HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
典型应用
微波无线电& VSAT
军事&空间
测试仪表
光纤调制器驱动偏置
CATV激光驱动器偏置
蜂窝基站
无线基础设备
特点
门自动电压调整（无需校准
必需）
电源电压： 4V至12V
数字电压： 3.3V至5V
同时控制增强型和耗尽型
器件
可调漏极电流高达200mA
吸入/源栅电流能力
可选的内部负电压产生的
可以禁止使用外部负电压轨
快速启用/禁用
触发-OUT输出为菊花链上电和
断电排序
13
偏置控制器 - SMT
工作原理图
概述
HMC981是一个有源偏置控制器可以自动
调整外部放大器的栅极电压
实现恒定的偏置电流。它可用于
偏向任何增强和耗尽型放大器
在经营A级与漏极电压政权
4V至12V和漏极电流高达200mA ，提供
完整的偏置方案。
HMC981实现了出色的电源偏置稳定性，
温度和过程变化，并且消除
所需的校准程序通常使用
为了防止由于这样的RF性能下降
的变化。
这里所示的所有数据被取适当的探针。
13 - 1
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 8V ， VDIG = 3.3V ，消耗硕士
除非另有说明
参数
电源电压
符号
VDD
VDD = 4V
VDD静态电流
国际直拨电话
VDD = 8V
VDIG静态电流
负电压输出
振荡器频率
参考电压
使能输入阈值
切换输入阈值
短路禁止输入阈值
VDRAIN特点
漏电流调节范围
漏极电流的变化在数字电压
漏电流变化过温
排水范围
VDRAIN更改过温
VNEG特点
负电压输出
VNEG灌电流
VGATE特点
栅电流供应
VGATE低水平
VGATE高层
VG2特点
VG2电流供应
VG2调整范围
VDIG特点
调整范围
VDIG静态电流
软件特性
内部开关电阻
RDS -ON
SW = GND
SW = VDIG
10
5
欧姆
欧姆
VDIG
IDIG
VDD = 8 V ，
VDIG = EN = 3.3 V
3.3
3
5
V
mA
IG2
VG2
VG2<1.5V
VG2>1.5V
-0.1
-1
1
0.1
1
VDD-1.3
mA
mA
V
IG
VG_Min
VG_MaX
-0.8
VNEG
VNEG+4.5
0.8
mA
V
V
VNEG
INEG
VDD = 4V
VDD = 8V
0
0
-2.5
8
15
V
mA
mA
IDRAIN
SW = GND
SW = VDIG
VDRAIN设置为8V ，
IDRAIN设置为160毫安
4
VDRAIN设置为8V ，
IDRAIN设置为160毫安
1.5
20
80
0.4
0.02
12
80
200
mA
mA
%/V
%/C
V
%/C
IDIG
VNEG
FOSC
VREF
enthrs
sWthrs
DSCTHRS
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
1.4
1.4
1
1.4
1
EN = VDIG
EN = GND
EN = VDIG
EN = GND
条件
分钟。
4
7
3
7.5
4
3
5
-2.5
300
1.42
1
典型值。
马克斯。
12
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
千赫
V
V
V
V
V
V
V
VDIG = 3.3 V
VDIG = 5 V
13
偏置控制器 - SMT
13 - 2
ΔiDrainV
VDRAIN
ΔVDrain
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
负载调节@ VDD = 6V ， VDIG = 3.3V ，
SW = GND
6.5
负载调节@ VDD = 8V ，
SW=VDIG=3.3V
8.5
6
8
+25C
+85C
-55C
VDRAIN （ V）
+25C
+85C
-55C
VDRAIN （ V）
5.5
7.5
5
7
4.5
20
30
40
50
IDRAIN （毫安）
60
70
80
6.5
80
100
120
140
IDRAIN （毫安）
160
180
200
13
偏置控制器 - SMT
55
54
IDRAIN与VDIG
[1][2]
VNEG线路调整与电源电压
-2.45
空载条件
+25C
+85C
-55C
-2.47
IDRAIN （毫安）
VNEG （ V）
+25C
+85C
-55C
53
-2.49
52
-2.51
51
-2.53
50
3.3
3.7
4.1
VDIG （ V）
4.5
4.9
-2.55
4
6
8
电源电压（ V）
10
12
VNEG负载调节@ VDD = 4V
-2.3
VNEG负载调节@ VDD = 12V
-2.3
-2.4
-2.4
VNEG （ V）
VNEG （ V）
-2.5
-2.5
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.7
0
2
4
6
INEG （毫安）
8
10
-2.7
0
4
8
INEG （毫安）
12
16
[1] IDRAIN设为53毫安
[2] HMC465LP5用作外部放大器
13 - 3
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
ENABLE波形
8
6
4
禁用波形
8
6
4
电压（V）的
电压（V）的
2
0
-2
-4
-6
-8
0
2
4
6
时间（ms）
8
10
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
2
0
-2
-4
-6
-8
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
14
16
时间（ms）
18
20
13
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
电压（V）的
电压（V）的
4
2
0
-2
-4
0
10
4
2
0
-2
-4
20
30
时间（ms）
40
50
0
20
40
60
时间（ms）
80
100
VNEG负载瞬态VDD = 4V
-0.8
20
VNEG负载瞬态VDD = 6V
-2.4
-2.425
15
10
5
-1.3
10
-2.45
VNEG （ V）
VNEG （ V）
-1.8
0
-2.475
-2.5
-2.525
0
-5
-2.3
-10
-10
-15
0
0.5
1
时间（ms）
