HMC482ST89
/
482ST89E
v02.0106
的SiGe HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 5.0 GHz的
特点
的P1dB输出功率： +22 dBm的
增益： 20分贝
输出IP3 ： +36 dBm的
可级联50欧姆的I / O
单电源： + 6V至+ 12V
行业标准SOT89封装
包括在HMC- DK001设计者工具包
5
放大器 - SMT
设计者工具包
可用的
典型应用
该HMC482ST89 / HMC482ST89E是一种理想的RF / IF
增益模块& LO或PA驱动程序：
蜂窝/ PCS / 3G
固定无线， WLAN &的WiMAX
CATV ，电缆调制解调器& DBS
微波无线电&测试设备
工作原理图
概述
该HMC482ST89 & HMC482ST89E是SiGe半导体
异质结双极晶体管（ HBT ）增益模块
SMT MMIC放大器覆盖DC至5GHz 。包装
在一个行业标准SOT89 ，该放大器可
用作级联50欧姆RF / IF增益级
以及一个LO或PA驱动器，具有高达+24 dBm的输出
把权力。达林顿对反馈结果
正常工艺变化的敏感性降低和
同时要求在整个温度范围出色的增益稳定性
外部偏置元件的最小数量。
电气连接特定的阳离子，
VS = 8.0 V， Rbias两端= 27欧姆，T
A
= +25° C
参数
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
2.0 - 3.0 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 5.0 GHz的
DC - 5.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 5.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 3.0 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 5.0 GHz的
DC - 5.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
2.0 - 3.0 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 5.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
2.0 - 3.0 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 5.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
2.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 5.0 GHz的
分钟。
17
15
12.5
10
8
典型值。
19
17
14.5
12
10
0.008
15
18
20
14
12
8
16
22.5
20
17.5
15.5
13.5
36
35
32
30
28
4
5
5.5
110
马克斯。
单位
dB
dB
dB
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
mA
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
0.016
输出回波损耗
反向隔离
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
19.5
17
14.5
12.5
10.5
输出三阶截取点（ IP3 ）
（噘=每基调为0 dBm ， 1 MHz的间距）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
注：随着宽带偏置T形设备上输出所采取的数据。
5 - 474
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC482ST89
/
482ST89E
v02.0106
的SiGe HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 5.0 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
10
增益与温度
24
22
20
18
16
增益（dB ）
5
放大器 - SMT
5 - 475
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率（GHz ）
S21
S11
S22
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
输入回波损耗随温度的变化
0
输入回波损耗（dB ）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
输出回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗（dB ）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
-5
噪声系数与温度
10
9
8
噪声系数（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
0
1
2
3
+25C
+85C
-40C
7
6
5
4
3
2
1
0
+25C
+85C
-40C
4
5
6
0
1
2
3
4
5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC482ST89
/
482ST89E
v02.0106
的SiGe HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 5.0 GHz的
5
放大器 - SMT
P1dB为与温度的关系
30
28
26
24
P1dB的（ DBM）
22
20
18
16
14
12
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
PSAT与温度的关系
30
28
26
24
PSAT （ DBM）
22
20
18
16
14
12
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
输出IP3与温度的关系
40
38
36
OIP3 （ dBm的）
34
32
30
28
26
24
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
增益，功率& OIP3与电源电压
恒定电流Icc = 110毫安， 850兆赫
增益（dB） ，的P1dB （ dBm的） ，PSA （ dBm的） ， OIP3 （ dBm的）
40
36
32
28
24
20
16
12
8
4
0
6
7
8
9
VS （ VDC ）
10
11
12
增益（ dB）的
P1dB(dBm)
PSAT （ DBM）
OIP3(dBm)
VCC与电流Icc在温度为
固定VS = 8V ，R
BIAS
= 27欧姆
128
126
124
122
ICC （MA ）
120
118
116
114
112
110
108
4.6
4.7
4.8
4.9
VCC（ VDC）的
5
5.1
-40C
+25C
+85C
5.2
5 - 476
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC482ST89
/
482ST89E
v02.0106
的SiGe HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 5.0 GHz的
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VCC = + 5VDC ）
结温
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免14.5毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（交界处领导）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+6.0伏
+14 dBm的
150 °C
0.94 W
69 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
5
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到
PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC482ST89
HMC482ST89E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H482
XXXX
H482
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
5 - 477
放大器 - SMT
HMC482ST89
/
482ST89E
v02.0106
的SiGe HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 5.0 GHz的
5
放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
功能
描述
接口示意图
1
RFIN
该引脚的直流耦合。
一芯片外的隔直流电容。
3
RFOUT
RF输出和直流偏压（ Vcc的），用于输出级。
2, 4
GND
这些管脚和封装的底部必须被连接到
RF / DC接地。
应用电路
推荐偏置电阻值
ICC = 110 mA时， Rbias两端= （ VS - VCC） /国际商会
电源电压（ Vs）的
R
BIAS
V
ALUE
R
BIAS
P
OWER
R
阿婷
6V
9.1 Ω
1/4 W
8V
27 Ω
1/2 W
10V
47 Ω
1W
12V
62 Ω
1.5 W
注意：
1.外部隔直电容，需要在
RFIN和RFOUT 。
2. R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
对关键应用的推荐频率元件值
频率（MHz）
部件
50
L1
C1, C2
270 nH的
0.01 μF
900
56 nH的
100 pF的
1900
18 nH的
100 pF的
2200
18 nH的
100 pF的
2400
15 nH的
100 pF的
3500
8.2 nH的
100 pF的
5000
6.8 nH的
100 pF的
5 - 478
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC482ST89
/
482ST89E
v04.0710
