HMC489LP5
/
489LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
5
放大器 - SMT
典型应用
该HMC489LP5 / HMC489LP5E是适合用作
功率放大器为:
点至点收音机
点到多点收音机
测试设备和传感器
军事最终用途
特点
饱和功率: +32 dBm的@ 16 % PAE
+34 dBm的输出IP3
13分贝增益
7.0 V @ 1300毫安供应
50欧姆匹配输入/输出
25 mm
2
无铅SMT封装
工作原理图
概述
该HMC489LP5 & HMC489LP5E是高动态
范围的GaAs PHEMT MMIC功率放大器放置在
无引脚5 ×5mm的表面贴装封装。操作
从12到16千兆赫,所述放大器提供的增益为13分贝,
饱和功率和16 %的PAE +32 dBm的从7.0
V电源电压。输出IP3为+34 dBm的典型。该
RF I / O是DC阻塞,匹配50欧姆
为便于使用。该HMC489LP5 & HMC489LP5E
省去了引线键合,从而允许使用
表面贴装的制造技术。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, VDD1 , 2 , 3 , 4 , 5 = + 7V ,国际长途= 1300毫安*
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
噪声系数
电源电流( IDD) ( VDD = + 7V , VGG = -0.3V典型值)。
24
10
分钟。
典型值。
12 - 14
13
0.05
12
8
29
30
32
7
1300
28
0.07
10
马克斯。
分钟。
典型值。
14 - 16
13
0.05
8
15
31
32
34
9
1300
0.07
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
*调整VGG -2之间为0V ,实现电流IDD = 1300毫安典型。
5 - 492
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC489LP5
/
489LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
宽带增益和回波损耗
15
10
5
响应( dB)的
0
-5
-10
-15
-20
-25
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
频率(GHz )
S21
S11
S22
增益与温度
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
11
12
13
14
5
放大器 - SMT
5 - 493
增益(dB )
+25 C
+85 C
-40 C
15
16
17
频率(GHz )
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗(分贝)
回波损耗(分贝)
-5
-10
+25 C
+85 C
-40 C
-10
-15
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-20
-20
-25
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
-25
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
P1dB为与温度的关系
34
32
30
28
P1dB的( DBM)
24
22
20
18
16
14
12
10
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
PSAT与温度的关系
34
32
30
28
PSAT ( DBM)
26
24
22
20
18
16
14
12
10
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
26
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC489LP5
/
489LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
5
放大器 - SMT
输出IP3与温度的关系
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
11
12
13
14
功率压缩@ 15 GHz的
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-8
-4
0
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
噘
收益
PAE
OIP3 ( dBm的)
+25 C
+85 C
-40 C
15
16
17
4
8
12
16
20
24
频率(GHz )
输入功率(dBm )
增益,功率& OIP3
与电源电压@ 15 GHz的
增益(dB) ,的P1dB ( dBm的) ,PSA ( dBm的) , OIP3 ( dBm的)
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
6.5
增益,功率& OIP3
与电源电流@ 15 GHz的
增益(dB) ,的P1dB ( dBm的) ,PSA ( dBm的) , OIP3 ( dBm的)
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
700
收益
P1dB
PSAT
OIP3
收益
P1dB
PSAT
OIP3
7
VDD供电电压(VDC )
7.5
800
900
1000
1100
1200
1300
IDD电源电流(mA )
噪声系数与温度
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
11
12
13
14
反向隔离与温度的关系
0
-10
-20
隔离度(dB )
-30
-40
-50
-60
-70
-80
+25 C
+85 C
-40 C
噪声系数(dB )
+25 C
+85 C
-40 C
15
16
17
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
频率(GHz )
5 - 494
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC489LP5
/
489LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
典型电源电流与Vdd的
VDD (VDC )
最大PDISS @ + 85℃
功耗*
10.5
10
9.5
9
8.5
14 GHz的
8
7.5
7
-10 -8 -6 -4 -2 0
5
放大器 - SMT
5 - 495
IDD (MA )
1330
1300
1285
+6.5
+7.0
+7.5
功耗( W)
注:放大器将工作在显示全电压范围
以上。 VGG调整,以达到电流IDD = 1300毫安为+ 7.0V 。
绝对最大额定值
漏偏置电压( VDD1 ,2,3 ,4,5 )
栅极偏置电压( VGG )
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24
8伏
-2.0到0伏
+28 dBm的
