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HMC520LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
6 - 10 GHz的
典型应用
该HMC520LC4是理想的:
点至点和点对多点广播
特点
宽IF带宽: DC - 3.5 GHz的
镜频抑制: 40分贝
LO至RF隔离: 50分贝
高输入IP3 : +23 dBm的
符合RoHS 4 ×4mm的SMT封装
8
搅拌机 - I / Q混频器, IRMS &接收器 - SMT
数字广播
- 甚小孔径终端
工作原理图
概述
该HMC520LC4是一款紧凑型I / Q MMIC混频器在
无引线“无铅” SMT包,它可以用来
无论是作为一个图像抑制混频器或单边带
上变频器。该混频器采用两个标准赫梯
双平衡混频器单元和一个90度混合
制作在GaAs MESFET的过程。低frequ-
ency正交混合,制作一个100
MHz的USB IF输出。本产品是一种更小
替代混合风格的镜像抑制混频器
和单边带上变频器组件。该
HMC520LC4省去了引线键合
允许使用的表面贴装生产
技术。
电气电源规格,
T
A
= + 25 ° C, IF = 100 MHz的LO = +15 dBm的*
参数
频率范围, RF / LO
频率范围,中频
转换损耗(由于IRM )
镜像抑制
1 dB压缩(输入)
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 (输入)
幅度平衡
相位平衡
35
16
20
分钟。
典型值。
6 - 10
DC - 3.5
7
30
+12
45
20
+22
0.3
4
40
18
10
28
马克斯。
分钟。
典型值。
7.1 - 8.5
DC - 3.5
7
40
+12
50
22
+23
0.2
4
9
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dB
dB
DBM
dB
*除另有说明外,所有的测量值进行的下变频器。
8 - 94
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC520LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
6 - 10 GHz的
作为IRM随着外部IF混合数据
转换增益与温度的关系
0
镜像抑制与温度的关系
60
50
转换增益(dB )
-5
镜像抑制(分贝)
40
30
20
10
0
+25C
+85C
-55C
8
搅拌机 - I / Q混频器, IRMS &接收器 - SMT
8 - 95
-10
-15
+25C
+85C
-55C
-20
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
转换增益与LO驱动
0
回波损耗
0
转换增益(dB )
-5
回波损耗(分贝)
-5
RF
LO
-10
-10
-15
-15
+13 dBm的
+15 dBm的
+17 dBm的
+19 dBm的
-20
-20
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
-25
5
6
7
8
9
10
11
频率(GHz )
输入P1dB为与温度的关系
20
输入IP3主场迎战LO驱动器
30
25
20
16
P1dB的( DBM)
12
+25C
+85C
-55C
IP3 ( dBm的)
15
10
5
0
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
8
4
0
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC520LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
6 - 10 GHz的
正交信道的数据所没有IF混合
隔离
-10
中频带宽*
0
隔离度(dB )
-30
RF/IF1
-40
LO/IF1
响应( dB)的
RF/IF2
8
搅拌机 - I / Q混频器, IRMS &接收器 - SMT
-20
LO/IF2
-5
-10
-15
-50
LO / RF
-60
5
6
7
8
-20
回波损耗
转换增益
9
10
11
-25
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
射频频率( GHz)的
IF频率(GHz )
幅度平衡主场迎战LO驱动
2
相位平衡主场迎战LO驱动
10
相位平衡(度)
幅度平衡(分贝)
1
5
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
0
0
-1
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
-5
-2
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
-10
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
上变频器性能转换
增益与LO驱动
0
上变频器性能的边带
抑制与LO驱动
0
边带抑制( DBC)
-10
-20
-30
-40
-50
-60
转换增益(dB )
-5
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
-10
-15
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
-20
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
*采取外部IF混合转换增益数据
8 - 96
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC520LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
6 - 10 GHz的
LO谐波
非线性光学马刺在RF端口
LO频率。 (千兆赫)
1
