v02.0604
微波公司
HMC415LP3
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 4.9 - 5.9 GHz的
特点
增益： 20分贝
34 ％的PAE @ PSAT = +26 dBm的
3.7 ％ EVM @噘= +15 dBm的
与54 Mbps的OFDM信号
电源电压： 3.0 V
掉电功能
低外部元件数量
8
放大器 - SMT
典型应用
该扩增fi er非常适合用作动力
扩增fi er为4.9 - 5.9 GHz的应用程序：
802.11a的无线局域网
WLAN的HiperLAN
接入点
UNII & ISM收音机
工作原理图
概述
该HMC415LP3是高英法fi效率砷化镓
的InGaP异质结双极晶体管（ HBT ）
MMIC电源放大器呃这之间运行
4.9和5.9千兆赫。该扩增fi er封装在一个
成本低，无引线表面贴装封装，
露出的基体，以提高射频和热
性能。用最少的外部元件的
堂费，该放大器器提供20 dB增益， 26
dBm的饱和功率，和34 ％的PAE从
+ 3.0V电源电压。 VPD可以用于满
掉电或RF输出功率/电流控制。
为+15 dBm的OFDM输出功率（ 64 QAM ， 54
Mbps）的所述HMC415LP3达到误差向量
3.7 ％，会议的802.11a线性幅度（EVM ）
earity要求。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VS = 3V ， VPD = 3V
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
误差矢量幅度
（ 54 Mbps的OFDM信号@ +15 dBm的噘）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
控制电流（ IPD ）
开关速度
VPD = 0V / 3V
VPD = 3V
吨， Toff的
ICQ = 200毫安
6
0.002 /
285
7
45
28
ICQ = 285毫安
ICQ = 200毫安
20
18
分钟。
典型值。
4.9 - 5.1
20
0.04
10
10
22.5
22.0
25.5
31
29
20.5
0.05
18.5
马克斯。
分钟。
典型值。
5.1 - 5.4
20.5
0.04
9
12
23.0
22.5
26
32
3.7
6
0.002 /
285
7
45
6
0.002 /
285
7
45
27
18
0.05
16
马克斯。
分钟。
典型值。
5.4 - 5.9
19
0.04
8
8
21.5
21.0
24
30
0.05
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/
°C
dB
dB
DBM
DBM
DBM
%
dB
mA
mA
ns
8 - 188
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
微波公司
v02.0604
HMC415LP3
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 4.9 - 5.9 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
20
15
增益与温度
24
22
20
18
8
放大器 - SMT
8 - 189
响应（ dB）的
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
3
4
5
S21
增益（dB ）
S11
S22
16
14
12
10
8
6
4
2
6
7
8
0
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
+25 C
+85 C
-40 C
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
-5
-5
-10
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-20
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
-20
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
频率（GHz ）
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
30
28
26
24
PSAT与温度的关系
30
28
26
24
P1dB的（ DBM）
22
20
18
16
14
12
10
4.8
5
+25 C
+85 C
-40 C
PSAT （ DBM）
22
20
18
16
14
12
+25 C
+85 C
-40 C
5.2
5.4
5.6
5.8
6
10
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v02.0604
HMC415LP3
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 4.9 - 5.9 GHz的
8
放大器 - SMT
功率压缩@ 5.2 GHz的
36
输出IP3与温度的关系
40
38
36
34
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
32
28
24
20
16
12
8
4
0
-12 -10
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
OIP3 （ dBm的）
32
30
28
26
+25 C
24
22
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
20
4.8
5
+85 C
-40 C
5.2
5.4
5.6
5.8
6
输入功率（dBm ）
频率（GHz ）
噪声系数与温度
10
9
8
获得&功率与电源电压
28
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
2.7
3
VCC电源电压（VDC ）
收益
P1dB
PSAT
噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
0
4.8
5
+25 C
+85 C
-40 C
5.2
5.4
5.6
5.8
6
3.3
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
+25 C
+85 C
掉电隔离与温度的关系
0
+25 C
+85 C
-40 C
-10
-10
隔离度（dB ）
-20
隔离度（dB ）
5.4
5.6
5.8
6
-40 C
-20
-30
-30
-40
-40
-50
4.8
5
5.2
-50
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
频率（GHz ）
频率（GHz ）
8 - 190
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v02.0604
HMC415LP3
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 4.9 - 5.9 GHz的
