HMC408LP3
/
408LP3E
v03.0705
砷化镓的InGaP HBT MMIC 1瓦
功放， 5.1 - 5.9 GHz的
典型应用
该HMC408LP3 / HMC408LP3E是理想的：
802.11 &的HiperLAN无线局域网
UNII &点至点/多点收音机
接入点无线电
特点
增益： 20分贝
饱和功率： 32.5 dBm的@ 27 ％ PAE
单电源电压： + 5V
掉电功能
3×3毫米无铅SMT封装
11
线性&功率放大器 - SMT
工作原理图
概述
该HMC408LP3 & HMC408LP3E是5.1 - 5.9 GHz的
高效率砷化镓的InGaP异质结双极
晶体管（ HBT ）功率放大器MMIC产品而提供
+30 dBm的P1dB的。该放大器提供20 dB增益，
32.5 dBm的饱和功率，和27 ％的PAE从
+ 5V电源电压。输入内部匹配
到50欧姆，而输出至少需要
的外部元件。 VPD可以用于全功率
向下或RF输出功率/电流控制。该放大器
封装在一个较低的成本， 3×3毫米的无引线的表面
安装封装，带有裸基地，以提高
RF和热性能。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VS = 5V ， VPD = 5V
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗*
输出功率为1 dB压缩
(P1dB)
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
谐波，噘= 30 dBm时， F = 5.8 GHz的
噪声系数
电源电流（WinSock ）
控制电流（ IPD ）
开关速度
VPD = 0V / 5V
VPD = 5V
吨， Toff的
2 FO
3 FO
40
ICQ = 750毫安
ICQ = 500毫安
27
17
分钟。
典型值。
5.7 - 5.9
20
0.045
8
14
30
27
32.5
43
-50
-90
6
0.002 / 750
14
50
36
24
0.055
17
马克斯。
分钟。
典型值。
5.1 - 5.9
20
0.045
8
6
27
23
31
39
-50
-90
6
0.002 / 750
14
50
0.055
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dB
mA
mA
ns
5.9 GHz的操作 - * 5.7输出匹配优化。见应用电路于此。
11 - 34
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC408LP3
/
408LP3E
v03.0705
砷化镓的InGaP HBT MMIC 1瓦
功放， 5.1 - 5.9 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
增益与温度
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
4.8
15
响应（ dB）的
S21
S11
S22
5
增益（dB ）
-5
+25 C
+85 C
-40 C
11
5.8
6
6.2
-15
-25
3
4
5
6
7
8
频率（GHz ）
5
5.2
5.4
5.6
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗与温度的关系*
0
+25 C
+85 C
-40 C
-4
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
-5
-8
-10
-12
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-16
-20
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
6.2
-20
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
6.2
频率（GHz ）
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
36
32
28
24
20
16
12
4.8
+25 C
+85 C
-40 C
PSAT与温度的关系
36
33
30
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
27
24
21
18
15
12
4.8
+25 C
+85 C
-40 C
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
6.2
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
6.2
频率（GHz ）
频率（GHz ）
5.9 GHz的 - * 5.7输出匹配优化。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
11 - 35
线性&功率放大器 - SMT
HMC408LP3
/
408LP3E
v03.0705
砷化镓的InGaP HBT MMIC 1瓦
功放， 5.1 - 5.9 GHz的
功率压缩@ 5.8 GHz的
36
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
30
24
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
输出IP3与温度的关系
45
42
IP3 （ dBm的）
39
11
线性&功率放大器 - SMT
18
12
6
0
-10
36
+25 C
+85 C
-40 C
33
-5
0
5
10
15
20
30
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
6.2
输入功率（dBm ）
频率（GHz ）
噪声系数与温度
10
获得&功率与
电源电压@ 5.8 GHz的
34
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
32
30
28
26
24
22
20
18
4.75
收益
P1dB
PSAT
8
噪声系数（dB ）
6
4
+25 C
+85 C
-40 C
2
0
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
6.2
5
VCC电源电压（VDC ）
5.25
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
4.8
反向隔离
掉电隔离
增益，功率&静态
电源电流与VPD @ 5.8 GHz的
36
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
33
30
27
24
21
18
15
12
收益
P1dB
PSAT
ICQ
800
700
600
500
ICQ （毫安）
400
300
200
100
0
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
VPD （VDC ）
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
6.2
频率（GHz ）
11 - 36
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC408LP3
/
408LP3E
v03.0705
砷化镓的InGaP HBT MMIC 1瓦
功放， 5.1 - 5.9 GHz的
典型电源电流
与VS = VCC1 +电源Vcc2
绝对最大额定值
集电极偏置电压（ VCC1 ，电源Vcc2 ）
控制电压（ VPD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VS = VPD = + 5V直流）
结温
连续PDISS （T = 85
°C)
（减免72.5毫瓦/ ° C以上85
°C)
热阻
（结点到地面桨）
储存温度
工作温度
+5.5伏
+5.5伏
+20 dBm的
150
°C
4.71 W
13.8
° C / W
-65到+150
°C
-40至+85
°C
VS （ V）
4.75
5.0
ICQ （毫安）
725
750
5.25
780
注：扩增fi er将工作在上面显示全电压范围
11
线性&功率放大器 - SMT
11 - 37
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC408LP3
HMC408LP3E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
408
XXXX
408
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC408LP3
/
408LP3E
v03.0705
砷化镓的InGaP HBT MMIC 1瓦
功放， 5.1 - 5.9 GHz的
引脚说明
引脚数
功能
描述
接口示意图
1
VPD
电源控制引脚。为了获得最大的功率，该引脚应
连接到5V 。更高的电压，不推荐使用。为
低待机电流，该电压可以降低。
11
线性&功率放大器 - SMT
2, 4, 5 - 8,
12, 13, 15
3
N / C
RFIN
无连接
该引脚交流耦合
并匹配到50欧姆。
9, 10, 11
RFOUT
RF输出和直流偏置的输出级。
14
Vcc2
电源电压为所述第二放大级。克斯特
最终旁路电容和上拉阻风门须为
在应用原理图如图所示。
电源电压为网络第一个扩增fi er阶段。外
所需的旁路电容，如图中的应用
原理图。
地面：背面包已暴露的金属接地
塞必须连接到地直通短路径。
该设备下的通孔是必需的。
16
Vcc1
GND
11 - 38
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
QQ：2880707522 复制