1.5
2
-2.8
0
0.5
1
时间（ms）
1.5
2
-20
-2.55
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13 - 4
偏置控制器 - SMT
上电波形
关断波形
INEG （毫安）
INEG （毫安）
HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
VGATE负载调节@ VDD = 6V
1
0.5
0
VG2负载调节@ VDD = 6V
5
4.5
4
3.5
VGATE （ V）
VG2 （ V）
+25C
+85C
-55C
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-1.25
-1
-0.75 -0.5 -0.25
0
0.25
0.5
0.75
3
2.5
2
1.5
1
0.5
VG2=0.9V
VG2=1.78V
VG2=2.74V
VG2=3.71V
1
1.25
0
-2
-1.5
-1
-0.5
0
IG2 （毫安）
0.5
1
1.5
2
13
偏置控制器 - SMT
IG （毫安）
13 - 5
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC460LC5
v03.1010
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， DC - 20 GHz的
特点
噪声系数：2.5 dB的10 GHz的
增益：14 dB的10 GHz的
的P1dB输出功率： 16.5 dBm的@ 10 GHz的
电源电压： + 8V @ 75毫安
50欧姆匹配输入/输出
32引脚陶瓷的5x5mm表面贴装封装： 25毫米
2
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HMC460LC5是理想的：
电信基础设施
微波无线电& VSAT
军事&空间
测试仪表
工作原理图
概述
该HMC460LC5是GaAs MMIC的pHEMT低噪声
采用了无引线5 x 5毫米陶瓷分布式放大器
表面贴装封装，工作在直流到
20千兆赫。该放大器提供14个分贝的增益， 2.5分贝
噪声系数和+16.5 dBm的输出功率，在1分贝
增益压缩，同时从只需要75毫安
VDD = 8V电源。增益平坦度是极好的DC
20 GHz的制作HMC460LC5适用于EW ，
ECM ，雷达和测试设备的应用程序。该
宽带放大器I / O的内部匹配50
欧姆。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 8V ，国际长途= 75毫安*
参数
频带
收益
增益平坦度
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流
（ IDD） （ VDD = 8V ， VGG = -0.9V典型值）。
14
11
分钟。
典型值。
DC - 6.0
14
± 0.5
0.008
3.5
17
17
17
18
29.5
75
13
5.0
11
马克斯。
分钟。
典型值。
6.0 - 18.0
14
± 0.15
0.01
2.5
18
15
16
18
29
75
12
4.0
10
马克斯。
分钟。
典型值。
18.0 - 20.0
13
± 0.25
0.01
3.5
12
15
15
17
28.5
75
5
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
*调整VGG -2之间为0V ，实现独立同= 75 mA典型。
7-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC460LC5
v03.1010
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， DC - 20 GHz的
增益与温度
20
宽带增益&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18
频率（GHz ）
20 22 24
26
S11
S21
S22
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-2
16
增益（dB ）
12
+25 C
+85 C
-40 C
8
4
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
2
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
+25 C
+85 C
-40 C
+25 C
+85 C
-40 C
低频增益&回波损耗
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
10
-5
噪声系数与温度
10
+25 C
+85 C
-40 C
8
S11
S21
S22
噪声系数（dB ）
响应（ dB）的
6
4
2
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
频率（GHz ）
1
10
0
2
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC460LC5
v03.1010
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， DC - 20 GHz的
PSAT与温度的关系
25
7
放大器 - 低噪声 - SMT
P1dB为与温度的关系
25
+25 C
+85 C
-40 C
22
P1dB的（ DBM）
22
PSAT （ DBM）
19
19
16
16
+25 C
+ 85 C
-40 C
13
13
10
0
2
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
10
0
2
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
输出IP3与温度的关系
32
30
28
IP3 （ dBm的）
26
24
22
20
18
0
2
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
+25 C
+85 C
-40 C
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 10 GHz的固定VGG