150 °C
10 W
6.5 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
RF输入功率( RFIN ) ( VDD = 7.0 V直流)
通道温度
输入功率(dBm )
*请参阅“用于表面贴装热管理
组件“应用笔记于此。
连续PDISS (T = 85°C )
(减免154毫瓦/ ° C以上85°C )
热阻
(信道地面桨)
储存温度
工作温度
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积。
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五,包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC489LP5
HMC489LP5E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H489
XXXX
H489
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC489LP5
/
489LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
5
放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
1-3, 5-8, 10-12, 14,
15, 17-20, 22-24, 26,
27, 29-31
4
功能
N / C
描述
无需连接。这些引脚可以连接到
射频/直流接地,而不会影响性能。
该引脚交流耦合和匹配50欧姆
12 - 16 GHz的。
接口示意图
RFIN
9
VGG
门控制放大器。调整实现独立同1300毫安。
请遵守“ MMIC放大器偏置程序”
应用笔记。 100 pF的外部旁路电容器和
2.2
μ
F被需要。
21
RFOUT
该引脚交流耦合和匹配50欧姆
12 - 16 GHz的。
32, 28, 25,
13, 16
VDD1 , VDD2 ,
VDD3 , VDD4 ,
Vdd5
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和2.2电容器
μ
F被需要。
GND
地面:背面包已暴露的金属接地
塞必须连接到地,通过一个短的路径。
该设备在过孔都需要
应用电路
部件
C1
C2
价值
100 pF的
2.2 μF
5 - 496
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC489LP5
/
489LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
典型应用
该HMC489LP5 / HMC489LP5E是适合用作
功率放大器为:
点至点收音机
点到多点收音机
特点
饱和功率: +32 dBm的@ 16 % PAE
输出IP3 : +34 dBm的
增益: 13分贝
+ 7V @ 1300毫安供应
50欧姆匹配输入/输出
25 mm
2
无铅SMT封装
11
线性&功率放大器 - SMT
测试设备和传感器
军事最终用途
工作原理图
概述
该HMC489LP5 & HMC489LP5E是高动态
范围的GaAs PHEMT MMIC功率放大器设
在无引脚5 ×5mm的表面贴装封装。
从12到16 GHz的运行时,放大器提供
13分贝增益,饱和功率+32 dBm的和
16 %的PAE为+ 7V的电源电压。输出IP3为
+34 dBm的典型。该RF I / O是DC封锁
并匹配到50欧姆的易用性。该
HMC489LP5 (E) - 不再需要用于引线键合,
允许使用的表面贴装生产
技术。
电气电源规格,
T
A
= + 25 ° C, VDD1 , 2 , 3 , 4 , 5 = + 7V ,国际长途= 1300毫安*
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
噪声系数
电源电流( IDD) ( VDD = + 7V , VGG = -0.3V典型值)。
24
10
分钟。
典型值。
12 - 14
13
0.05
12
8
29
30
32
7
1300
28
0.07
10
马克斯。
分钟。
典型值。
14 - 16
13
0.05
8
15
31
32
34
9
1300
0.07
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
*调整VGG -2之间为0V ,实现电流IDD = 1300毫安典型。
11 - 276
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC489LP5
/
489LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
宽带增益和回波损耗
15
增益与温度
20
16
5
响应( dB)的
S21
S11
S22
12
增益(dB )
8
4
+25 C
+85 C
-40 C
-5
-15
0
-25
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
频率(GHz )
-4
11
12
13
14
11
16
17
15
频率(GHz )
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗(分贝)
回波损耗(分贝)
-5
-10
+25 C
+85 C
-40 C
-10
-15
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-20
-20
-25
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
-25
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
P1dB为与温度的关系
34
30
26
22
18
14
10
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
PSAT与温度的关系
34
30
26
22
18
14
10
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
P1dB的( DBM)
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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PSAT ( DBM)
11 - 277
线性&功率放大器 - SMT
HMC489LP5
/
489LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
输出IP3与温度的关系
40
35
30
IP3 ( dBm的)
25
20
15
10
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
功率压缩@ 15 GHz的
36
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
30
24
18
12
6
0
-8
-4
0
4
8
12
16
20
24
输入功率(dBm )
噘
收益
PAE
11
线性&功率放大器 - SMT
增益,功率&输出IP3
与电源电压@ 15 GHz的
