v03.1203
微波公司
HMC413QS16G
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 1.6 - 2.2 GHz的
特点
增益： 23分贝
饱和功率： 29.5 dBm的
42 ％的PAE
电源电压： + 2.75V至+ 5.0V
掉电功能
低外部元件数量
8
放大器 - SMT
典型应用
该扩增fi er非常适合用作电源/驱动器
扩增fi er为1.6 - 2.2 GHz的应用程序：
蜂窝/ PCS / 3G
便携式&基建
无线本地环路
工作原理图
概述
该HMC413QS16G是高英法fi效率砷化镓
的InGaP异质结双极晶体管（ HBT ）
MMIC电源放大器呃这之间运行
1.6和2.2 GHz的。该扩增fi er封装在一个
成本低，表面贴装16引线封装用
露出的基体，以提高射频和热
性能。用最少的外部元件的
堂费，将扩增fi er提供23分贝增益， 29.5
饱和功率dBm的42 ％ PAE在+ 5.0V
电源电压。该放大器器也可以操作
用3.6V电源。 VPD可以用于全功率
向下或RF输出功率/电流控制。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C，作为VS的功能， VPD = 3.6V
VS = 3.6V
参数
频率
分钟。
1.6 - 1.7 GHz的
1.7 - 2.0 GHz的
2.0 - 2.1 GHz的
2.1 - 2.2 GHz的
1.6 - 2.2 GHz的
1.6 - 2.2 GHz的
1.6 - 2.2 GHz的
1.6 - 1.7 GHz的
1.7 - 2.2 GHz的
1.6 - 1.7 GHz的
1.7 - 2.2 GHz的
1.6 - 1.7 GHz的
1.7 - 2.0 GHz的
2.0 - 2.2 GHz的
1.6 - 2.2 GHz的
VPD = 0V / 3.6V
VPD = 3.6V
吨， Toff的
32
33
32
20
21
18
19
18
17
典型值。
21
22
21
20
0.025
10
8
23
24
25.5
26.5
35
36
35
5.5
0.002/220
7
80
36
37
36
23
24
0.035
马克斯。
分钟。
19
20
19
18
典型值。
22
23
22
21
0.025
10
9
26
27
28.5
29.5
39
40
39
5.5
0.002/270
7
80
0.035
马克斯。
dB
dB
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
mA
mA
ns
VS = 5.0V
单位
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
控制电流（ IPD ）
开关速度
8 - 166
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
v03.1203
微波公司
HMC413QS16G
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 1.6 - 2.2 GHz的
增益与温度的关系， VS = 3.6V
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
增益与温度的关系， VS = 5.0V
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
8
放大器 - SMT
8 - 167
增益（dB ）
+25 C
+85 C
-40 C
增益（dB ）
+25 C
+85 C
-40 C
2
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
2
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
回波损耗， VS = 3.6V
0
-2
-4
回波损耗， VS = 5.0V
0
-2
-4
回波损耗（分贝）
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
2
S11
S22
回波损耗（分贝）
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
2
S11
S22
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系， VS = 3.6V
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
P1dB为与温度的关系， VS = 5.0V
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
P1dB的（ DBM）
+25 C
+85 C
-40 C
P1dB的（ DBM）
+25 C
+85 C
-40 C
2
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
2
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
微波公司
v03.1203
HMC413QS16G
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 1.6 - 2.2 GHz的
8
放大器 - SMT
PSAT与温度的关系， VS = 3.6V
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
PSAT与温度的关系， VS = 5.0V
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
PSAT （ DBM）
+25 C
+85 C
-40 C
PSAT （ DBM）
+25 C
+85 C
-40 C
2
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
2
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
功率压缩@ 1.9 GHz时， VS = 3.6V
46
功率压缩@ 1.9 GHz时， VS = 5.0V
46
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
38
34
30
26
22
18
14
10
6
2
-12
-10
-8
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
42
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
42
38
34
30
26
22
18
14
10
6
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
2
-12 -10 -8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12 14
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
输出IP3与温度的关系， VS = 3.6V
44
42
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
输出IP3与温度的关系， VS = 5.0V
44
42
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
OIP3 （ dBm的）
+25 C
+85 C
-40 C
OIP3 （ dBm的）
+25 C
+85 C
-40 C
2
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
2
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
8 - 168
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
微波公司
v03.1203