18
5
增益（dB ）的P1dB （ dBm的）
16
4
噪声系数（dB ）
14
3
12
2
10
噪声系数
收益
P1dB
1
8
7.5
7.75
8
Vdd的（V）的
8.25
0
8.5
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
0
2
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
+25 C
+85 C
-40 C
7-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC460LC5
v03.1010
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， DC - 20 GHz的
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+7.5
+8.0
+8.5
IDD （MA ）
74
75
76
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
栅极偏置电压（ VGG ）
栅极偏置电压（ IGG ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = 8 VDC）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免23毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（频道包装底部）
储存温度
工作温度
9 VDC
-2至0伏
2.5毫安
+18 dBm的
175 °C
2W
44.4 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-4
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：氧化铝
2.铅和接地焊盘镀层：
30-80微英寸的镀金50微英寸的最低镍。
3.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
4.引线间距有容乃非累积。
五，包装WARP不得超过0.05毫米DATUM -C-
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地。
引脚说明
引脚数
1 - 4, 7 - 12,
14, 16 - 20,
23 - 29, 31
功能
描述
无连接。这些引脚可以连接到RF接地。
性能也不会受到影响。
接口示意图
N / C
5
RFIN
该引脚的直流耦合
并匹配到50欧姆。
6, 21
GND
包底部必须被连接到射频/ DC接地。
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC460LC5
v03.1010
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， DC - 20 GHz的
7
放大器 - 低噪声 - SMT
引脚说明
引脚数
功能
描述
接口示意图
13
ACG2
低频终止。每个连接旁路电容
应用电路于此。
15
VGG
门控制放大器。
请遵守“ MMIC放大器偏置程序”
应用说明
22
RFOUT
该引脚的直流耦合
并匹配到50欧姆。
30
ACG1
低频终止。每个连接旁路电容
应用电路于此。
32
VDD
电源电压为扩增fi er 。
外部旁路电容是必需的
应用电路
7-5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC460LC5
v00.1007
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， DC - 20 GHz的
7
低噪声放大器 - SMT
典型应用
该HMC460LC5是理想的：
电信基础设施
微波无线电& VSAT
军事&空间
测试仪表
特点
噪声系数：2.5 dB的10 GHz的
增益：14 dB的10 GHz的
的P1dB输出功率： 16.5 dBm的@ 10 GHz的
电源电压： + 8V @ 75毫安
50欧姆匹配输入/输出
32引脚陶瓷的5x5mm表面贴装封装： 25毫米
2
工作原理图
概述
该HMC460LC5是GaAs MMIC的pHEMT低噪声
采用了无引线5 x 5毫米陶瓷分布式放大器
表面贴装封装，工作在直流到
20千兆赫。该放大器提供14个分贝的增益， 2.5分贝
噪声系数和+16.5 dBm的输出功率，在1分贝
增益压缩，同时从只需要75毫安
VDD = 8V电源。增益平坦度非常出色，从DC到
20 GHz的制作HMC460LC5理想的EW ， ECM ，
雷达和测试设备的应用程序。宽带
放大器的I / O内部匹配到50欧姆。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 8V ，国际长途= 75毫安*
参数
频带
收益
增益平坦度
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流
（ IDD） （ VDD = 8V ， VGG = -0.9V典型值）。
14
11
分钟。
典型值。
DC - 6.0
14
± 0.5
0.008
3.5
17
17
17
18
29.5
75
13
5.0
11
马克斯。
分钟。
典型值。
6.0 - 18.0
14
± 0.15
0.01
2.5
18
15
16
18
29
75
12
4.0
10
马克斯。
分钟。
典型值。
18.0 - 20.0
13
± 0.25
0.01
3.5
12
15
15
17
28.5
75
5
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
*调整VGG -2之间为0V ，实现独立同= 75 mA典型。
7 - 102
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC460LC5
v00.1007
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， DC - 20 GHz的
宽带增益&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
5
S11
S21
S22
增益与温度
