,
10, 13,
17-24
功能
描述
接口示意图
N / C
无需连接。这些引脚可以连接
在不影响性能的RF / DC接地。
3, 5, 12,
14, 16
GND
这些管脚和封装的底部必须连接
以RF / DC接地。
12
调音台 - SMT
4
RF
RF端口。该引脚交流耦合和匹配
50欧姆，从4到8.5 GHz的。
9
IF1
11
IF2
IF端口。该引脚的直流耦合。对于应用程序
不需要操作DC ，这个端口应该是
直流阻塞用串联电容器，其外部
值已选择通过必要的IF
频率范围。对于操作DC ，该引脚不得
源出/吸入比3毫安更多的电流或部分无功能的
化，并可能部分失败将导致。
15
LO
LO端口。该引脚交流耦合和匹配
50欧姆，从4到8.5 GHz的。
12 - 362
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC525LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
4 - 8.5 GHz的
典型应用
该HMC525LC4是理想的：
点至点和点对多点广播
特点
宽IF带宽： DC - 3.5 GHz的
镜频抑制： 40分贝
LO至RF隔离： 50分贝
高输入IP3 ： +23 dBm的
符合RoHS标准的4x4毫米表面贴装封装
8
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
- 甚小孔径终端
工作原理图
概述
该HMC525LC4是一款紧凑型I / Q MMIC混频器
无铅“无铅”符合RoHS标准的SMT封装，
它可以被用作一个镜像抑制混频器
或单边带上变频器。该混频器开发前景
两个标准赫双平衡混频器单元和
一个90度混合制作在GaAs MESFET
流程。低频正交混合使用
以产生一个100兆赫的USB IF输出。本产品
是一个更小的替代混合风格图片
拒绝混频器和单边带上变频器
集会。该HMC525LC4省去
用于引线接合，允许使用的表面贴装
制造技术。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， IF = 100 MHz的LO = +15 dBm的*
参数
频率范围， RF / LO
频率范围，中频
转换损耗（由于IRM ）
镜像抑制
1 dB压缩（输入）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 （输入）
幅度平衡
相位平衡
33
14
20
分钟。
典型值。
4.0 - 8.5
DC - 3.5
8
35
+14
45
20
+23
0.3
8
40
17
11
30
马克斯。
分钟。
典型值。
5.5 - 7.5
DC - 3.5
7.5
40
+15
50
20
+23
0.2
4
9.5
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dB
dB
DBM
dB
度
*除另有说明外，所有的测量值进行的下变频器。
8 - 124
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC525LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
4 - 8.5 GHz的
作为IRM随着外部IF混合数据
转换增益与温度的关系
0
镜像抑制与温度的关系
60
50
转换增益（dB ）
-5
镜像抑制（分贝）
40
30
20
10
0
+25C
+85C
-55C
8
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
8 - 125
-10
-15
+25C
+85C
-55C
-20
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
转换增益与LO驱动
0
回波损耗
0
转换增益（dB ）
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
-10
-15
-15
+13 dBm的
+15 dBm的
+17 dBm的
+19 dBm的
-20
RF
LO
-20
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
-25
3
4
5
6
7
8
9
频率（GHz ）
输入P1dB为与温度的关系
20
输入IP3主场迎战LO驱动器
30
25
20
16
P1dB的（ DBM）
12
+25C
+85C
-55C
IP3 （ dBm的）
15
10
5
0
8
4
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
0
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC525LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
4 - 8.5 GHz的
正交信道的数据所没有IF混合
隔离
-10
LO/IF2
响应（ dB）的
LO/IF1
-30
RF/IF1
中频带宽*
0
回波损耗
转换增益
隔离度（dB ）
8
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
-20
-5
-10
-40
-15
-50
LO / RF
-60
3
4
5
6
RF/IF2
-20
7
8
9
-25
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
射频频率（ GHz）的
IF频率（GHz ）
幅度平衡主场迎战LO驱动
2
1.5
幅度平衡（分贝）
1
0.5
0
相位平衡主场迎战LO驱动
10
相位平衡（度）
5
0
-5
-10
-15
-20
-0.5
-1
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
-1.5
-2
3
4
5
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
6
7
8
9
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
上变频器性能转换
增益与LO驱动
0
上变频器性能的边带
抑制与LO驱动
0
边带抑制（ DBC）
-10
-20
-30
-40
-50
-60
转换增益（dB ）
-5
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
-10
-15
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
-20
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
3
4
5
6
7
8
9
射频频率（ GHz）的
*采取外部IF混合转换增益数据
8 - 126
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC525LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
4 - 8.5 GHz的
LO谐波
LO频率。 （千兆赫）
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
非线性光学马刺在RF端口
1
40
43
51
59
48
44
2
40
45
57
63
66
65
3
54
58
48
64
64
60
4
50
53
67
56
62
67
MXN杂散输出
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
xx
32
89
89
89
1
-11
0
62
89
89
2
32
42
74
89
89
3
23
51
65
82
89
4
51
66
89
89
89
8
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
8 - 127
RF = 5.6 GHz的@ -10 dBm的
LO = 5.5 GHz的@ +15 dBm的
取数据，而无需IF混合动力
以dBc以下IF功率电平值都
LO = +15 dBm的
值以dBc以下输入LO电平的RF端口进行测量。
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免9.7毫瓦/ ° C以上85°C ）
热敏电阻（R
TH
)
（结死底部）
储存温度
工作温度
+20 dBm的
+27 dBm的
150°C
631毫瓦
103 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
注意事项：
1.包装体材质：氧化铝
2.铅和地面PADDLE电镀： 30 - 80微英寸
镀金50微英寸镍最低
3.尺寸单位：英寸[毫米]为
4.引线间距有容乃非累积
五，包装WARP不得超过0.05毫米DATUM
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC525LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
4 - 8.5 GHz的
引脚说明
引脚数
1, 2, 6-8, 10,
13, 17-24
3, 5, 12, 14,
16
功能
N / C
描述
无需连接。这些引脚可以连接
在不影响性能的RF / DC接地。
这些管脚和封装的底部必须连接
以RF / DC接地。
该引脚交流耦合和匹配
50欧姆，从4到8.5 GHz的。
该引脚的直流耦合。对于应用程序
不需要操作DC ，这个端口应该是
直流阻塞用串联电容器，其外部
值已选择通过必要的IF
频率范围。对于操作DC ，该引脚不得
源出/吸入比3毫安更多的电流或部分无功能的
化，并可能部分失败将导致。
该引脚交流耦合和匹配
50欧姆，从4到8.5 GHz的。
接口示意图
8
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
GND
4
RF
9
IF1
11
IF2
15
LO
8 - 128
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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QQ：2880707522 复制