HMC413QS16G
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 1.6 - 2.2 GHz的
反向隔离
与温度的关系， VS = 3.6V
0
-10
+25 C
+85 C
-40 C
掉电隔离， VS = 3.6V
0
-10
8
放大器 - SMT
ICQ （毫安）
隔离度（dB ）
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
-70
1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
-20
-30
-40
-50
-60
1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
2
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
2
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
噪声系数与温度的关系， VS = 3.6V
10
9
8
噪声系数与温度的关系， VS = 5.0V
10
9
8
噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
0
1.5
1.6
1.7
+25 C
+85 C
-40 C
噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
+25 C
+85 C
-40 C
1.8
1.9
2
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
0
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
获得&功率与
电源电压@ 1.9 GHz的
30
29
28
27
收益
增益，功率&静态电源
电流与VPD @ 1.9 GHz时， VCC = + 3.6V
32
30
28
26
24
22
20
P1dB
PSAT
26
25
24
23
22
21
20
2.75
3.25
3.75
4.25
4.75
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
34
18
16
14
5.25
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
1.5
收益
P1dB
PSAT
ICQ
330
310
290
270
250
230
210
190
170
150
130
110
90
70
50
30
3.5
的P1dB ， PSAT （ DBM）
增益（dB ）
1.75
2
2.25
2.5
2.75
3
3.25
VCC电源电压（VDC ）
VPD （VDC ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
8 - 169
微波公司
v03.1203
HMC413QS16G
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 1.6 - 2.2 GHz的
8
放大器 - SMT
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
控制电压（ VPD1 ， VPD2 ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VS = + 5.0VDC ，
VPD = 3.6伏）
结温
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免24毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（结点到地面桨）
储存温度
工作温度
+5.5伏
+4.0伏
+20 dBm的
150 °C
1.56 W
42 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.引线框架材料：铜合金
3.电镀引脚框：锡/铅焊接
4.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
5.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
6.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
7.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地。
8 - 170
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
HMC413QS16G
/
413QS16GE
v04.0505
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 1.6 - 2.2 GHz的
典型应用
该扩增fi er非常适合用作电源/驱动器
扩增fi er为1.6 - 2.2 GHz的应用程序：
蜂窝/ PCS / 3G
便携式&基建
特点
增益： 23分贝
饱和功率： 29.5 dBm的
42 ％的PAE
电源电压： + 2.75V至+ 5V
掉电功能
低外部元件数量
包括在HMC- DK002设计者工具包
11
线性&功率放大器 - SMT
无线本地环路
工作原理图
概述
该HMC413QS16G & HMC413QS16GE高
效率砷化镓的InGaP异质结双极转录
而其使用的体管（ HBT ） MMIC功率放大器
1.6 2.2千兆赫。放大器被包装
在一种低成本，表面安装16引线封装用
露出的基体，以提高射频和热perfor-
曼斯。用最少的外部元件，
放大器提供23分贝增益， 29.5 dBm为饱和
从+ 5V电源电压额定功率42 ％的PAE 。
该放大器还可以用3.6V电源供电。 VPD
可用于充分掉电或RF输出功率/
电流控制。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C，作为VS的功能， VPD = 3.6V
VS = 3.6V
参数
频率
分钟。
1.6 - 1.7 GHz的
1.7 - 2.0 GHz的
2.0 - 2.1 GHz的
2.1 - 2.2 GHz的
1.6 - 2.2 GHz的
1.6 - 2.2 GHz的
1.6 - 2.2 GHz的
1.6 - 1.7 GHz的
1.7 - 2.2 GHz的
1.6 - 1.7 GHz的
1.7 - 2.2 GHz的
1.6 - 1.7 GHz的
1.7 - 2.0 GHz的
2.0 - 2.2 GHz的
1.6 - 2.2 GHz的
VPD = 0V / 3.6V
VPD = 3.6V
吨， Toff的
32
33
32
20
21
18
19
18
17
典型值。
21
22
21
20
0.025
10
8
23
24
25.5
26.5
35
36
35
5.5
0.002/220
7
80
36
37
36
23
24
0.035
马克斯。
分钟。
19
20
19
18
典型值。
22
23
22
21
0.025
10
9
26
27
28.5
29.5
39
40
39
5.5
0.002/270
7
80
0.035
马克斯。
dB
dB
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
mA
mA
ns
VS = 5V
单位
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
控制电流（ IPD ）
开关速度
11 - 50
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC413QS16G
/
413QS16GE
v04.0505
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 1.6 - 2.2 GHz的
增益与温度的关系， VS = 3.6V
30
25
20
增益（dB ）
15
10
5
0
1.3