增益(dB) ,的P1dB ( dBm的) ,PSA ( dBm的) , IP3 ( dBm的)
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
6.5
增益,功率& OIP3
与电源电流@ 15 GHz的
增益(dB) ,的P1dB ( dBm的) ,PSA ( dBm的) , IP3 ( dBm的)
40
35
30
25
20
15
10
700
收益
P1dB
PSAT
IP3
收益
P1dB
PSAT
IP3
7
VDD供电电压(VDC )
7.5
800
900
1000
1100
1200
1300
IDD电源电流(mA )
噪声系数与温度
15
反向隔离与温度的关系
0
12
噪声系数(dB )
-20
9
隔离度(dB )
+25 C
+85 C
-40 C
-40
6
+25 C
+85 C
-40 C
-60
3
0
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
-80
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
11 - 278
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC489LP5
/
489LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
典型电源电流与Vdd的
VDD (VDC )
最大PDISS @ + 85℃
功耗*
10.5
10
9.5
9
8.5
14 GHz的
8
7.5
7
-10 -8 -6 -4 -2 0
IDD (MA )
1330
1300
1285
+6.5
+7.0
+7.5
功耗( W)
注:功率放大器ER将工作在显示全电压范围
以上。 VGG调整,以达到电流IDD = 1300毫安为+ 7.0V 。
绝对最大额定值
漏偏置电压( VDD1 ,2,3 ,4,5 )
栅极偏置电压( VGG )
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24
11
线性&功率放大器 - SMT
11 - 279
8伏
-2.0到0伏
+28 dBm的
150 °C
10 W
6.5 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
RF输入功率( RFIN ) ( VDD = 7.0 V直流)
通道温度
输入功率(dBm )
*请参阅“用于表面贴装热管理
组件“应用笔记于此。
连续PDISS (T = 85°C )
(减免154毫瓦/ ° C以上85°C )
热阻
(信道地面桨)
储存温度
工作温度
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积。
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五,包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC489LP5
HMC489LP5E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H489
XXXX
H489
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC489LP5
/
489LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
引脚说明
引脚数
1 - 3, 5 - 8, 10 - 12,
14, 15, 17 - 20, 22 -
24, 26, 27, 29 - 31
4
功能
N / C
描述
无需连接。这些引脚可以连接到
射频/直流接地,而不会影响性能。
该引脚交流耦合和
匹配到50欧姆。
接口示意图
RFIN
11
9
VGG
线性&功率放大器 - SMT
门控制放大器。调整实现独立同1300毫安。
请遵守“ MMIC放大器偏置程序”
应用笔记。 100 pF的外部旁路电容器和
2.2
μ
F被需要。
21
RFOUT
该引脚交流耦合和
匹配到50欧姆。
32, 28, 25,
13, 16
VDD1 , VDD2 ,
VDD3 , VDD4 ,
Vdd5
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和2.2电容器
μ
F被需要。
GND
地面:背面包已暴露的金属接地
塞必须连接到地,通过一个短的路径。
该设备在过孔都需要
应用电路
部件
C1
C2
价值
100 pF的
2.2 μF
11 - 280
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC489LP5
/
489LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
5
放大器 - SMT
典型应用
该HMC489LP5 / HMC489LP5E是适合用作
功率放大器为:
点至点收音机
点到多点收音机
测试设备和传感器
军事最终用途
特点
饱和功率: +32 dBm的@ 16 % PAE
+34 dBm的输出IP3
13分贝增益
7.0 V @ 1300毫安供应
50欧姆匹配输入/输出
25 mm
2
无铅SMT封装
工作原理图
概述
该HMC489LP5 & HMC489LP5E是高动态
范围的GaAs PHEMT MMIC功率放大器放置在
无引脚5 ×5mm的表面贴装封装。操作
从12到16千兆赫,所述放大器提供的增益为13分贝,
饱和功率和16 %的PAE +32 dBm的从7.0
V电源电压。输出IP3为+34 dBm的典型。该
RF I / O是DC阻塞,匹配50欧姆
为便于使用。该HMC489LP5 & HMC489LP5E
省去了引线键合,从而允许使用
表面贴装的制造技术。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, VDD1 , 2 , 3 , 4 , 5 = + 7V ,国际长途= 1300毫安*
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
噪声系数
电源电流( IDD) ( VDD = + 7V , VGG = -0.3V典型值)。
24
10
分钟。
典型值。
12 - 14
13
0.05
12
8
29
30
32
7
1300
28
0.07
10
马克斯。
分钟。
典型值。
14 - 16
13
0.05
8
15
31
32
34
9
1300
0.07
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
*调整VGG -2之间为0V ,实现电流IDD = 1300毫安典型。
5 - 492
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HMC489LP5
/
489LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
宽带增益和回波损耗
15
10
5
响应( dB)的
0
-5
-10
-15
-20
-25
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
频率(GHz )
S21
S11
S22
增益与温度
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