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
10.5
40
44
52
52
46
47
2
41
48
62
66
59
60
3
51
45
55
58
69
62
4
54
69
68
55
47
xx
MXN杂散输出
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
xx
31
90
90
90
1
-6
0
69
90
90
2
37
47
72
90
90
3
21
60
69
79
99
4
61
68
90
90
90
8
搅拌机 - I / Q混频器, IRMS &接收器 - SMT
8 - 97
RF = 7.6 GHz的@ -10 dBm的
LO = 7.5 GHz的@ +15 dBm的
取数据,而无需IF混合动力
以dBc以下IF功率电平值都
LO = + 15 dBm的
值以dBc以下输入LO电平的RF端口进行测量。
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
通道温度
连续PDISS (T = 85°C )
(减免6.9毫瓦/ ° C以上85°C )
热敏电阻(R
TH
)
(结到封装底部)
储存温度
工作温度
+20 dBm的
+ 27 dBm的
150°C
508毫瓦
注意事项:
1.包装体材质:氧化铝
2.铅和地面PADDLE电镀: 30 - 80微英寸
镀金50微英寸镍最低
3.尺寸单位:英寸[毫米]为
4.引线间距有容乃非累积
五,包装WARP不得超过0.05毫米DATUM
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地
静电敏感器件
观察处理注意事项
128.2 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
外形绘图
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC520LC4
v02.1208
砷化镓MMIC I / Q混频器
6 - 10 GHz的
引脚说明
引脚数
1, 2, 6-8, 10,
13, 17-24
3, 5, 12,
14, 16
功能
N / C
描述
无需连接。这些引脚可以连接
在不影响性能的RF / DC接地。
这些引脚和封装的底部必须
被连接到射频/直流接地。
该引脚交流耦合和匹配
50欧姆的6至10千兆赫。
该引脚为直流耦合。对于应用程序不要求还
荷兰国际集团操作的DC ,此端口必须DC封锁
外部采用串联电容,其值有
被选择通过必要的IF频率范围。
对于操作DC ,该引脚不能源出/吸入更多
电流或部分无功能和可能比3毫安
部分失败将导致。
该引脚交流耦合和匹配
50欧姆的6至10千兆赫。
接口示意图
8
搅拌机 - I / Q混频器, IRMS &接收器 - SMT
GND
4
RF
9
IF1
11
IF2
15
LO
8 - 98
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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HMC520LC4
v00.1204
砷化镓MMIC I / Q混频器
6 - 10 GHz的
典型应用
该HMC520LC4是理想的:
点至点和点对多点广播
特点
宽IF带宽: DC - 3.5 GHz的
镜频抑制: 40分贝
LO至RF隔离: 50分贝
高输入IP3 : +23 dBm的
符合RoHS 4 ×4mm的SMT封装
7
调音台 - SMT
数字广播
- 甚小孔径终端
工作原理图
概述
该HMC520LC4是一款紧凑型I / Q MMIC混频器在
无引线“无铅” SMT包,它可以用来
无论是作为一个图像抑制混频器或单边带
上变频器。该混频器采用两个标准赫梯
双平衡混频器单元和一个90度混合
制作在GaAs MESFET的过程。低freq-
uency正交混合,制作一个100
MHz的USB IF输出。本产品是一种更小
替代混合风格的镜像抑制混频器
和单边带上变频器组件。该
HMC520LC4省去了引线键合
允许使用的表面贴装生产
技术。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, IF = 100 MHz的LO = +15 dBm的*
参数
频率范围, RF / LO
频率范围,中频
转换损耗(由于IRM )
镜像抑制
1 dB压缩(输入)
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 (输入)
幅度平衡
相位平衡
35
16
20
分钟。
典型值。
6 - 10
DC - 3.5
7
30
+12
45
20
+22
0.3
4
40
18
10
28
马克斯。
分钟。
典型值。
7.1 - 8.5
DC - 3.5
7
40
+12
50
22
+23
0.2
4
9
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dB
dB
DBM
dB
*除另有说明外,所有的测量值进行的下变频器。
7 - 358
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC520LC4
v00.1204
砷化镓MMIC I / Q混频器
6 - 10 GHz的
作为IRM随着外部IF混合数据
转换增益与温度的关系
0
镜像抑制与温度的关系
60
50
转换增益(dB )
-5
镜像抑制(分贝)
40
30
20
10
0
+25C
+85C
-55C
7
调音台 - SMT
7 - 359
-10
-15
+25C
+85C
-55C
-20
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
转换增益与LO驱动
0
回波损耗
0
转换增益(dB )
-5
回波损耗(分贝)
-5
RF
LO
-10
-10
-15
-15
+13 dBm的
+15 dBm的
+17 dBm的
+19 dBm的
-20
-20
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
-25
5
6
7
8
