HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
典型应用
微波无线电& VSAT
军事&空间
测试仪表
光纤调制器驱动偏置
CATV激光驱动器偏置
蜂窝基站
无线基础设备
特点
门自动电压调整（无需校准
必需）
电源电压： 4V至12V
数字电压： 3.3V至5V
同时控制增强型和耗尽型
器件
可调漏极电流高达200mA
吸入/源栅电流能力
可选的内部负电压产生的
可以禁止使用外部负电压轨
快速启用/禁用
触发-OUT输出为菊花链上电和
断电排序
13
偏置控制器 - SMT
工作原理图
概述
HMC981是一个有源偏置控制器可以自动
调整外部放大器的栅极电压
实现恒定的偏置电流。它可用于
偏向任何增强和耗尽型放大器
在经营A级与漏极电压政权
4V至12V和漏极电流高达200mA ，提供
完整的偏置方案。
HMC981实现了出色的电源偏置稳定性，
温度和过程变化，并且消除
所需的校准程序通常使用
为了防止由于这样的RF性能下降
的变化。
这里所示的所有数据被取适当的探针。
13 - 1
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 8V ， VDIG = 3.3V ，消耗硕士
除非另有说明
参数
电源电压
符号
VDD
VDD = 4V
VDD静态电流
国际直拨电话
VDD = 8V
VDIG静态电流
负电压输出
振荡器频率
参考电压
使能输入阈值
切换输入阈值
短路禁止输入阈值
VDRAIN特点
漏电流调节范围
漏极电流的变化在数字电压
漏电流变化过温
排水范围
VDRAIN更改过温
VNEG特点
负电压输出
VNEG灌电流
VGATE特点
栅电流供应
VGATE低水平
VGATE高层
VG2特点
VG2电流供应
VG2调整范围
VDIG特点
调整范围
VDIG静态电流
软件特性
内部开关电阻
RDS -ON
SW = GND
SW = VDIG
10
5
欧姆
欧姆
VDIG
IDIG
VDD = 8 V ，
VDIG = EN = 3.3 V
3.3
3
5
V
mA
IG2
VG2
VG2<1.5V
VG2>1.5V
-0.1
-1
1
0.1
1
VDD-1.3
mA
mA
V
IG
VG_Min
VG_MaX
-0.8
VNEG
VNEG+4.5
0.8
mA
V
V
VNEG
INEG
VDD = 4V
VDD = 8V
0
0
-2.5
8
15
V
mA
mA
IDRAIN
SW = GND
SW = VDIG
VDRAIN设置为8V ，
IDRAIN设置为160毫安
4
VDRAIN设置为8V ，
IDRAIN设置为160毫安
1.5
20
80
0.4
0.02
12
80
200
mA
mA
%/V
%/C
V
%/C
IDIG
VNEG
FOSC
VREF
enthrs
sWthrs
DSCTHRS
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
1.4
1.4
1
1.4
1
EN = VDIG
EN = GND
EN = VDIG
EN = GND
条件
分钟。
4
7
3
7.5
4
3
5
-2.5
300
1.42
1
典型值。
马克斯。
12
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
千赫
V
V
V
V
V
V
V
VDIG = 3.3 V
VDIG = 5 V
13
偏置控制器 - SMT
13 - 2
ΔiDrainV
VDRAIN
ΔVDrain
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2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
负载调节@ VDD = 6V ， VDIG = 3.3V ，
SW = GND
6.5
负载调节@ VDD = 8V ，
SW=VDIG=3.3V
8.5
6
8
+25C
+85C
-55C
VDRAIN （ V）
+25C
+85C
-55C
VDRAIN （ V）
5.5
7.5
5
7
4.5
20
30
40
50
IDRAIN （毫安）
60
70
80
6.5
80
100
120
140
IDRAIN （毫安）
160
180
200
13
偏置控制器 - SMT
55
54
IDRAIN与VDIG
[1][2]
VNEG线路调整与电源电压
-2.45
空载条件
+25C
+85C
-55C
-2.47
IDRAIN （毫安）
VNEG （ V）
+25C
+85C
-55C
53
-2.49
52
-2.51
51
-2.53
50
3.3
3.7
4.1
VDIG （ V）
4.5
4.9
-2.55
4
6
8
电源电压（ V）
10
12
VNEG负载调节@ VDD = 4V
-2.3
VNEG负载调节@ VDD = 12V
-2.3
-2.4
-2.4
VNEG （ V）
VNEG （ V）
-2.5
-2.5
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.7
0
2
4
6
INEG （毫安）
8
10
-2.7
0
4
8
INEG （毫安）
12
16
[1] IDRAIN设为53毫安
[2] HMC465LP5用作外部放大器
13 - 3
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
ENABLE波形
8
6
4
禁用波形
8
6
4
电压（V）的
电压（V）的
2
0
-2
-4
-6
-8
0
2
4
6
时间（ms）
8
10
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
2
0
-2
-4
-6
-8
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
14
16
时间（ms）
18
20
13
