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v00.1204
HMC516LC5
SMT PHEMT低噪声
功放, 9 - 18 GHz的
特点
噪声系数: 2.0分贝
增益: 20分贝
OIP3 : +25 dBm的
单电源: + 3V @ 65毫安
50欧姆匹配输入/输出
符合RoHS 5 ×5毫米封装
8
放大器 - SMT
典型应用
该HMC516LC5是非常适合用作低噪声放大器或
驱动放大器器为:
点至点收音机
点到多点无线电& VSAT
测试设备和传感器
- 军事
工作原理图
概述
该HMC516LC5是一种高动态范围
的GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器ER( LNA )
住在无铅“无铅”符合RoHS标准
SMT封装。该HMC516LC5提供20分贝
小信号增益,噪声音响gure 2.0 dB和
为+25 dBm的输出IP3 。在P1dB的输出
的+13 dBm的功率使LNA也
函数作为LO驱动器用于平衡I / Q或图像
拒绝混频器。该HMC516LC5允许使用
表面贴装的制造技术。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, Vdd的1 , 2 , 3 = + 3V
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
电源电流( IDD) ( VDD = + 3V )
17.5
分钟。
典型值。
9 - 12
20
0.015
2.0
10
12
13
15
25
65
0.025
2.5
18
马克斯。
分钟。
典型值。
12 - 18
20.5
0.015
2.0
10
12
14
16
25
65
0.025
2.5
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
8 - 458
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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v00.1204
HMC516LC5
SMT PHEMT低噪声
功放, 9 - 18 GHz的
砷化镓MMIC SUB-谐
增益与温度
17 - 25 GHz的
泵浦搅拌机
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应( dB)的
10
5
0
-5
-10
-15
-20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率(GHz )
12
10
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
增益(dB )
S21
S11
S22
8
放大器 - SMT
8 - 459
22
20
18
16
14
+25C
+85C
-40C
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
+25C
+85C
-40C
回波损耗(分贝)
回波损耗(分贝)
16
18
-5
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-20
-25
-10
-15
-20
8
10
12
14
频率(GHz )
-30
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
噪声系数与温度
10
9
8
噪声系数(dB )
7
6
5
4
3
2
1
0
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
+25C
+85C
-40C
输出IP3与温度的关系
35
30
25
OIP3 ( dBm的)
20
15
10
5
0
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
+25C
+85C
-40C
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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v00.1204
HMC516LC5
SMT PHEMT低噪声
功放, 9 - 18 GHz的
8
放大器 - SMT
P1dB为与温度的关系
20
18
16
14
P1dB的( DBM)
12
10
8
6
4
2
0
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
+25C
+85C
-40C
PSAT与温度的关系
20
18
16
14
PSAT ( DBM)
12
10
8
6
4
2
0
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
+25C
+85C
-40C
反向隔离与温度的关系
0
-10
-20
隔离度(dB )
-30
-40
-50
-60
-70
-80
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
+25C
+85C
-40C
功率压缩@ 12 GHz的
25
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
20
收益
PAE
15
10
5
0
-22
-20
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
输入功率(dBm )
增益,噪声系数&功率对
电源电压@ 12 GHz的
24
22
增益(dB )的P1dB ( dBm的)
20
收益
18
16
P1dB
14
噪声系数
12
10
2.5
3
VDD (VDC )
2
1
0
3.5
4
3
7
6
5
噪声系数(dB )
8 - 460
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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v00.1204
HMC516LC5
SMT PHEMT低噪声
功放, 9 - 18 GHz的
绝对最大额定值
漏极偏置电压( VDD1 , VDD2 ,
Vdd3)
RF输入功率( RFIN ) ( VDD = 3.0
VDC )
通道温度
连续PDISS (T = 85°C )
(减免14毫瓦/ ° C以上85°C )
热阻
(信道死底部)
储存温度
工作温度
静电放电敏感度( HBM )
4伏
+10 dBm的
175 °C
1.25 W
71 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
典型电源电流与Vdd的
VDD (VDC )
+2.5
+3.0
+3.5
IDD (MA )
61
65
69
8
放大器 - SMT
8 - 461
注:扩增fi er将工作在全电压范围
如上所示。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项:
1.包装体材质:氧化铝
2.铅和地面PADDLE电镀: 3080微英寸
镀金50微英寸镍最低
3.尺寸单位:英寸[毫米]为
4.引线间距有容乃非累积
五,包装WARP不得超过0.05毫米DATUM
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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v00.1204
HMC516LC5
SMT PHEMT低噪声
功放, 9 - 18 GHz的
8
放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 2, 6-19,
23-25, 27,
29, 31, 32
功能
描述
该管脚可被连接到射频/ DC接地。
性能也不会受到影响。
接口示意图
N / C
4
RFIN
该引脚交流耦合和匹配50欧姆
9 - 18 GHz的。
30, 28, 26
VDD1 , 2,3
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和2.2 μF的电容。
21
RFOUT
该引脚交流耦合和匹配50欧姆
9 - 18 GHz的。
3, 5, 20, 22
GND
这些管脚和封装的底部必须是
连接到RF / DC接地。
应用电路
部件
C1, C2, C3
C4, C5, C6
价值
100 pF的
2.2 F
8 - 462
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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HMC516LC5
v02.1208
SMT PHEMT低噪声
功放, 9 - 18 GHz的
8
低噪声放大器 - SMT
典型应用
该HMC516LC5是非常适合用作低噪声放大器或驱动器
放大器:
点至点收音机
点到多点无线电& VSAT
测试设备和传感器
- 军事
