HMC522LC4
v00.1204
砷化镓MMIC I / Q混频器
11 - 16 GHz的
典型应用
该HMC522LC4是理想的：
点至点和点对多点广播
特点
宽IF带宽： DC - 3.5 GHz的
镜频抑制： 35分贝
LO至RF隔离： 45分贝
高输入IP3 ： +24 dBm的
符合RoHS标准的4x4毫米表面贴装封装
7
调音台 - SMT
数字广播
- 甚小孔径终端
工作原理图
概述
该HMC522LC4是一款紧凑型I / Q MMIC混频器在
无引线“无铅” SMT包，它可以用来
无论是作为一个图像抑制混频器或单边带
上变频器。该混频器采用两个标准赫梯
双平衡混频器单元和一个90度混合
制作在GaAs MESFET的过程。低freq-
uency正交混合，制作一个100
MHz的USB IF输出。本产品是一种更小
替代混合风格的镜像抑制混频器和
单边带上变频器组件。该
HMC522LC4省去了引线键合
允许使用的表面贴装生产
技术。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， IF = 100 MHz的LO = +15 dBm的*
参数
频率范围， RF / LO
频率范围，中频
转换损耗（由于IRM ）
镜像抑制
1 dB压缩（输入）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 （输入）
幅度平衡
相位平衡
40
18
17
分钟。
典型值。
11 - 16
DC - 3.5
7.5
25
+14
45
22
+22
0.4
4
40
18
10
20
马克斯。
分钟。
典型值。
12.7 - 15.4
DC - 3.5
7.5
30
+14
50
22
+24
0.2
3
9.5
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dB
dB
DBM
dB
度
*除另有说明外，所有的测量值进行的下变频器。
7 - 370
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC522LC4
v00.1204
砷化镓MMIC I / Q混频器
11 - 16 GHz的
作为IRM随着外部IF混合数据
转换增益与温度的关系
0
镜像抑制与温度的关系
50
转换增益（dB ）
-5
镜像抑制（分贝）
40
30
7
+25C
+85C
-55C
-10
20
-15
+25C
+85C
-40C
10
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
0
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
转换增益与LO驱动
0
回波损耗
0
RF
LO
转换增益（dB ）
-10
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
-15
+13 dBm的
+15 dBm的
+17 dBm的
+19 dBm的
-15
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
频率（GHz ）
输入P1dB为与温度的关系
20
18
输入IP3主场迎战LO驱动器
30
25
16
P1dB的（ DBM）
IP3 （ dBm的）
14
12
10
8
6
4
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
5
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
+25C
+85C
-40C
20
15
10
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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7 - 371
调音台 - SMT
HMC522LC4
v00.1204
砷化镓MMIC I / Q混频器
11 - 16 GHz的
正交信道的数据所没有IF混合
隔离
-10
中频带宽*
0
隔离度（dB ）
-30
LO/IF1
RF/IF1
-40
RF/IF2
-50
LO / RF
-60
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
响应（ dB）的
7
调音台 - SMT
-20
LO/IF2
-5
-10
-15
-20
回波损耗
转换增益
-25
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
IF频率（GHz ）
幅度平衡主场迎战LO驱动
2
1.5
幅度平衡（分贝）
1
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
相位平衡主场迎战LO驱动
15
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
相位平衡（度）
10
5
0
-5
-10
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
上变频器性能转换
增益与LO驱动
0
上变频器性能的边带
抑制与LO驱动
0
边带抑制（ DBC）
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
转换增益（dB ）
-10
-5
-20
-10
LO = + 13dBm的
LO = + 15dBm的
LO = + 17dBm的
LO = + 19dBm
-30
-15
-40
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
-50
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
*采取外部IF混合转换增益数据
7 - 372
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC522LC4
v00.1204
砷化镓MMIC I / Q混频器
11 - 16 GHz的
LO谐波
非线性光学马刺在RF端口
LO频率。 （千兆赫）
1
10.5
11.5
12.5
13.5