EVM对电源电流，
F = 5.2 GHz的
8
EVM与温度的关系，
ICC = 240 mA时， F = 5.2 GHz的
8
8
放大器 - SMT
8 - 191
误差向量幅度（ ％）
7
6
5
4
3
2
1
0
10
11
Icc=160mA
Icc=200mA
Icc=240mA
Icc=280mA
误差向量幅度（ ％）
7
6
5
4
3
2
1
0
+25 C
+85 C
-40 C
12
13
14
15
16
17
18
10
11
12
13
14
15
16
17
18
输出功率（dBm ）
输出功率（dBm ）
增益功率&静态电源电流
与VPD @ 5.2 GHz的
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
1.5
330
310
290
270
250
230
210
190
170
150
130
110
90
70
50
30
3
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
ICC （MA ）
收益
P1dB
PSAT
ICC
1.75
2
2.25
VPD （VDC ）
2.5
2.75
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v02.0604
HMC415LP3
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 4.9 - 5.9 GHz的
8
放大器 - SMT
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
控制电压（ VPD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VS = VPD = 3.0伏）
结温
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免17毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（结点到地面桨）
储存温度
工作温度
+ 5.0VDC
+3.5伏
+20 dBm的
150 °C
1.105 W
59 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
外形绘图
注意事项：
1.材质包裹体：低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.铅和地面桨材料：铜合金
3.铅和地面PADDLE电镀：锡/铅焊接
4.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
5.引线间距有容乃非累积
6. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
7.包装WARP不得超过0.05毫米。
8.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地。
9.按照HITTITE应用说明中建议的PCB
焊盘图形。
8 - 192
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HMC415LP3
/
415LP3E
v03.0605
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 4.9 - 5.9 GHz的
特点
增益： 20分贝
34 ％的PAE @ PSAT = +26 dBm的
3.7 ％ EVM @噘= +15 dBm的
与54 Mbps的OFDM信号
电源电压： + 3V
掉电功能
低外部元件数量
典型应用
该扩增fi er非常适合用作动力
扩增fi er为4.9 - 5.9 GHz的应用程序：
802.11a的无线局域网
WLAN的HiperLAN
接入点
11
线性&功率放大器 - SMT
UNII & ISM收音机
工作原理图
概述
该HMC415LP3 & HMC415LP3E高艾菲
效率砷化镓的InGaP异质结双极转录
而其使用的体管（ HBT ） MMIC功率放大器
与4.9和5.9千兆赫。该放大器是封装
年龄在低成本，无引线表面贴装封装
年龄暴露的基地，以提高RF和
散热性能。用最少的外部
组件，该放大器提供的增益为20dB ，
+26 dBm的饱和功率，和34 ％的PAE从
+ 3V电源电压。 VPD可以用于全功率
向下或RF输出功率/电流控制。为+15
OFDM dBm的输出功率（ 64 QAM ， 54 Mbps）的，在
HMC415LP3 & HMC415LP3E实现一个错误
矢量幅度3.7 ％，会议的802.11a （ EVM ）
线性度要求。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VS = 3V ， VPD = 3V
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1dB输出功率
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
误差矢量幅度
（ 54 Mbps的OFDM信号@ +15 dBm的噘）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
控制电流（ IPD ）
开关速度
VPD = 0V / 3V
VPD = 3V
吨， Toff的
ICQ = 200毫安
6
0.002 /
285
7
45
28
ICQ = 285毫安
ICQ = 200毫安
20
18
分钟。
典型值。
4.9 - 5.1
20
0.04
10
10
22.5
22.0
25.5
31
29
20.5
0.05
18.5
马克斯。
分钟。
典型值。
5.1 - 5.4
20.5
0.04
9
12
23.0
22.5
26
32
3.7
6
0.002 /
285
7
45
6
0.002 /
285
7
45
27
18
0.05
16
马克斯。
分钟。
典型值。
5.4 - 5.9
19
0.04
8
8
21.5
21.0
24
30
0.05
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/
°C
dB
dB
DBM
DBM
DBM
%
dB
mA
mA
ns
11 - 66
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC415LP3
/
415LP3E
v03.0605
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 4.9 - 5.9 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
3
4
5
6
7
8
频率（GHz ）
S21
S11
S22
增益与温度
24
22
20
18
16
增益（dB ）
14
12
10
8
6
4
2
0
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
+25 C
+85 C
-40 C
11
线性&功率放大器 - SMT
11 - 67