20
18
16
14
增益（dB ）
12
10
8
6
4
2
0
+25 C
+85 C
-40 C
7
低噪声放大器 - SMT
7 - 103
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18
频率（GHz ）
20 22 24
26
0
2
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
2
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
+25 C
+85 C
-40 C
+25 C
+85 C
-40 C
低频增益&回波损耗
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
10
-5
噪声系数与温度
10
9
8
响应（ dB）的
S11
S21
S22
噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
0
+25 C
+85 C
-40 C
0.0001
0.001
0.01
0.1
频率（GHz ）
1
10
0
2
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v00.1007
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， DC - 20 GHz的
7
低噪声放大器 - SMT
P1dB为与温度的关系
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
0
2
4
6
PSAT与温度的关系
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
0
2
4
6
+25 C
+85 C
-40 C
PSAT （ DBM）
P1dB的（ DBM）
+25 C
+ 85 C
-40 C
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
输出IP3与温度的关系
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
0
2
4
6
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 10 GHz的固定VGG
18
17
增益（dB ）的P1dB （ dBm的）
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7.5
7.75
8
Vdd的（V）的
8.25
噪声系数
收益
P1dB
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
8.5
噪声系数（dB ）
IP3 （ dBm的）
+25 C
+85 C
-40 C
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
0
2
4
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
18
20
22
+25 C
+85 C
-40 C
7 - 104
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砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， DC - 20 GHz的
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+7.5
+8.0
+8.5
IDD （MA ）
74
75
76
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
栅极偏置电压（ VGG1 ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = 8 VDC）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免23毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
9 VDC
-2至0伏
+10 dBm的
175 °C
2W
44.4 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
7
低噪声放大器 - SMT
7 - 105
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：氧化铝
2.铅和接地焊盘镀层：
30-80微英寸的镀金50微英寸的最低镍。
3.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
4.引线间距有容乃非累积。
五，包装WARP不得超过0.05毫米DATUM -C-
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到PCB RF地面。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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v00.1007
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， DC - 20 GHz的
7
低噪声放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
1 - 4, 7 - 12,
14, 16 - 20,
23 - 29, 31
功能
描述
无连接。这些引脚可以连接到RF接地。
性能也不会受到影响。
接口示意图
N / C
5
RFIN
该引脚的直流耦合
并匹配到50欧姆。
6, 21
GND
包底部必须被连接到射频/ DC接地。
13
ACG2
低频终止。每个连接旁路电容
应用电路于此。
15
VGG
门控制放大器。调整实现的Idd = 75 mA的电流。
22
RFOUT
该引脚的直流耦合
并匹配到50欧姆。
30
ACG1
低频终止。每个连接旁路电容
应用电路于此。
32
VDD
电源电压为扩增fi er 。
外部旁路电容是必需的
7 - 106
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