9
10
11
频率(GHz )
输入P1dB为与温度的关系
20
18
16
14
P1dB的( DBM)
12
10
8
6
4
2
0
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
+25C
+85C
-55C
输入IP3主场迎战LO驱动器
30
25
20
IP3 ( dBm的)
15
10
5
0
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC520LC4
v00.1204
砷化镓MMIC I / Q混频器
6 - 10 GHz的
正交信道的数据所没有IF混合
隔离
-10
中频带宽*
0
隔离度(dB )
-30
RF/IF1
-40
LO/IF1
响应( dB)的
RF/IF2
7
调音台 - SMT
-20
LO/IF2
-5
-10
-15
-50
LO / RF
-60
5
6
7
8
-20
回波损耗
转换增益
9
10
11
-25
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
射频频率( GHz)的
IF频率(GHz )
幅度平衡主场迎战LO驱动
2
1.5
相位平衡主场迎战LO驱动
10
相位平衡(度)
幅度平衡(分贝)
1
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
5
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
0
-5
-10
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
上变频器性能转换
增益与LO驱动
0
上变频器性能的边带
抑制与LO驱动
0
边带抑制( DBC)
-10
-20
-30
-40
-50
-60
转换增益(dB )
-5
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
-10
-15
LO = +13 dBm的
LO = +15 dBm的
LO = +17 dBm的
LO = +19 dBm的
-20
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
5
6
7
8
9
10
11
射频频率( GHz)的
*采取外部IF混合转换增益数据
7 - 360
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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v00.1204
砷化镓MMIC I / Q混频器
6 - 10 GHz的
LO谐波
非线性光学马刺在RF端口
LO频率。 (千兆赫)
1
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
10.5
40
44
52
52
46
47
2
41
48
62
66
59
60
3
51
45
55
58
69
62
4
54
69
68
55
47
xx
MXN杂散输出
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
xx
31
90
90
90
1
-6
0
69
90
90
2
37
47
72
90
90
3
21
60
69
79
99
4
61
68
90
90
90
7
调音台 - SMT
7 - 361
RF = 7.6 GHz的@ -10 dBm的
LO = 7.5 GHz的@ +15 dBm的
取数据,而无需IF混合动力
以dBc以下IF功率电平值都
LO = + 15 dBm的
值以dBc以下输入LO电平的RF端口进行测量。
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
通道温度
连续PDISS (T = 85°C )
(减免6.9毫瓦/ ° C以上85°C )
热敏电阻(R
TH
)
(结到封装底部)
储存温度
工作温度
+20 dBm的
+ 27 dBm的
150°C
508毫瓦
注意事项:
1.包装体材质:氧化铝
2.铅和地面PADDLE电镀: 30 - 80微英寸
镀金50微英寸镍最低
3.尺寸单位:英寸[毫米]为
4.引线间距有容乃非累积
五,包装WARP不得超过0.05毫米DATUM
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地
静电敏感器件
观察处理注意事项
128.2 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
外形绘图
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC520LC4
v00.1204
砷化镓MMIC I / Q混频器
6 - 10 GHz的
引脚说明
引脚数
1, 2, 6-8, 10,
13, 17-24
3, 5, 12,
14, 16
功能
N / C
描述
无需连接。这些引脚可以连接
在不影响性能的RF / DC接地。
这些引脚和封装的底部必须
被连接到射频/直流接地。
该引脚交流耦合和匹配
50欧姆的6至10千兆赫。
该引脚为直流耦合。对于应用程序不要求还
荷兰国际集团操作的DC ,此端口必须DC封锁
外部采用串联电容,其值有
被选择通过必要的IF频率范围。
对于操作DC ,该引脚不能源出/吸入更多
电流或部分无功能和可能比3毫安
部分失败将导致。
该引脚交流耦合和匹配
50欧姆的6至10千兆赫。
接口示意图
7
调音台 - SMT
GND
4
RF
9
IF1
11
IF2
15
LO
7 - 362
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HMC520LC4
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2394092314 复制 点击这里给我发消息 QQ:792179102 复制 点击这里给我发消息 QQ:841523240 复制

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