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
+25 C
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
-5
-5
+85 C
-40 C
-10
-10
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-15
-20
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
-20
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
频率（GHz ）
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
30
28
26
24
P1dB的（ DBM）
22
20
18
16
14
12
10
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
+25 C
+85 C
-40 C
PSAT与温度的关系
30
28
26
24
PSAT （ DBM）
22
20
18
16
14
12
10
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
+25 C
+85 C
-40 C
频率（GHz ）
频率（GHz ）
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HMC415LP3
/
415LP3E
v03.0605
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 4.9 - 5.9 GHz的
功率压缩@ 5.2 GHz的
36
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
32
28
24
20
16
12
8
4
0
-12 -10
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
输出IP3与温度的关系
40
38
36
34
OIP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
22
+25 C
+85 C
-40 C
11
线性&功率放大器 - SMT
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
20
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
输入功率（dBm ）
频率（GHz ）
噪声系数与温度
10
9
8
噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
0
4.8
5
5.2
5.4
+25 C
+85 C
-40 C
获得&功率与电源电压
28
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
2.7
3
VCC电源电压（VDC ）
收益
P1dB
PSAT
5.6
5.8
6
3.3
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
掉电隔离与温度的关系
0
+25 C
-10
隔离度（dB ）
+25 C
-10
隔离度（dB ）
+85 C
-40 C
-20
+85 C
-40 C
-20
-30
-30
-40
-40
-50
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
-50
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
频率（GHz ）
频率（GHz ）
11 - 68
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HMC415LP3
/
415LP3E
v03.0605
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 4.9 - 5.9 GHz的
EVM与温度的关系，
ICC = 240 mA时， F = 5.2 GHz的
8
误差向量幅度（ ％）
7
6
5
4
3
2
1
0
+25 C
+85 C
-40 C
EVM对电源电流，
F = 5.2 GHz的
8
误差向量幅度（ ％）
7
6
5
4
3
2
1
0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
输出功率（dBm ）
Icc=160mA
Icc=200mA
Icc=240mA
Icc=280mA
11
10
11
12
13
14
15
16
17
18
输出功率（dBm ）
增益，功率&静态
电源电流与VPD @ 5.2 GHz的
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
1.5
1.75
2
2.25
VPD （VDC ）
2.5
330
310
290
270
250
230
210
190
170
150
130
110
90
70
50
30
3
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
收益
P1dB
PSAT
ICC
2.75
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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11 - 69
线性&功率放大器 - SMT
ICC （MA ）
HMC415LP3
/
415LP3E
v03.0605
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 4.9 - 5.9 GHz的
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
控制电压（ VPD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VS = VPD = 3.0伏）
结温
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免17毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（结点到地面桨）
储存温度
+5Vdc
+3.5伏
+13 dBm的
150 °C
1.105 W
59 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
11
线性&功率放大器 - SMT
工作温度
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC415LP3
HMC415LP3E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
415
XXXX
415
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
11 - 70
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