微波公司
v00.0703
HMC462
特点
噪声系数： 2分贝@ 10 GHz的
增益： 15分贝
的P1dB输出功率： +15 dBm的@ 10 GHz的
自偏置： + 5.0V @ 63毫安
50欧姆匹配输入/输出
3.12毫米X 1.38毫米X 0.1毫米
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2.0 - 20.0 GHz的
1
放大器 - CHIP
典型应用
该HMC462宽带低噪声放大器非常适用于：
电信基础设施
微波无线电& VSAT
军事&空间
测试仪表
光纤
工作原理图
概述
该HMC462是GaAs PHEMT MMIC低噪声
其中2之间运行分布式放大器器芯片
和20 GHz 。该扩增fi er提供的增益为15 dB时，
2.0 2.5分贝的噪音网络连接gure和15输出dBm的
同时要求功率为1 dB增益压缩
只有63毫安+ 5V单电源。增益平坦度
是优秀的，在±0.5 dB处6 - 18 GHz的制作
HMC462适用于EW ， ECM和雷达应用
系统蒸发散。该HMC462需要单电源供电
的+ 5V @ 63毫安并且是自偏置的版本
HMC463 。宽带放大器器的I / O接口都
应受匹配到50欧姆便于轻松集成
化到多芯片模块（ MCM的） 。所有数据
与连接50欧姆测试网络连接夹具芯片
通过最小0.025毫米（ 1密耳）直径的引线键合
长度0.31毫米（12密耳）。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V
参数
频带
收益
增益平坦度
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流
（ IDD） （ VDD = 5V ）
12.5
13.5
分钟。
典型值。
2.0 - 6.0
15.5
±0.5
0.015
3.0
15
12
15.5
18
26.5
63
11
0.025
4.0
13
马克斯。
分钟。
典型值。
6.0 - 18.0
15
±0.5
0.015
2.5
20
13
14
16
25.5
63
9.5
0.025
3.5
12
马克斯。
分钟。
典型值。
18.0 - 20.0
14
±0.5
0.015
3.0
14
8
12.5
15.5
24
63
0.025
3.7
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
1 - 76
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
v00.0703
微波公司
HMC462
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2.0 - 20.0 GHz的
获得&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
频率（GHz ）
S21
S11
S22
增益与温度
20
18
16
1
放大器 - CHIP
1 - 77
14
增益（dB ）
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
输入回波损耗随温度的变化
0
输入回波损耗（dB ）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
输出回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗（dB ）
+25C
+85C
-40C
-5
-10
-15
-20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
-10
-20
-30
-40
-50
-60
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
噪声系数与温度
10
9
8
噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v00.0703
微波公司
HMC462
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2.0 - 20.0 GHz的
1
放大器 - CHIP
砷化镓MMIC SUB-谐
PSAT与温度的关系
泵浦搅拌机
P1dB为与温度的关系
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
0
2
4
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
0
2
4
6
8
10
17 - 25 GHz的
+25C
+85C
-55C
P1dB的（ DBM）
+25C
+85C
-40C
6
8
10
12
14
16
18
20
22
PSAT （ DBM）
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输出IP3与温度的关系
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
0
2
4
6
增益，功率，噪声系数&供应
电流与电源电压@ 10 GHz的
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ，噪声系数（dB ）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
收益
P1dB
噪声系数
74
72
70
68
66
IDD （MA ）
64
62
60
国际直拨电话
OIP3 （ dBm的）
+25C
+85C
-40C
58
56
54
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
VDD供电电压（VDC ）
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = + 5.0VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免50毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
9.0伏
+23 dBm的
175 °C
4.5 W
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+4.5
+5.0
+5.5
+7.0
IDD （MA ）
62
63
64
65
66
67
20 C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
+7.5
+8.0
1 - 78
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v00.0703
微波公司
HMC462
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2.0 - 20.0 GHz的
外形绘图
1
放大器 - CHIP
注意事项：
1.英寸[毫米]为所有尺寸
2.无连接所需的用于无标签的焊垫
3. DIE厚度为0.004 （ 0.100 ）
4.典型的焊盘为0.004 （ 0.100 ） SQUARE
5.背面金属：金
6.背面金属研磨
7.焊盘金属化：金
PAD说明
盘数
1
功能
RFIN
描述
这片被AC耦合，匹配50欧姆
2.0 - 20.0 GHz的
接口示意图
2
VDD
电源电压为扩增fi er 。
外部旁路电容是必需的
3
RFOUT
这片被AC耦合，匹配50欧姆
2.0 - 20.0 GHz的
DIE
底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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1 - 79