特点
噪声系数: 2分贝
增益: 20分贝
OIP3 : +25 dBm的
单电源: + 3V @ 65毫安
50欧姆匹配输入/输出
RoHS符合5 x 5毫米封装
工作原理图
概述
该HMC516LC5是一种高动态范围的GaAs
PHEMT MMIC低噪声放大器( LNA )设在
无铅“无铅”符合RoHS标准的SMT封装。
该HMC516LC5提供小信号20分贝
增益,噪声系数为2 dB和具有一个输出的IP3
+25 dBm的。的+13 dBm的P1dB为的输出功率使
在LNA到也用作一个LO驱动器用于均衡,
I / Q或镜像抑制混频器。该HMC516LC5允许
使用表面贴装的制造技术。
电气电源规格,
T
A
= + 25 ° C, Vdd的1 , 2 , 3 = + 3V
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
电源电流( IDD) ( VDD = + 3V )
17.5
分钟。
典型值。
9 - 12
20
0.015
2.0
10
12
13
15
25
65
88
0.025
2.5
18
马克斯。
分钟。
典型值。
12 - 18
20.5
0.015
2.0
10
12
14
16
25
65
88
0.025
2.5
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
8 - 138
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC516LC5
v02.1208
SMT PHEMT低噪声
功放, 9 - 18 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
20
增益与温度
22
20
8
低噪声放大器 - SMT
8 - 139
15
响应( dB)的
10
5
0
-5
-10
12
-15
-20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率(GHz )
10
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
增益(dB )
S21
S11
S22
18
16
14
+25C
+85C
-40C
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
+25C
+85C
-40C
回波损耗(分贝)
回波损耗(分贝)
16
18
-5
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-20
-25
-10
-15
-20
8
10
12
14
频率(GHz )
-30
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
噪声系数与温度
10
9
8
噪声系数(dB )
7
6
5
4
3
2
1
0
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
+25C
+85C
-40C
输出IP3与温度的关系
35
30
25
IP3 ( dBm的)
20
15
10
5
0
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
+25C
+85C
-40C
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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HMC516LC5
v02.1208
SMT PHEMT低噪声
功放, 9 - 18 GHz的
8
低噪声放大器 - SMT
P1dB为与温度的关系
20
18
16
14
P1dB的( DBM)
12
10
8
6
4
2
0
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
+25C
+85C
-40C
PSAT与温度的关系
20
18
16
14
PSAT ( DBM)
12
10
8
6
4
2
0
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
+25C
+85C
-40C
反向隔离与温度的关系
0
-10
-20
隔离度(dB )
-30
-40
-50
-60
-70
-80
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
+25C
+85C
-40C
功率压缩@ 12 GHz的
25
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
20
收益
PAE
15
10
5
0
-22
-20
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
输入功率(dBm )
增益,噪声系数&功率对
电源电压@ 12 GHz的
24
22
增益(dB )的P1dB ( dBm的)
20
收益
18
16
P1dB
14
噪声系数
12
10
2.5
3
Vdd的(V)的
2
1
0
3.5
4
3
7
6
5
噪声系数(dB )
8 - 140
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC516LC5
v02.1208
SMT PHEMT低噪声
功放, 9 - 18 GHz的
典型电源电流与Vdd的
VDD (VDC )
+2.5
+3.0
+3.5
IDD (MA )
61
65
69
绝对最大额定值
漏极偏置电压( VDD1 , VDD2 , VDD3 )
RF输入功率( RFIN ) ( VDD = 3.0 V直流)
通道温度
连续PDISS (T = 85°C )
(减免14毫瓦/ ° C以上85°C )
热阻
(信道死底部)
储存温度
工作温度
静电放电敏感度( HBM )
4伏
+5 dBm的
175 °C
1.25 W
71 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
8
低噪声放大器 - SMT
8 - 141
注:功率放大器ER将工作在显示全电压范围
以上。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项:
1.包装体材质:氧化铝
2.铅和地面PADDLE电镀: 3080微英寸
镀金50微英寸镍最低
3.尺寸单位:英寸[毫米]为
4.引线间距有容乃非累积
五,包装WARP不得超过0.05毫米DATUM
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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HMC516LC5
v02.1208
SMT PHEMT低噪声
功放, 9 - 18 GHz的
8
低噪声放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 2, 6-19,
23-25, 27,
29, 31, 32
功能
描述
该管脚可被连接到射频/ DC接地。
性能也不会受到影响。
接口示意图
N / C
4
RFIN
该引脚交流耦合,匹配50欧姆。
30, 28, 26
VDD1 , 2,3
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和2.2 μF的电容。
21
RFOUT
该引脚交流耦合,匹配50欧姆。
3, 5, 20, 22
GND
这些管脚和封装的底部必须是
连接到RF / DC接地。
应用电路
部件
C1, C2, C3
C4, C5, C6
价值
100 pF的
2.2 μF
8 - 142
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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    -
    -
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电话:15899765957 19573525995
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联系人:陈泽强
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电话:18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人:朱
地址:福田区振兴西路华康大厦2栋315室
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ADI(亚德诺)
24+
12000
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电话:0755-83223648
联系人:谢小姐
地址:福田区振华路100号深纺大厦C座1A层1A621室
HMC516LC5
ADI(亚德诺)
24+
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