+25 C
+85 C
-40 C
增益与温度的关系， VS = 5V
30
25
20
增益（dB ）
15
10
5
0
1.3
+25 C
+85 C
-40 C
11
2.3
2.5
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
1.5
1.7
1.9
2.1
频率（GHz ）
频率（GHz ）
回波损耗， VS = 3.6V
0
回波损耗， VS = 5V
0
S11
S22
-4
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
-4
-8
-8
-12
S11
S22
-12
-16
-16
-20
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
-20
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系， VS = 3.6V
32
28
24
P1dB的（ DBM）
20
16
12
8
4
0
1.3
+25 C
+85 C
-40 C
P1dB为与温度的关系， VS = 5V
32
28
24
P1dB的（ DBM）
20
16
12
8
4
0
1.3
+25 C
+85 C
-40 C
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
11 - 51
线性&功率放大器 - SMT
HMC413QS16G
/
413QS16GE
v04.0505
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 1.6 - 2.2 GHz的
PSAT与温度的关系， VS = 3.6V
32
28
24
PSAT （ DBM）
PSAT与温度的关系， VS = 5V
32
28
24
PSAT （ DBM）
20
16
12
8
4
0
1.3
+25 C
+85 C
-40 C
20
16
12
8
4
+25 C
+85 C
-40 C
11
线性&功率放大器 - SMT
0
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
功率压缩@ 1.9 GHz时， VS = 3.6V
46
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
42
38
34
30
26
22
18
14
10
6
2
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
功率压缩@ 1.9 GHz时， VS = 5V
46
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
42
38
34
30
26
22
18
14
10
6
2
-12 -10 -8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10 12
14
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
输出IP3与温度的关系， VS = 3.6V
42
38
34
IP3 （ dBm的）
输出IP3与温度的关系， VS = 5V
44
40
36
IP3 （ dBm的）
32
28
24
20
16
12
1.3
+25 C
+85 C
-40 C
30
26
22
18
14
10
1.3
+25 C
+85 C
-40 C
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
11 - 52
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC413QS16G
/
413QS16GE
v04.0505
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 1.6 - 2.2 GHz的
反向隔离
与温度的关系， VS = 3.6V
0
-10
隔离度（dB ）
+25 C
+85 C
-40 C
掉电隔离， VS = 3.6V
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
1.3
-20
-30
-40
-50
-60
-70
1.3
11
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
频率（GHz ）
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
频率（GHz ）
噪声系数与温度的关系， VS = 3.6V
10
噪声系数与温度的关系， VS = 5V
10
8
噪声系数（dB ）
噪声系数（dB ）
8
6
6
4
+25 C
+85 C
-40 C
4
+25 C
+85 C
-40 C
2
2
0
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
0
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
获得&功率与
电源电压@ 1.9 GHz的
30
29
28
27
增益（dB ）
26
25
24
23
22
21
20
2.75
3.25
3.75
4.25
4.75
P1dB
PSAT
收益
增益，功率&静态电源
电流与VPD @ 1.9 GHz时， VCC = + 3.6V
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
5.25
的P1dB ， PSAT （ DBM）
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
28
330
25
ICQ
270
22
210
ICQ （毫安）
19
收益
P1dB
PSAT
150
16
90
13
1.5
1.75
2
2.25
2.5
2.75
3
3.25
30
3.5
VCC电源电压（VDC ）
VPD （VDC ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
11 - 53
线性&功率放大器 - SMT
HMC413QS16G
/
413QS16GE
v04.0505
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 1.6 - 2.2 GHz的
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
控制电压（ VPD1 ， VPD2 ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VS = + 5VDC，
VPD = 3.6伏）
结温
+5.5伏
+4.0伏
+15 dBm的
150 °C
1.56 W
42 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
11
线性&功率放大器 - SMT
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免24毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（结点到地面桨）
储存温度
工作温度
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到
PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC413QS16G
HMC413QS16GE
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
HMC413
XXXX
HMC413
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
11 - 54
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
QQ：2880707522 复制