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
电压（V）的
电压（V）的
4
2
0
-2
-4
0
10
4
2
0
-2
-4
20
30
时间（ms）
40
50
0
20
40
60
时间（ms）
80
100
VNEG负载瞬态VDD = 4V
-0.8
20
VNEG负载瞬态VDD = 6V
-2.4
-2.425
15
10
5
-1.3
10
-2.45
VNEG （ V）
VNEG （ V）
-1.8
0
-2.475
-2.5
-2.525
0
-5
-2.3
-10
-10
-15
0
0.5
1
时间（ms）
1.5
2
-2.8
0
0.5
1
时间（ms）
1.5
2
-20
-2.55
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13 - 4
偏置控制器 - SMT
上电波形
关断波形
INEG （毫安）
INEG （毫安）
HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
VGATE负载调节@ VDD = 6V
1
0.5
0
VG2负载调节@ VDD = 6V
5
4.5
4
3.5
VGATE （ V）
VG2 （ V）
+25C
+85C
-55C
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-1.25
-1
-0.75 -0.5 -0.25
0
0.25
0.5
0.75
3
2.5
2
1.5
1
0.5
VG2=0.9V
VG2=1.78V
VG2=2.74V
VG2=3.71V
1
1.25
0
-2
-1.5
-1
-0.5
0
IG2 （毫安）
0.5
1
1.5
2
13
偏置控制器 - SMT
IG （毫安）
13 - 5
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HMC463LH250
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
AGC放大器， 2 - 20 GHz的
5
放大器 - SMT
典型应用
该HMC463LH250是理想的：
电信基础设施
微波无线电& VSAT
军事EW ， ECM &
3
I
测试仪表
光纤
特点
50欧姆匹配输入/输出
密封SMT封装
增益： 14分贝
噪声系数：2.5 dB的中频段
的P1dB输出功率： +18 dBm的@中频
电源电压： + 5.0V @ 60毫安
筛选符合MIL -PRF- 38535 （ B级或S ）可用
工作原理图
概述
该HMC463LH250是GaAs MMIC pHEMT制低
AGC噪声分布式放大器器封装在一个
密封表面贴装封装，工作
2至20千兆赫。该放大器提供13
增益分贝，3.0分贝的噪音指数和产出的18 dBm的
功率为1 dB增益压缩，而只需要
从+ 5V电源60 mA的电流。一个可选的栅极偏置
（ Vgg2 ）被提供，以允许可调节的增益控制
8 dB的典型（ AGC） 。增益平坦度是优秀的
±0.5 dB处2 - 14 GHz的制作HMC463LH250
理想的EW ， ECM雷达，测试设备和高
可靠性的应用。该HMC463LH250 LNA I / O的
内部匹配到50欧姆，并在内部
DC阻塞。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V ， Vgg2 =开放，国际长途= 60毫安*
参数
频带
收益
增益平坦度
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流
（ IDD） （ VDD = 5V ， VGG1 = -0.9V典型值）。
16
11.5
分钟。
典型值。
2.0 - 6.0
14.5
±0.25
0.010
3.5
15
11
19
21.5
29
60
13
5.5
9
马克斯。
分钟。
典型值。
6.0 - 16.0
12
±0.5
0.010
2.5
15
15
18
20.5
27
60
10
4.5
8
马克斯。
分钟。
典型值。
16.0 - 20.0
11
±0.9
0.010
4
9
7
13
19
24
60
5.5
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
*调整VGG1 -2之间-0V实现独立同= 60 mA典型。
5 - 384
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC463LH250
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
AGC放大器， 2 - 20 GHz的
获得&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
S21
S11
S22
增益与温度
20
18
16
14
增益（dB ）
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
5
放大器 - SMT
5 - 385
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
输出回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗（dB ）
+25C
+85C
-40C
输入回波损耗（dB ）
+25C
+85C
-40C
-5
-10
-15
-20
-25
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
-5
反向隔离度（dB ）
-10
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
噪声系数与温度
10
9
8
噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