14.5
15.5
43
48
48
44
44
43
2
46
49
51
60
58
51
3
52
61
63
67
82
75
4
80
76
61
xx
xx
xx
MXN杂散输出
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
xx
27
83
85
xx
1
-4
0
69
93
86
2
18
54
70
93
93
3
18
57
77
81
92
4
xx
64
91
93
93
7
调音台 - SMT
7 - 373
RF = 13.6 GHz的@ -10 dBm的
LO = 13.5 GHz的@ +15 dBm的
取数据，而无需IF混合动力
以dBc以下IF功率电平值都
LO = + 15 dBm的
值以dBc以下输入LO电平的RF端口进行测量。
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免6.9毫瓦/ ° C以上85°C ）
热敏电阻（R
TH
)
（结到封装底部）
储存温度
工作温度
+20 dBm的
+ 27 dBm的
150°C
452毫瓦
150 C / W
-65至+150°C
-55到+85度℃，
注意事项：
1.包装体材质：氧化铝
2.铅和地面PADDLE电镀： 30 - 80微英寸
镀金50微英寸镍最低
3.尺寸单位：英寸[毫米]为
4.引线间距有容乃非累积
五，包装WARP不得超过0.05毫米DATUM
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC522LC4
v00.1204
砷化镓MMIC I / Q混频器
11 - 16 GHz的
引脚说明
引脚数
1, 2, 6-8, 10,
13, 17-24
功能
描述
无需连接。这些引脚可以连接
在不影响性能的RF / DC接地。
接口示意图
N / C
7
调音台 - SMT
3, 5, 12, 14, 16
GND
这些引脚和封装的底部必须
被连接到射频/直流接地。
4
RF
该引脚交流耦合和匹配
50欧姆，从11到16千兆赫。
9
IF1
11
IF2
该引脚的直流耦合。对于应用程序
不需要操作DC ，这个端口应该是
直流阻塞用串联电容器，其外部
值已选择通过必要的IF
频率范围。对于操作DC ，该引脚不得
源出/吸入比3毫安更多的电流或部分无功能的
化，并可能部分失败将导致。
15
LO
该引脚交流耦合和匹配
50欧姆，从11到16千兆赫。
7 - 374
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC522LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
11 - 16 GHz的
典型应用
该HMC522LC4是理想的：
点至点和点对多点广播
特点
宽IF带宽： DC - 3.5 GHz的
镜频抑制： 35分贝
LO至RF隔离： 45分贝
高输入IP3 ： +24 dBm的
符合RoHS标准的4x4毫米表面贴装封装
8
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
数字广播
- 甚小孔径终端
工作原理图
概述
该HMC522LC4是一款紧凑型I / Q MMIC混频器在
无引线“无铅” SMT包，它可以用来
无论是作为一个图像抑制混频器或单边带
上变频器。该混频器采用两个标准赫梯
双平衡混频器单元和一个90度混合
制作在GaAs MESFET的过程。低freq-
uency正交混合，制作一个100
MHz的USB IF输出。本产品是一种更小
替代混合风格的镜像抑制混频器和
单边带上变频器组件。该
HMC522LC4省去了引线键合
允许使用的表面贴装生产
技术。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， IF = 100 MHz的LO = +15 dBm的*
参数
频率范围， RF / LO
频率范围，中频
转换损耗（由于IRM ）
镜像抑制
1 dB压缩（输入）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 （输入）
幅度平衡
相位平衡
40
18
17
分钟。
典型值。
11 - 16
DC - 3.5
7.5
25
+14
45
22
+22
0.4
4
40
18
10
20
马克斯。
分钟。
典型值。
12.7 - 15.4
DC - 3.5
7.5
30
+14
50
22
+24
0.2
3
9.5
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dB
dB
DBM
dB
度
*除另有说明外，所有的测量值进行的下变频器。
8 - 106
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC522LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
11 - 16 GHz的
作为IRM随着外部IF混合数据
转换增益与温度的关系
0
镜像抑制与温度的关系
50
转换增益（dB ）
-5
镜像抑制（分贝）
40
30
8
+25C
+85C
-55C
-10
20
-15
+25C
+85C
-40C
10
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
0
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
转换增益与LO驱动
0
回波损耗
0
RF
LO
-10
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
-15
+13 dBm的
+15 dBm的
+17 dBm的
+19 dBm的
-15
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
频率（GHz ）
输入P1dB为与温度的关系
20
18
16
P1dB的（ DBM）
输入IP3主场迎战LO驱动器
30
25
IP3 （ dBm的）
14
12
10
8
6
4
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