的SiGe HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 5 GHz的
特点
的P1dB输出功率： +22 dBm的
增益： 20分贝
输出IP3 ： +36 dBm的
可级联50欧姆的I / O
单电源： + 6V至+ 12V
行业标准SOT89封装
包括在HMC- DK001设计者工具包
典型应用
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
该HMC482ST89 / HMC482ST89E是一种理想的RF / IF
增益模块& LO或PA驱动程序：
蜂窝/ PCS / 3G
固定无线， WLAN &的WiMAX
CATV ，电缆调制解调器& DBS
微波无线电&测试设备
工作原理图
概述
该HMC482ST89 & HMC482ST89E是SiGe半导体
异质结双极晶体管（ HBT ）增益模块
SMT MMIC放大器覆盖DC至5GHz 。包装
在一个行业标准SOT89 ，该放大器可
用作级联50欧姆RF / IF增益级
以及一个LO或PA驱动器，具有高达+24 dBm的输出
把权力。达林顿对反馈结果
正常工艺变化的敏感性降低和
同时要求在整个温度范围出色的增益稳定性
外部偏置元件的最小数量。
电气电源规格，
VS = 8.0 V， Rbias两端= 27欧姆，T
A
= +25° C
参数
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
2.0 - 3.0 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 5.0 GHz的
DC - 5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 5.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 3.0 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 5.0 GHz的
DC - 5 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
2.0 - 3.0 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 5.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
2.0 - 3.0 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 5.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
2.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 5.0 GHz的
分钟。
17
15
12.5
10
8
典型值。
19
17
14.5
12
10
0.008
15
18
20
14
12
8
16
22.5
20
17.5
15.5
13.5
36
35
32
30
28
4
5
5.5
110
马克斯。
单位
dB
dB
dB
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
mA
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
0.016
输出回波损耗
反向隔离
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
19.5
17
14.5
12.5
10.5
输出三阶截取点（ IP3 ）
（噘=每基调为0 dBm ， 1 MHz的间距）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
注：随着宽带偏置T形设备上输出所采取的数据。
8 - 140
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC482ST89
/
482ST89E
v04.0710
的SiGe HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 5 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
10
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率（GHz ）
S21
S11
S22
增益与温度
24
20
16
12
8
4
0
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
8 - 141
输入回波损耗随温度的变化
0
输入回波损耗（dB ）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
输出回波损耗随温度的变化
0
回波损耗（分贝）
+25C
+85C
-40C
增益（dB ）
5
-10
-20
-30
+25C
+85C
-40C
-40
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
噪声系数与温度
10
+25C
+85C
-40C
8
噪声系数（dB ）
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC482ST89
/
482ST89E
v04.0710
的SiGe HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 5 GHz的
P1dB为与温度的关系
PSAT与温度的关系
30
+25C
+85C
-40C
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
P1dB的（ DBM）
30
26
26
PSAT （ DBM）
22
22
18
18
+25C
+85C
-40C
14
14
10
0
1
2
3
4
5
频率（GHz ）
10
0
1
2
3
4
5
频率（GHz ）
输出IP3与温度的关系
40
38
36
IP3 （ dBm的）
34
32
30
28
26
24
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
增益，功率& OIP3与电源电压
恒定电流Icc = 110毫安， 850兆赫
增益（dB） ，的P1dB （ dBm的） ，PSA （ dBm的） ， IP3 （ dBm的）
40
32
24
16
收益
P1dB
PSAT
IP3
8
0
6
7
8
9
VS （ VDC ）
10
11
12
VCC与电流Icc在温度为
固定VS = 8V ，R
BIAS
= 27欧姆
128
126
124
122
ICC （MA ）
120
118
116
114
112
110
108
4.6
4.7
4.8
4.9
VCC（ VDC）的
5
5.1
-40C
+25C
+85C
5.2
8 - 142
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC482ST89
/
482ST89E
v04.0710
的SiGe HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 5 GHz的
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VCC = + 5VDC ）
结温
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免14.5毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（交界处领导）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+6.0伏
+14 dBm的
150 °C
0.94 W
69 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
静电敏感器件
观察处理注意事项
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
8 - 143
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：
模塑料MP- 180S或同等学历。
2.导线材料：铜瓦/银点镀。
3.镀铅： 100 ％雾锡。
4.尺寸单位：英寸[毫米]为
5.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
6.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
7.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC482ST89
HMC482ST89E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H482
XXXX
H482
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC482ST89
/
482ST89E
v04.0710
的SiGe HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 5 GHz的
引脚说明
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
引脚数
功能
描述
接口示意图
1
RFIN
该引脚的直流耦合。
一芯片外的隔直流电容。
3
RFOUT
RF输出和直流偏压（ Vcc的），用于输出级。
2, 4
GND
这些管脚和封装的底部必须被连接到射频/
直流接地。
应用电路
推荐偏置电阻值
ICC = 110 mA时， Rbias两端= （ VS - VCC） /国际商会
电源电压（ Vs）的
R
BIAS
V
ALUE
R
BIAS
P
OWER
R
阿婷
6V
9.1 Ω
1/4 W
8V
27 Ω
1/2 W
10V
47 Ω
1W
12V
62 Ω
1.5 W
注意：
1.外部隔直电容，需要在
RFIN和RFOUT 。
2. R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
对关键应用的推荐频率元件值
频率（MHz）
部件
50
L1
C1, C2
270 nH的
0.01 μF
900
56 nH的
100 pF的
1900
18 nH的
100 pF的
2200
18 nH的
100 pF的
2400
15 nH的
100 pF的
3500
8.2 nH的
100 pF的
5000
6.8 nH的
100 pF的
8 - 144
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
QQ：2881677436 复制
