HMC451LP3 / 451LP3E
v00.0808
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 5 - 18 GHz的
特点
增益： 18分贝
饱和功率： +21 dBm的@ 18 ％的PAE
输出IP3 ： +28 dBm的
单电源： + 5V @ 120毫安
50欧姆匹配输入/输出
16引脚3x3mm的SMT封装： 9mm
典型应用
该HmC451lp3 （ E）是理想的：
微波无线电& VSAT
军事&空间
测试设备&传感器
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
光纤
LO驱动器，用于HMC搅拌机
工作原理图
概述
该HmC451lp3 （ E）是一种高效的GaAs PHEMT
MMIC中功率放大器安装在一个无引线
符合RoHS标准的SMT封装。操作间
5和18 GHz时，放大器的增益为18 dB时，
饱和功率和18 ％的PAE +21 dBm的从
+ 5V单电源。这50欧姆匹配放大器
不需要任何外部元件和所述
RF I / O是DC封锁，使其成为一个理想的线性
增益模块或LO驱动HMC混频器。该
HmC451lp3 （五）省去了引线键合
并允许使用的表面贴装制造
技术。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25°C时，VDD
1
= VDD
2
= +5V
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（ IDD）
16.5
15
分钟。
典型值。
5 - 16
18
0.02
13
12
19.5
21
28
7
120
150
16
0.03
12.5
马克斯。
分钟。
典型值。
16 - 18
16
0.02
13
8
19
20
25
7
120
150
0.03
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
9-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC451LP3 / 451LP3E
v00.0808
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 5 - 18 GHz的
增益与温度
24
20
16
增益（dB ）
12
8
+25C
+85C
-40C
宽带增益&回波损耗
25
15
响应（ dB）的
S21
S11
S22
5
-5
-15
9
16
18
20
4
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
4
6
8
10
12
14
频率（GHz ）
频率（GHz ）
-25
输入回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-40C
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-5
回波损耗（分贝）
-10
-10
-15
-15
+25C
+85C
-40C
-20
-20
-25
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
-25
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
28
24
20
P1dB的（ DBM）
16
12
8
4
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
PSAT与温度的关系
28
24
20
PSAT （ DBM）
16
12
8
4
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
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传真： 978-250-3373
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9-2
放大器 - 线性& POWER - SMT
HMC451LP3 / 451LP3E
v00.0808
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 5 - 18 GHz的
功率压缩@ 17 GHz的
24
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
16
12
8
4
0
-18
功率压缩@ 10 GHz的
24
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
16
12
8
4
0
-18
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
-14
-10
-6
-2
2
6
-14
-10
-6
-2
2
6
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
输出IP3与温度的关系
32
30
28
IP3 （ dBm的）
26
24
22
20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
噪声系数与温度
12
10
噪声系数（dB ）
8
6
+25C
+85C
-40C
+25C
+85C
-40C
4
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
增益， P1dB为& PSAT
与电源电压@ 11 GHz的
22
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
21
20
19
18
17
16
4.5
收益
P1dB
PSAT
反向隔离与温度的关系
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
+25C
+85C
-40C
5
Vdd的（V）的
5.5
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
9-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
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HMC451LP3 / 451LP3E
v00.0808
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 5 - 18 GHz的
典型电源电流与Vdd的
1
= VDD
2
VDD
1
= VDD
2
(V)
+4.5
+5.0
+5.5
国际直拨电话
1
+独立同
2
（MA ）
120
122
124
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD
1
= VDD
2
)
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = +5 VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免12.8 MW / ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
+5.5V
+10 dBm的
150 °C
0.83 w
78 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
注：扩增fi er将工作在上面显示全电压范围
静电敏感器件
观察处理注意事项
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
9-4
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HmC451lp3
HmC451lp3e
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
msl1
msl1
[1]
包装标志
[3]
451
XXXX
451
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
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HMC451LP3 / 451LP3E
v00.0808
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 5 - 18 GHz的
引脚说明
引脚数
1, 2, 4 - 9, 11,
12, 14, 16
3
功能
N / C
RFIN
RFOUT
描述
该管脚可被连接到射频/ DC接地。
性能也不会受到影响。
该引脚交流耦合
并匹配到50欧姆。
该引脚交流耦合
并匹配到50欧姆。
接口示意图
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
10
13
Vdd2
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 PF ， 1000 PF和2.2 μF电容是必需的。
15
Vdd1
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 PF ， 1000 PF和2.2 μF电容是必需的。
GND
包底部必须被连接到射频/ DC接地。
应用电路
部件
C1, C2
C3, C4
C5, C6
价值
100 pF的
1000 pF的
2.2 f
9-5
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