HMC441LP3
/
441LP3E
v04.0508
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 6.5 - 13.5 GHz的
典型应用
该HMC441LP3 / HMC441LP3E是一个中等PA为：
点至点收音机
点到多点收音机
- 甚小孔径终端
特点
增益： 14分贝
饱和功率： +20 dBm的@ 20 ％ PAE
单电源电压：
+ 5V W /可选栅极偏置
50欧姆匹配输入/输出
16引脚3x3mm的SMT封装：9毫米
2
11
线性&功率放大器 - SMT
LO驱动器，用于HMC搅拌机
军事EW & ECM
工作原理图
概述
该HMC441LP3 & HMC441LP3E是宽带
的GaAs PHEMT MMIC中功率放大器哪些
6.5和13.5 GHz的工作。无铅
塑料QFN表面贴装封装放大器
提供增益14分贝， + 20dBm的饱和功率
在20 ％的PAE从+ 5V的电源电压。可选
栅极偏压被设置为能调整增益，
RF输出功率，以及直流功耗。这
50欧姆匹配放大器呃不需要任何
使其成为一个理想的线性增益外部元件
块或驱动程序HMC SMT混频器。
VGG1 ， Vgg2 ：可选栅极偏置
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V ， VGG1 = Vgg2 =打开
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（ IDD）
23
13
10
分钟。
典型值。
6.5 - 8.0
13
0.02
12
12
16
18.5
26
5.0
90
115
26
15
0.025
12
马克斯。
分钟。
典型值。
8.0 - 11.0
14
0.02
15
15
18
20
29
4.5
90
115
26
14
0.025
10
马克斯。
分钟。
典型值。
11.0 - 13.5
13
0.02
14
13
17
19.5
29
4.75
90
115
0.025
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
11 - 94
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC441LP3 / 441LP3E
v04.0508
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 6.5 - 13.5 GHz的
宽带增益&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
频率（GHz ）
增益与温度
20
16
S21
S11
S22
增益（dB ）
12
+25 C
+85 C
-40 C
8
11
12
13
14
4
0
6
7
8
9
10
11
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
+25 C
+85 C
-40 C
输出回波损耗随温度的变化
0
+25 C
+85 C
-40 C
-5
回波损耗（分贝）
-5
回波损耗（分贝）
-10
-10
-15
-15
-20
-20
-25
6
7
8
9
10
11
12
13
14
频率（GHz ）
-25
6
7
8
9
10
11
12
13
14
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
24
PSAT与温度的关系
24
20
20
的P1dB （分贝）
16
+25 C
+85 C
-40 C
PSAT （分贝）
16
+25 C
+85 C
-40 C
12
12
8
8
4
6
7
8
9
10
11
12
13
14
频率（GHz ）
4
6
7
8
9
10
11
12
13
14
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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11 - 95
线性&功率放大器 - SMT
HMC441LP3 / 441LP3E
v04.0508
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 6.5 - 13.5 GHz的
功率压缩@ 10 GHz的
22
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
18
16
噘
收益
PAE
输出IP3与温度的关系
36
32
IP3 （ dBm的）
14
12
10
8
6
4
2
28
11
线性&功率放大器 - SMT
24
+25 C
+85 C
-40 C
20
0
-10
16
-6
-2
2
6
10
6
7
8
9
10
11
12
13
14
输入功率（dBm ）
频率（GHz ）
增益，功率&输出IP3
与电源电压@ 10 GHz的
增益（dB） ，的P1dB （ dBm的） ，PSA （ dBm的） ， IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
3
3.5
4
4.5
5
5.5
VDD电源电压（ V）
收益
P1dB
PSAT
IP3
增益，功率&独立同
与栅极电压@ 10 GHz的
35
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
30
25
20
15
10
5
0
-2
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
210
180
收益
P1dB
PSAT
国际直拨电话
150
120
90
60
30
0
IDD （MA ）
VGG1 ， Vgg2门Volltage （ V）
噪声系数与温度
10
+25 C
+85 C
-40 C
反向隔离与温度的关系
0
8
噪声系数（dB ）
-10
隔离度（dB ）
+25 C
+85 C
-40 C
6
-20
4
-30
2
-40
0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
频率（GHz ）
-50
6
7
8
9
10
11
12
13
14
频率（GHz ）
11 - 96
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC441LP3 / 441LP3E
v04.0508
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 6.5 - 13.5 GHz的
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
栅极偏置电压（ VGG1 ， Vgg2 ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = +5 VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免8.5毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
6伏
-8至0伏
+15 dBm的
175 °C
0.76 W
118.2 ° C / W
-65至+150°C
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+5.5
+5.0
+4.5
+3.3
+3.0
IDD （MA ）
92
90
88
83
82
注：扩增fi er将工作在上面显示全电压范围
11
线性&功率放大器 - SMT
11 - 97
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC441LP3
HMC441LP3E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
441
XXXX
441
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC441LP3 / 441LP3E
v04.0508
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 6.5 - 13.5 GHz的
引脚说明
引脚数
1, 3-5, 8-10,
12-14, 16
2
功能
N / C
描述
该管脚可被连接到射频/ DC接地。
该引脚交流耦合
并匹配到50欧姆。
接口示意图
RFIN
11
6, 7
VGG1 ， Vgg2
可选门控制扩增fi er 。如果不打开，扩增fi er
将在标准电流运行。负电压施加意志
降低电流。
线性&功率放大器 - SMT
11
RFOUT
该引脚交流耦合
并匹配到50欧姆。
15
VDD
电源电压为扩增fi er 。一个外部旁路
100pF的电容是必需的。
GND
包底部必须被连接到射频/ DC接地。
11 - 98
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