HMC414MS8G
/
414MS8GE
v04.0607
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 2.2 - 2.8 GHz的
典型应用
该扩增fi er非常适合用作动力
扩增fi er为2.2 - 2.7 GHz的应用程序：
蓝牙
MMDS
特点
增益： 20分贝
饱和功率： +30 dBm的
32 ％的PAE
电源电压： + 2.75V至+ 5V
掉电功能
低外部元件数量
11
线性&功率放大器 - SMT
工作原理图
概述
该HMC414MS8G & HMC414MS8GE高艾菲
效率砷化镓的InGaP异质结双极转录
而其使用的体管（ HBT ） MMIC功率放大器
与2.2和2.8千兆赫。放大器被包装
在一种低成本，表面安装8引线封装用
露出的基体，以提高射频和热per-
性能。用最少的外部元件，
放大器提供了20个分贝的增益， + 30dBm的饱和的
从+ 5V电源电压额定功率32 ％的PAE 。
该放大器还可以用3.6V电源供电。 VPD
可用于充分掉电或RF输出功率/
电流控制。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C，作为VS的功能， VPD = 3.6V
VS = 3.6V
参数
分钟。
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
控制电流（ IPD ）
开关速度
VPD = 0V / 3.6V
VPD = 3.6V
吨， Toff的
30
21
17
典型值。
2.2 - 2.8
20
0.03
8
9
25
27
35
6.5
0.002 / 240
7
45
35
23
25
0.04
17
马克斯。
分钟。
典型值。
2.2 - 2.8
20
0.03
8
9
27
30
39
7.0
0.002 / 300
7
45
25
0.04
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
mA
ns
VS = 5V
11 - 58
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC414MS8G
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414MS8GE
v04.0607
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 2.2 - 2.8 GHz的
增益与温度的关系， VS = 3.6V
30
25
20
增益（dB ）
15
10
5
0
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
增益与温度的关系， VS = 5V
30
25
20
增益（dB ）
15
10
5
0
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
11
线性&功率放大器 - SMT
11 - 59
回波损耗， VS = 3.6V
0
回波损耗， VS = 5V
0
-4
回波损耗（分贝）
-8
回波损耗（分贝）
S11
S22
-4
S11
S22
-8
-12
-12
-16
-16
-20
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
频率（GHz ）
-20
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系， VS = 3.6V
32
28
24
P1dB的（ DBM）
20
16
12
8
4
0
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
P1dB为与温度的关系， VS = 5V
32
28
24
P1dB的（ DBM）
20
16
12
8
4
0
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v04.0607
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 2.2 - 2.8 GHz的
PSAT与温度的关系， VS = 3.6V
32
28
24
PSAT （ DBM）
PSAT与温度的关系， VS = 5V
32
28
24
PSAT （ DBM）
20
16
12
8
4
0
+25 C
+85 C
-40 C
20
16
12
8
4
+25 C
+85 C
-40 C
11
线性&功率放大器 - SMT
0
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
频率（GHz ）
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
频率（GHz ）
功率压缩@ 2.4 GHz时， VS = 3.6V
36
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
30
24
18
12
6
0
-14
噘
收益
PAE
功率压缩@ 2.4 GHz时， VS = 5V
36
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
30
24
18
12
6
0
-14
噘
收益
PAE
-9
-4
1
6
11
16
-9
-4
1
6
11
16
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
输出IP3与温度的关系， VS = 3.6V
42
37
32
IP3 （ dBm的）
27
22
17
12
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
输出IP3与温度的关系， VS = 5V
42
37
32
IP3 （ dBm的）
27
22
17
12
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
11 - 60
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v04.0607
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 2.2 - 2.8 GHz的
反向隔离
与温度的关系， VS = 3.6V
0
掉电隔离， VS = 3.6V
0
-10
-10
隔离度（dB ）
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-40
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
频率（GHz ）
-60
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
频率（GHz ）
-20
+25 C
+85 C
-40 C
-30
11
线性&功率放大器 - SMT
ICQ （毫安）
噪声系数与温度的关系， VS = 3.6V
15
+25 C
+85 C
-40 C
噪声系数与温度的关系， VS = 5V
15
+25 C
+85 C
-40 C
12
噪声系数（dB ）
12
噪声系数（dB ）
2.8
3
9
9
6
6
3
3
0
2
2.2
2.4
2.6
频率（GHz ）
0
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
频率（GHz ）
获得&功率与电源电压
28
P1dB
PSAT
增益，功率&静态
供应电流与VPD @ 2.4 GHz的
34
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
32
400
26
30
的P1dB ， PSAT （ DBM）
28
PSAT
P1dB
320
增益dB ）
24
26
24
ICQ
240
22
22
20
收益
160
20
收益
18
16
80
18
2.75
3.25
3.75
4.25
4.75
14
5.25
12
2
2.4
2.8
VPD （VDC ）
3.2
0
3.6
VCC电源电压（VDC ）
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砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 2.2 - 2.8 GHz的
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
控制电压（ VPD1 ， VPD2 ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VS = 5.0 ，
VPD = 3.6伏）
结温
+5.5伏
+4.0伏
+17 dBm的
150 °C
1.755 W
37 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
11
线性&功率放大器 - SMT
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免27毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（结点到地面桨）
储存温度
工作温度
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到
PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC414MS8G
HMC414MS8GE
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H414
XXXX
H414
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
11 - 62
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