HMC465LP5
/
465LP5E
v06.1210
的GaAs PHEMT MMIC调制器驱动器
放大器， DC - 20 GHz的
特点
增益： 15分贝
输出电压10Vpk - PK
+24 dBm的饱和输出功率
电源电压： + 8V @ 160毫安
50欧姆匹配输入/输出
32领先5 x 5毫米QFN封装： 25毫米
2
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
典型应用
该Hmc465lp5 （五）宽带驱动程序适用于：
OC192 LN / MZ调制器驱动器
微波无线电& VSAT
测试仪表
军事EW ， ECM &
3
i
工作原理图
概述
该Hmc465lp5 （ E）是GaAs PHEMT MMIC显示
布式驱动器放大器封装在无引脚5×5
毫米表面贴装封装，工作之间
DC和20 GHz 。该放大器提供的增益为15 dB时，
3分贝噪声系数和25 dBm的饱和输出的
功率，同时从+ 8V供电要求只有160毫安。
增益平坦度非常出色，在±0.5分贝和± 4
从线性相位偏差度从DC - 10 GHz的
使得Hmc465lp5 （五）适用于OC192纤维
光学LN / MZ调制器驱动放大器以及
测试设备的应用程序。该Hmc465lp5 （五）
放大器的I / O内部匹配到50欧姆。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 8V ， Vgg2 = 1.5V ，国际长途= 160毫安*
参数
频带
收益
增益平坦度
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
饱和输出电压
群延迟变化
电源电流
（ IDD） （ VDD = 8V ， VGG1 = -0.6V典型值）。
21
13
分钟。
典型值。
DC - 6
16
±0.75
0.015
3.0
20
22
24
25.5
32
10
±15
160
20
0.02
12
马克斯。
分钟。
典型值。
6.0 - 12.0
15
±0.25
0.020
3.0
15
17
23
25
28
10
±15
160
160
16
0.025
9.5
马克斯。
分钟。
典型值。
12.0 - 20.0
12.5
±1.5
0.035
4.0
8
12
20
23
24
8
0.045
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
VPK - PK
皮秒
mA
*调整VGG1 -2之间为0V ，实现独立同= 160 mA典型。
8-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC465LP5 / 465LP5E
v06.1210
的GaAs PHEMT MMIC调制器驱动器
放大器， DC - 20 GHz的
增益与温度
20
获得&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
16
S21
S11
S22
8
+25C
+85C
-40C
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
低频增益&回波损耗
25
15
响应（ dB）的
5
-5
-15
-25
-35
-45
0.00001
噪声系数与温度
10
9
8
噪声系数（dB ）
+25C
+85C
-40C
S21
S11
S22
7
6
5
4
3
2
1
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
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8-2
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
增益（dB ）
HMC465LP5 / 465LP5E
v03.1106
v06.1210
的GaAs PHEMT MMIC调制器驱动器
放大器， DC - 20 GHz的
PSAT与温度的关系
30
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
P1dB为与温度的关系
30
26
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
26
22
22
+25C
+85C
-40C
18
+25C
+85C
-40C
18
14
14
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
输出IP3与温度的关系
40
38
36
34
IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
22
20
18
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
增益，功率&输出IP3与供应
电压@ 10 GHz的，国际长途= 160毫安
增益（dB） ，的P1dB （ dBm的） ，PSA （ dBm的） ， IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
7.5
8
电源电压（ V）
8.5
收益
P1dB
PSAT
IP3
群时延
-200
从线性相位偏差
偏离线性相位（度）
10
群时延（皮秒）
6
-250
2
-300
-2
-350
-6
-400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
-10
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
8-3
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HMC465LP5 / 465LP5E
v06.1210
的GaAs PHEMT MMIC调制器驱动器
放大器， DC - 20 GHz的
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+7.5
+8.0
+8.5
IDD （MA ）
161
160
159
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
栅极偏置电压（ VGG1 ）
栅极偏置电流（ IgG1的）
栅极偏置电压（ Vgg2 ）
栅极偏置电流（ IgG2的）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = 8 VDC）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免24毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
9 VDC
-2至0伏
+3.2mA
（ VDD -8 ）直流电压为3伏直流
+3.2mA
+23 dBm的
150 °c
1.56 W
41.5 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
8-4
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积。
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
Hmc465lp5
Hmc465lp5e
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
msl1
msl1
[1]
包装标志
[3]
H465
XXXX
H465
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
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电话： 978-250-3343
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HMC465LP5 / 465LP5E
v06.1210
的GaAs PHEMT MMIC调制器驱动器
放大器， DC - 20 GHz的
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 3, 4, 6 - 12, 14,
17, 18, 19, 20,
22 - 28, 31, 32
功能
N / C
描述
该引脚没有内部连接;然而，所有的数据
本文所示测量这些引脚连接
射频/直流接地外部。
门控2的放大器。 + 1.5V应
被应用到vgg2标称操作。
接口示意图
2
vgg2
5
RFIN
此片是直流耦合
并匹配到50欧姆。
13
vgg1
门控1的放大器。
15
AcG4
低频终止。每个连接旁路电容
应用电路于此。
16
AcG3
21
RFOUT &
VDD
RF输出，用于扩增fi er 。连接DC
偏压（ Vdd的）网络提供的漏极电流（IDD） 。
见应用电路于此。
低频终止。每个连接旁路电容
应用电路于此。
29
30
地面桨
AcG2
AcG1
GND
接地焊盘必须被连接到射频/ DC接地。
应用电路
注1 ：漏极偏压（ V DD） ，必须通过一个宽带偏置T形或外部偏置网络被应用。
8-5
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