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HMC408LP3
/
408LP3E
v03.0705
砷化镓的InGaP HBT MMIC 1瓦
功放, 5.1 - 5.9 GHz的
5
放大器 - SMT
典型应用
该HMC408LP3 / HMC408LP3E是理想的:
802.11 &的HiperLAN无线局域网
UNII &点至点/多点收音机
接入点无线电
特点
增益: 20分贝
饱和功率: 32.5 dBm的@ 27 % PAE
单电源电压: + 5.0V
掉电功能
3×3毫米无铅SMT封装
工作原理图
概述
该HMC408LP3 & HMC408LP3E是5.1 - 5.9 GHz的
高效率砷化镓的InGaP异质结双极
晶体管( HBT )功率放大器MMIC产品而提供
+30 dBm的P1dB的。该放大器提供20 dB增益,
32.5 dBm的饱和功率,和27 %的PAE从
+ 5.0V电源电压。输入内部匹配
到50欧姆,而输出需要最少
的外部元件。 VPD可以用于满
掉电或RF输出功率/电流控制。该
放大器被封装在一个低成本, 3×3毫米的无引线
表面贴装封装,带有裸基地
改进的射频性能和热性能。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, VS = 5V , VPD = 5V
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗*
输出功率为1 dB压缩
(P1dB)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
谐波,噘= 30 dBm时, F = 5.8 GHz的
噪声系数
电源电流(WinSock )
控制电流( IPD )
开关速度
VPD = 0V / 5V
VPD = 5V
吨, Toff的
2 FO
3 FO
40
ICQ = 750毫安
ICQ = 500毫安
27
17
分钟。
典型值。
5.7 - 5.9
20
0.045
8
14
30
27
32.5
43
-50
-90
6
0.002 / 750
14
50
36
24
0.055
17
马克斯。
分钟。
典型值。
5.1 - 5.9
20
0.045
8
6
27
23
31
39
-50
-90
6
0.002 / 750
14
50
0.055
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dB
mA
mA
ns
5.9 GHz的操作 - * 5.7输出匹配优化。见应用电路于此。
5 - 158
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC408LP3
/
408LP3E
v03.0705
砷化镓的InGaP HBT MMIC 1瓦
功放, 5.1 - 5.9 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应( dB)的
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
3
4
5
6
7
8
频率(GHz )
S21
S11
S22
增益与温度
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
4.8
5
放大器 - SMT
5 - 159
增益(dB )
+25 C
+85 C
-40 C
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
6.2
频率(GHz )
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗与温度的关系*
0
+25 C
+85 C
-40 C
-4
回波损耗(分贝)
回波损耗(分贝)
5.8
6
6.2
-5
-8
-10
-12
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-16
-20
4.8
5
5.2
5.4
5.6
-20
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
6.2
频率(GHz )
频率(GHz )
P1dB为与温度的关系
36
33
30
P1dB的( DBM)
PSAT与温度的关系
36
33
30
PSAT ( DBM)
27
24
21
18
15
12
4.8
+25 C
+85 C
-40 C
27
24
21
18
15
12
4.8
+25 C
+85 C
-40 C
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
6.2
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
6.2
频率(GHz )
频率(GHz )
5.9 GHz的 - * 5.7输出匹配优化。
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC408LP3
/
408LP3E
v03.0705
砷化镓的InGaP HBT MMIC 1瓦
功放, 5.1 - 5.9 GHz的
5
放大器 - SMT
功率压缩@ 5.8 GHz的
36
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
33
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
-10 -8 -6 -4 -2
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20
的Pout ( dBm的)
增益(dB )
PAE (%)
输出IP3与温度的关系
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
4.8
OIP3 ( dBm的)
+25 C
+85 C
-40 C
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
6.2
输入功率(dBm )
频率(GHz )
噪声系数与温度
10
9
8
噪声系数(dB )
7
6
5
4
3
2
1
0
4.8
5
5.2
5.4
+25 C
+85 C
-40 C
获得&功率与
电源电压@ 5.8 GHz的
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
4.75
增益(dB )的P1dB ( dBm的) , PSAT ( DBM)
收益
P1dB
PSAT
5.6
5.8
6
6.2
5
VCC电源电压(VDC )
5.25
频率(GHz )
反向隔离与温度的关系
0
-10
隔离度(dB )
-20
-30
-40
-50
-60
4.8
反向隔离
掉电隔离
增益,功率&静态
电源电流与VPD @ 5.8 GHz的
36
增益(dB )的P1dB ( dBm的) , PSAT ( DBM)
33
30
27
24
21
18
15
12
收益
P1dB
PSAT
ICQ
800
700
600
500
ICQ (毫安)
400
300
200
100
0
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
VPD (VDC )
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
6.2
频率(GHz )
5 - 160
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HMC408LP3
/
408LP3E
v03.0705
砷化镓的InGaP HBT MMIC 1瓦
功放, 5.1 - 5.9 GHz的
典型电源电流
与VS = VCC1 +电源Vcc2
绝对最大额定值
集电极偏置电压( VCC1 ,电源Vcc2 )
控制电压( VPD )
RF输入功率( RFIN ) ( VS = VPD = + 5.0VDC )
结温
连续PDISS (T = 85
°C)
(减免72.5毫瓦/ ° C以上85
°C)
热阻
(结点到地面桨)
储存温度
工作温度
+5.5伏
+5.5伏
+20 dBm的
150
°C
4.71 W
13.8
° C / W
-65到+150
°C
-40至+85
°C
5
725
750
4.75
5.0
5.25
780
注:扩增fi er将工作在上面显示全电压范围
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五,包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC408LP3
HMC408LP3E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
408
XXXX
408
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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5 - 161
放大器 - SMT
VS ( V)
ICQ (毫安)
HMC408LP3
/
408LP3E
v03.0705
砷化镓的InGaP HBT MMIC 1瓦
功放, 5.1 - 5.9 GHz的
5
放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
功能
描述
接口示意图
1
VPD
电源控制引脚。为了获得最大的功率,该引脚应
连接到5.0V 。更高的电压,不推荐使用。
为降低无功电流,该电压可以降低。
2, 4, 5 - 8, 12,
13, 15
N / C
无连接
3
RFIN
该引脚交流耦合和匹配50欧姆
5.1 - 5.9 GHz的。
9, 10, 11
RFOUT
RF输出和直流偏置的输出级。
14
Vcc2
电源电压为所述第二放大级。克斯特
最终旁路电容和上拉阻风门须为
在应用原理图如图所示。
16
Vcc1
电源电压为网络第一个扩增fi er阶段。外
所需的旁路电容,如图中的应用
原理图。
地面:背面包已暴露的金属接地
塞必须连接到地直通短路径。
该设备下的通孔是必需的。
GND
5 - 162
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20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HMC408LP3_06
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    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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