-15
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC463LH250
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
AGC放大器， 2 - 20 GHz的
5
放大器 - SMT
P1dB为与温度的关系
26
24
22
20
P1dB的（ DBM）
18
16
14
12
10
8
6
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
PSAT与温度的关系
26
24
22
20
PSAT （ DBM）
18
16
14
12
10
8
6
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
输出IP3与温度的关系
32
30
28
OIP3 （ dBm的）
26
24
22
20
18
16
14
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 10 GHz的固定VGG1
24
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4.5
5
VDD （VDC ）
收益
P1dB
PSAT
4.5
4
3.5
噪声系数（dB ）
3
2.5
2
1.5
1
NF
0.5
0
5.5
增益， P1dB为&的输出IP3
与控制电压@ 10 GHz的
32
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， OIP3 （ dBm的）
28
噪声系数&电源电流
与控制电压@ 10 GHz的
80
70
6
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
1
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
24
20
16
12
8
4
0
-4
-1.2 -1 -0.8 -0.7 -0.5 -0.3 -0.1 0.1 0.3 0.5 0.6 0.8
Vgg2 （VDC ）
20
1
-1.4 -1.2 -1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2
收益
P1dB
OIP3
60
IDD （MA ）
50
40
30
Vgg2 （VDC ）
5 - 386
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HMC463LH250
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
AGC放大器， 2 - 20 GHz的
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
栅极偏置电压（ VGG1 ）
栅极偏置电压（ Vgg2 ） （ AGC ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = + 5.0VDC ）
通道温度
储存温度
9.0伏
-2.0到0伏
（VDD -9.0 ）
Vdc至+ 2.0VDC
+23 dBm的
175 °C
-65至+150°C
-40至+85 C
增益@几个控制电压
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
0
2
4
5
放大器 - SMT
5 - 387
增益（dB ）
Vgg2 = -1.3 V
Vgg2 = -1.2 V
Vgg2 = -1.1 V
Vgg2 = -1.0 V
Vgg2 = -0.9 V
Vgg2 = -0.8 V
Vgg2 = -0.6 V
Vgg2 = -0.4 V
Vgg2 = -0.2 V
Vgg2 = 0 V
工作温度
6
8
10
12
14
16
18
20
22
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+4.5
IDD （MA ）
58
60
62
频率（GHz ）
静电敏感器件
观察处理注意事项
+5.0
+5.5
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：陶瓷& KOVAR
2.铅和地面PADDLE镀层：金40-80微英寸。
3.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
4.引线间距有容乃非累积。
5. PAD BURR长度0.15毫米MAX 。 PAD毛刺高度0.25毫米MAX 。
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC463LH250
v01.0107
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
AGC放大器， 2 - 20 GHz的
5
放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 2, 4, 5,
7, 8, 10
3
功能
GND
描述
接地焊盘必须被连接到射频/ DC接地。
这片被AC耦合，匹配50欧姆
2.0 - 20.0 GHz的
接口示意图
RFIN
6
Vgg1
门控制扩增fi er 。调整实现的Idd = 60 mA的电流。
9
RFOUT
这片被AC耦合，匹配50欧姆
2.0 - 20.0 GHz的
11
VDD
电源电压为扩增fi er 。
外部旁路电容是必需的
12
Vgg2
可选门控制，如果AGC是必需的。
离开Vgg2开短路如果不需要自动增益控制。
5 - 388
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为了在网上www.hittite.com
QQ：2881677436 复制