11
12
13
14
5
放大器 - SMT
5 - 493
增益(dB )
+25 C
+85 C
-40 C
15
16
17
频率(GHz )
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗(分贝)
回波损耗(分贝)
-5
-10
+25 C
+85 C
-40 C
-10
-15
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-20
-20
-25
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
-25
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
P1dB为与温度的关系
34
32
30
28
P1dB的( DBM)
24
22
20
18
16
14
12
10
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
PSAT与温度的关系
34
32
30
28
PSAT ( DBM)
26
24
22
20
18
16
14
12
10
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
26
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HMC489LP5
/
489LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
5
放大器 - SMT
输出IP3与温度的关系
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
11
12
13
14
功率压缩@ 15 GHz的
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-8
-4
0
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
噘
收益
PAE
OIP3 ( dBm的)
+25 C
+85 C
-40 C
15
16
17
4
8
12
16
20
24
频率(GHz )
输入功率(dBm )
增益,功率& OIP3
与电源电压@ 15 GHz的
增益(dB) ,的P1dB ( dBm的) ,PSA ( dBm的) , OIP3 ( dBm的)
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
6.5
增益,功率& OIP3
与电源电流@ 15 GHz的
增益(dB) ,的P1dB ( dBm的) ,PSA ( dBm的) , OIP3 ( dBm的)
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
700
收益
P1dB
PSAT
OIP3
收益
P1dB
PSAT
OIP3
7
VDD供电电压(VDC )
7.5
800
900
1000
1100
1200
1300
IDD电源电流(mA )
噪声系数与温度
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
11
12
13
14
反向隔离与温度的关系
0
-10
-20
隔离度(dB )
-30
-40
-50
-60
-70
-80
+25 C
+85 C
-40 C
噪声系数(dB )
+25 C
+85 C
-40 C
15
16
17
11
12
13
14
15
16
17
频率(GHz )
频率(GHz )
5 - 494
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表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
典型电源电流与Vdd的
VDD (VDC )
最大PDISS @ + 85℃
功耗*
10.5
10
9.5
9
8.5
14 GHz的
8
7.5
7
-10 -8 -6 -4 -2 0
5
放大器 - SMT
5 - 495
IDD (MA )
1330
1300
1285
+6.5
+7.0
+7.5
功耗( W)
注:放大器将工作在显示全电压范围
以上。 VGG调整,以达到电流IDD = 1300毫安为+ 7.0V 。
绝对最大额定值
漏偏置电压( VDD1 ,2,3 ,4,5 )
栅极偏置电压( VGG )
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24
8伏
-2.0到0伏
+28 dBm的
150 °C
10 W
6.5 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
RF输入功率( RFIN ) ( VDD = 7.0 V直流)
通道温度
输入功率(dBm )
*请参阅“用于表面贴装热管理
组件“应用笔记于此。
连续PDISS (T = 85°C )
(减免154毫瓦/ ° C以上85°C )
热阻
(信道地面桨)
储存温度
工作温度
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积。
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五,包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC489LP5
HMC489LP5E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H489
XXXX
H489
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC489LP5
/
489LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 1瓦
功放, 12 - 16 GHz的
5
放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
1-3, 5-8, 10-12, 14,
15, 17-20, 22-24, 26,
27, 29-31
4
功能
N / C
描述
无需连接。这些引脚可以连接到
射频/直流接地,而不会影响性能。
该引脚交流耦合和匹配50欧姆
12 - 16 GHz的。
接口示意图
RFIN
9
VGG
门控制放大器。调整实现独立同1300毫安。
请遵守“ MMIC放大器偏置程序”
应用笔记。 100 pF的外部旁路电容器和
2.2
μ
F被需要。
21
RFOUT
该引脚交流耦合和匹配50欧姆
12 - 16 GHz的。
32, 28, 25,
13, 16
VDD1 , VDD2 ,
VDD3 , VDD4 ,
Vdd5
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和2.2电容器
μ
F被需要。
GND
地面:背面包已暴露的金属接地
塞必须连接到地,通过一个短的路径。
该设备在过孔都需要
应用电路
部件
C1
C2
价值
100 pF的
2.2 μF
5 - 496
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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