HMC462LP5
/
462LP5E
v04.1010
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2 - 20 GHz的
特点
噪声系数：2.5 dB的10 GHz的
增益： 13分贝
的P1dB输出功率： 14.5 dBm的@ 10 GHz的
自偏置： + 5V @ 66毫安
50欧姆匹配输入/输出
25 mm
2
无铅SMT封装
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HMC462LP5 / HMC462LP5E宽带LNA是
适用于：
电信基础设施
微波无线电& VSAT
军事EW ， ECM & C I
3
测试仪表
光纤
工作原理图
概述
该HMC462LP5 & HMC462LP5E是砷化镓MMIC
在无铅的pHEMT低噪声放大器的分布式
5×5毫米表面贴装而其使用的封装
2至20千兆赫。该自偏置放大器
提供了13个分贝的增益， 2.5 3.5分贝的噪音指数和
输出功率为1 dB增益压缩14.5 dBm的
而从单个+ 5V电源要求只有66毫安。
增益平坦度为6极好 - 18 GHz的决策
该HMC462LP5 & HMC462LP5E理想的EW ，
ECM雷达和测试设备的应用程序。该
宽带放大器I / O的内部匹配50
欧姆，并且在内部DC封锁。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V
参数
频带
收益
增益平坦度
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流
（ IDD） （ VDD = 5V ）
12
12
分钟。
典型值。
2-6
14
±0.5
0.015
3.0
15
12
15
17
26
66
85
11
0.025
4.0
11
马克斯。
分钟。
典型值。
6 - 14
13
±0.5
0.02
2.5
13
12
14
16
25
66
85
9
0.03
4.0
10
马克斯。
分钟。
典型值。
14 - 20
12
±0.5
0.03
4.0
11
8
12
15
22
66
85
0.04
6.0
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
7-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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v04.1010
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2 - 20 GHz的
增益与温度
20
获得&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
S21
S11
S22
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-2
16
增益（dB ）
12
8
+25C
+85C
-40C
4
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
输出回波损耗随温度的变化
0
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
-10
-20
-30
-40
-50
-60
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
噪声系数与温度
10
+25C
+85C
-40C
噪声系数（dB ）
+25C
+85C
-40C
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC462LP5
/
462LP5E
v04.1010
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2 - 20 GHz的
PSAT与温度的关系
20
7
放大器 - 低噪声 - SMT
P1dB为与温度的关系
20
17
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
17
14
14
+25C
+85C
-40C
11
+25C
+85C
-40C
11
8
8
5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
输出IP3与温度的关系
30
增益，功率，噪声系数&供应
电流与电源电压@ 10 GHz的
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ，噪声系数（dB ）
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
4.5
5
Vdd的（V）的
收益
P1dB
噪声系数
国际直拨电话
72
70
68
66
64
62
60
58
56
54
52
50
5.5
IDD （MA ）
27
IP3 （ dBm的）
24
21
+25C
+85C
-40C
18
15
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = +5 VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免50毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
9 VDC
+18 dBm的
150 °C
3.25 W
52 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+4.5
+5.0
+5.5
+7.5
+8.0
+8.5
IDD （MA ）
66
67
68
71
72
73
静电敏感器件
观察处理注意事项
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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7-3
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462LP5E
v04.1010
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2 - 20 GHz的
外形绘图
7
放大器 - 低噪声 - SMT
H462
XXXX
H462
XXXX
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积。
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC462LP5
HMC462LP5E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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v04.1010
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2 - 20 GHz的
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放大器 - 低噪声 - SMT
引脚说明
引脚数
1 - 4, 6 - 20,
22 - 29, 31, 32
5
21
功能
N / C
RFIN
RFOUT
描述
无连接。这些引脚可以连接到RF接地。
性能也不会受到影响。
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
接口示意图
30
VDD
电源电压为扩增fi er 。
外部旁路电容是必需的。
地面桨
GND
接地焊盘必须被连接到射频/ DC接地。
7-5
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