+25C
+85C
-40C
20
15
10
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
5
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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8 - 107
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
转换增益（dB ）
HMC522LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
11 - 16 GHz的
正交信道的数据所没有IF混合
隔离
-10
中频带宽*
0
隔离度（dB ）
-30
RF/IF1
-40
RF/IF2
-50
响应（ dB）的
8
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
-20
LO/IF2
-5
LO/IF1
-10
-15
LO / RF
-20
回波损耗
转换增益
-60
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
-25
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
IF频率（GHz ）
幅度平衡主场迎战LO驱动
2
1.5
幅度平衡（分贝）
1
0.5
0
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
相位平衡主场迎战LO驱动
15
相位平衡（度）
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
10
5
-0.5
-1
0
-5
-1.5
-2
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
-10
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
上变频器性能转换
增益与LO驱动
0
上变频器性能的边带
抑制与LO驱动
0
边带抑制（ DBC）
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
转换增益（dB ）
-5
-10
-20
-10
LO = + 13dBm的
LO = + 15dBm的
LO = + 17dBm的
LO = + 19dBm
-30
-15
-40
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
-50
10
11
12
13
14
15
16
17
射频频率（ GHz）的
*采取外部IF混合转换增益数据
8 - 108
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC522LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
11 - 16 GHz的
LO谐波
LO频率。 （千兆赫）
10.5
11.5
12.5
13.5
14.5
15.5
非线性光学马刺在RF端口
1
43
48
48
44
44
43
2
46
49
51
60
58
51
3
52
61
63
67
82
75
4
80
76
61
xx
xx
xx
MXN杂散输出
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
xx
27
83
85
xx
1
-4
0
69
93
86
2
18
54
70
93
93
3
18
57
77
81
92
4
xx
64
91
93
93
8
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
8 - 109
RF = 13.6 GHz的@ -10 dBm的
LO = 13.5 GHz的@ +15 dBm的
取数据，而无需IF混合动力
以dBc以下IF功率电平值都
LO = + 15 dBm的
值以dBc以下输入LO电平的RF端口进行测量。
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免6.9毫瓦/ ° C以上85°C ）
热敏电阻（R
TH
)
（结到封装底部）
储存温度
工作温度
+20 dBm的
+ 27 dBm的
150°C
452毫瓦
150 C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
注意事项：
1.包装体材质：氧化铝
2.铅和地面PADDLE电镀： 30 - 80微英寸
镀金50微英寸镍最低
3.尺寸单位：英寸[毫米]为
4.引线间距有容乃非累积
五，包装WARP不得超过0.05毫米DATUM
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC522LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
11 - 16 GHz的
引脚说明
引脚数
1, 2, 6-8, 10,
13, 17-24
功能
N / C
描述
无需连接。这些引脚可以连接
在不影响性能的RF / DC接地。
这些引脚和封装的底部必须
被连接到射频/直流接地。
该引脚交流耦合和匹配
50欧姆，从11到16千兆赫。
该引脚的直流耦合。对于应用程序
不需要操作DC ，这个端口应该是
直流阻塞用串联电容器，其外部
值已选择通过必要的IF
频率范围。对于操作DC ，该引脚不得
源出/吸入比3毫安更多的电流或部分无功能的
化，并可能部分失败将导致。
该引脚交流耦合和匹配
50欧姆，从11到16千兆赫。
接口示意图
8
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
3, 5, 12, 14, 16
GND
4
RF
9
IF1
11
IF2
15
LO
8 - 110
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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