v00.0703
微波公司
HMC462
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2.0 - 20.0 GHz的
1
放大器 - CHIP
装配图
1 - 80
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC462
v04.1210
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2 - 20 GHz的
特点
噪声系数： 2分贝@ 10 GHz的
增益： 15分贝
的P1dB输出功率： +15 dBm的@ 10 GHz的
自偏置： + 5V @ 63毫安
50欧姆匹配输入/输出
芯片尺寸： 3.12 X 1.38 X 0.1毫米
1
放大器 - 低噪声 - CHIP
典型应用
该HMC462宽带低噪声放大器非常适用于：
电信基础设施
微波无线电& VSAT
军事&空间
测试仪表
光纤
工作原理图
概述
该HMC462是GaAs PHEMT MMIC低噪声
其中2之间运行分布式放大器器芯片
和20 GHz 。该放大器提供增益15分贝， 2.0
2.5分贝的噪音指数和+15 dBm的输出功率为
而只需要63毫安1分贝增益压缩
从单一的+ 5V电源。增益平坦度是优秀的
±0.5 dB处6 - 18 GHz的制作hmC462理想
为EW ， ECM和雷达应用。该hmC462
需要+ 5V单电源供电@ 63毫安，是
自偏置版本hmC463的。宽带
放大器的I / O内部匹配到50欧姆
方便轻松集成到多芯片模块
（ MCMS） 。所有数据是在一个50欧姆的测试芯片
夹具通过0.025毫米（ 1密耳）直径线连接
最小长度0.31毫米（ 12密耳）的债券。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V
参数
频带
收益
增益平坦度
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流
（ IDD） （ VDD = 5V ）
12.5
13.5
分钟。
典型值。
2.0 - 6.0
15.5
±0.5
0.015
3.0
15
12
15.5
18
26.5
63
84
11
0.025
4.0
13
马克斯。
分钟。
典型值。
6.0 - 18.0
15
±0.5
0.015
2.5
20
13
14
16
25.5
63
84
9.5
0.025
3.5
12
马克斯。
分钟。
典型值。
18.0 - 20.0
14
±0.5
0.015
3.0
14
8
12.5
15.5
24
63
84
0.025
3.7
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
1-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC462
v04.1210
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2 - 20 GHz的
增益与温度
20
获得&回波损耗
20
1
放大器 - 低噪声 - CHIP
1-2
10
响应（ dB）的
S21
S11
S22
16
增益（dB ）
0
12
+25C
+85C
-40C
-10
8
-20
4
-30
0
4
8
12
16
20
24
频率（GHz ）
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
输出回波损耗随温度的变化
0
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
-10
-20
-30
-40
-50
-60
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
噪声系数与温度
10
噪声系数（dB ）
+25C
+85C
-40C
8
+25C
+85C
-40C
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC462
v04.1210
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2 - 20 GHz的
PSAT与温度的关系
25
+25C
+85C
-55C
1
放大器 - 低噪声 - CHIP
P1dB为与温度的关系
20
17
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
+25C
+85C
-40C
22
14
19
11
16
8
13
5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
输出IP3与温度的关系
30
增益，功率，噪声系数&供应
电流与电源电压@ 10 GHz的
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ，噪声系数（dB ）
20
74
70
27
16
IP3 （ dBm的）
24
+25C
+85C
-40C
12
66
IDD （MA ）
21
8
收益
P1dB
噪声系数
62
18
4
国际直拨电话
58
15
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
VDD供电电压（VDC ）
54
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = +5 VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免50毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
9 VDC
+18 dBm的
175 °C
4.5 w
41 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+4.5
+5.0
+5.5
+7.0
+7.5
+8.0
IDD （MA ）
62
63
64
65
66
67
静电敏感器件
观察处理注意事项
1-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC462
v04.1210
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2 - 20 GHz的
外形绘图
1
放大器 - 低噪声 - CHIP
1-4
芯片封装信息
[1]
标准
GP - 2 （胶装）
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
注意事项：
1.英寸[毫米]为所有尺寸
2.无连接所需的用于无标签的焊垫
3. DIE厚度为0.004 （ 0.100 ）
4.典型的焊盘为0.004 （ 0.100 ） SQUARE
5.背面金属：金
6.背面金属研磨
7.焊盘金属化：金
PAD说明
盘数
1
功能
RFIN
描述
这片被AC耦合，匹配50欧姆。
接口示意图
2
VDD
电源电压为扩增fi er 。
外部旁路电容是必需的
3
RFOUT
这片被AC耦合，匹配50欧姆。
DIE
底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC462
v04.1210
的GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器， 2 - 20 GHz的
1
放大器 - 低噪声 - CHIP
装配图
1-5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
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